高通量多试样腐蚀释放及包壳管表面污垢沉积试验系统

    公开(公告)号:CN117854763A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311702659.7

    申请日:2023-12-12

    Abstract: 本发明涉及一种高通量多试样腐蚀释放及包壳管表面污垢沉积试验系统,包括主回路温控器、回路控制段、燃料包壳污垢沉积试验段、挂片腐蚀试验段、加药装置、冷却装置;燃料包壳污垢沉积试验段内设有至少两根燃料包壳管,挂片腐蚀试验段内挂设有若干挂片试样;回路控制段控制试验回路中溶液的流动参数;加药装置的加药支路连接主回路温控器的入口,以从入口向主回路温控器内加入试验药剂,加药装置的反馈支路连接主回路温控器的出口,以从出口获取流出溶液的试剂含量,控制加药支路的加药量;冷却装置连接在主回路温控器、燃料包壳污垢沉积试验段之间,对流出燃料包壳污垢沉积试验段的溶液冷却,本试验系统能在同一试验系统上实现两种试验研究。

    核电站放射性水过滤器屏蔽装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117672577A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311565456.8

    申请日:2023-11-22

    Abstract: 本发明涉及一种核电站放射性水过滤器屏蔽装置,过滤器屏蔽装置包括屏蔽主体和屏蔽盖板,屏蔽主体构造有两端开口的屏蔽腔体,屏蔽腔体用于容纳过滤器,过滤器的底端固定于基面,屏蔽主体的一端延伸至基面并与基面相固定;屏蔽盖板盖设于屏蔽主体的另一端,并与屏蔽主体可拆卸固定。通过将屏蔽主体的一端与基面相固定,以使得屏蔽主