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公开(公告)号：CN102255026A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010241753.3
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制备方法，该方法首先外延生长缓冲层及垂直结构GaNLED外延片，然后剥离衬底，再制备导电增透层，最后制作焊线电极。该垂直结构氮化镓发光二极管芯片顺序包括：金属高反射导热层、P型GaN层、MQW发光层、N型GaN层、导电增透层和焊线电极；导电增透层包括顺序附着在N型GaN层一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层。采用本发明制备方法制备出的垂直结构氮化镓发光二极管芯片，除了能满足优良的导电和透明特性外，还能精准控制生长质量和控制形貌，获得更高的光学萃取效率以及外量子效率；此外，采用双性金属氧化物制作缓冲层，可大大降低后续剥离衬底的成本，能够获得更高良品率，以及更低的生产成本。
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公开(公告)号：CN102251277B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201010241752.9
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氧化锌透明导电膜及其制造方法。该氧化锌透明导电膜包括顺序附着在衬底材料一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层；圆冠纳米柱状ZnO层具有若干的圆冠纳米柱状表面；所述圆冠纳米柱状ZnO层之圆冠的跨度为10至1000nm，圆冠顶部距ZnO主体层10至600nm。该制造方法包括如下步骤：生长衬底预处理；预沉积；ZnO成核层生长；ZnO主体层生长；圆冠纳米柱状ZnO层生长。采用本发明氧化锌透明导电膜的制造方法得到的ZnOTCL，除了能满足优良的导电和透明特性外，还能精准控制生长质量和控制形貌，具有光子晶体特性的表面形貌，对光学的萃取效率更高；能极大的提高LED外量子效率，促进LED行业的长足发展，有利于实现环保节能、可持续发展的目标。
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公开(公告)号：CN102255020B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010241754.8
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/12
摘要： 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法；该垂直结构氮化镓发光二极管的外延片包括衬底，以及顺序覆着在衬底一侧的ZnO缓冲层、GaN成核层、高温GaN层、N型GaN层、MQW发光层和P型GaN层；该制造方法包括如下步骤：选取衬底并在衬底上生长缓冲层、缓冲层预处理、生长GaN成核层、生长高温GaN层、多量子阱LED全结构的生长。采用了本发明技术方案的一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法，能够获得质量完美的GaN外延薄膜，因而提高了外延材料的质量；此外，ZnO缓冲层易被酸碱腐蚀而自剥离，可大大降低后续剥离衬底的成本，因而能够获得更高的良品率，以及更低的生产成本。
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公开(公告)号：CN102251277A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010241752.9
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氧化锌透明导电膜及其制造方法。该氧化锌透明导电膜包括顺序附着在衬底材料一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层；圆冠纳米柱状ZnO层具有若干的圆冠纳米柱状表面；所述圆冠纳米柱状ZnO层之圆冠的跨度为10至1000nm，圆冠顶部距ZnO主体层10至600nm。该制造方法包括如下步骤：生长衬底预处理；预沉积；ZnO成核层生长；ZnO主体层生长；圆冠纳米柱状ZnO层生长。采用本发明氧化锌透明导电膜的制造方法得到的ZnOTCL，除了能满足优良的导电和透明特性外，还能精准控制生长质量和控制形貌，具有光子晶体特性的表面形貌，对光学的萃取效率更高；能极大的提高LED外量子效率，促进LED行业的长足发展，有利于实现环保节能、可持续发展的目标。
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公开(公告)号：CN102255026B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201010241753.3
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制备方法，该方法首先外延生长缓冲层及垂直结构GaNLED外延片，然后剥离衬底，再制备导电增透层，最后制作焊线电极。该垂直结构氮化镓发光二极管芯片顺序包括：金属高反射导热层、P型GaN层、MQW发光层、N型GaN层、导电增透层和焊线电极；导电增透层包括顺序附着在N型GaN层一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层。采用本发明制备方法制备出的垂直结构氮化镓发光二极管芯片，除了能满足优良的导电和透明特性外，还能精准控制生长质量和控制形貌，获得更高的光学萃取效率以及外量子效率；此外，采用双性金属氧化物制作缓冲层，可大大降低后续剥离衬底的成本，能够获得更高良品率，以及更低的生产成本。
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公开(公告)号：CN102255020A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010241754.8
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/12
摘要： 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法；该垂直结构氮化镓发光二极管的外延片包括衬底，以及顺序覆着在衬底一侧的ZnO缓冲层、GaN成核层、高温GaN层、N型GaN层、MQW发光层和P型GaN层；该制造方法包括如下步骤：选取衬底并在衬底上生长缓冲层、缓冲层预处理、生长GaN成核层、生长高温GaN层、多量子阱LED全结构的生长。采用了本发明技术方案的一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法，能够获得质量完美的GaN外延薄膜，因而提高了外延材料的质量；此外，ZnO缓冲层易被酸碱腐蚀而自剥离，可大大降低后续剥离衬底的成本，因而能够获得更高的良品率，以及更低的生产成本。
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公开(公告)号：CN102208503A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110026111.6
申请日：2011-01-25
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延结构及其制造方法。该发光二极管外延结构顺序包括：外延衬底、LT-GaN成核层、高温非掺杂缓冲层、P-GaN层、P-AlGaN层、阻挡扩散层、MQW发光层、InGaN电流扩展层、N-ZnO层和表面粗化的ZnO层。其制造方法包括如下步骤：外延衬底预处理；生长成核层；生长缓冲层；生长P-GaN层；生长P-AlGaN层；生长阻挡扩散层；生长MQW发光层；生长InGaN电流扩展层；生长N-ZnO层；生长表面粗化的ZnO层。采用本发明制造方法得到的发光二极管外延结构，不仅能获得优异的电性和光学特性，提高了内量子效率和抗ESD能力，而且能够减少全反射造成损失的光，极大提高外量子效率，获得高亮度的发光二极管，大大促进LED行业的发展和可持续发展的目标。
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公开(公告)号：CN102051593B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010562233.2
申请日：2010-11-29
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/02
摘要： 本发明公开了一种金属氧化物透明导电薄膜外延生长方法及装置。该装置包括顺序连接的可控供气系统、生长反应室和尾气处理系统；生长反应室包括：反应室本体、匀气单元以及载片单元；反应室本体具有封闭的反应腔，匀气单元设置在反应腔的上端，并与所述可控供气系统连接；载片单元设置在反应室内，衬底承载于其上；反应室的底部与所述尾气处理系统连接。采用了本发明技术方案外延生长装置的一种金属氧化物透明导电薄膜外延生长方法，因设置了科学合理的匀气单元，使得氧源、金属源和辅助气分别横向流动而扩散均匀之后再向下流向反应区，以实现外延生长的均匀性，可以一次性外延生长处多片高质量的金属氧化物导电薄膜，从而满足产业化生产的要求。
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公开(公告)号：CN102270723A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110255656.4
申请日：2011-08-31
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氧化锌透明导电薄膜，包括自生长衬底材料的表面依次外延生长形成的接触层、电导主体层及表面粗化层。本发明还公开一种氧化锌透明导电薄膜制备方法，其采用金属有机化学气相淀积法在经过预处理的生长衬底材料的表面依次外延生长形成接触层、电导主体层及表面粗化层，步骤包括：生长衬底预处理；在GaN基LED外延片的表面生长掺铝的ZnO构成接触层；在接触层上生长掺镓的ZnO构成电导主体层；在电导主体层上高温生长掺铝的ZnO构成粗化表面层。本发明提供的氧化锌透明导电薄膜应用在GaN基LED器件上具有极高的可靠性、低的正向工作电压和高的光萃取效率，环保节能，极大促进GaN基LED在照明领域的低成本应用及可持续发展。
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公开(公告)号：CN101876407A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010174061.1
申请日：2010-05-17
申请人： 中山大学佛山研究院
摘要： 本发明公开了一种LED光源模组，包括基板、荧光粉层、透镜模块，以及设置在基板上的LED发光芯片；透镜模块包括主体、主体边缘向一侧延伸形成的边框、主体上局部凸起形成的透镜单元；基板封盖于边框外侧，与透镜模块形成封闭盒体；LED发光芯片位于盒体内；荧光粉层设置于主体的内表面。采用了本发明技术方案的LED光源模组，由于基板和透镜模块构成一个封闭盒体，且在透镜模块的内表面涂荧光粉层，使得荧光粉层远离LED发光芯片，有利于降低荧光粉层的温度，从而也有利于提高荧光粉层中荧光粉的激发效率和寿命，提高光提取率。而且透镜模块的内凹的中空结构，可直接将荧光粉胶滴在透镜模块的内表面上形成荧光粉层，不需复杂的点粉工艺，操作简单。
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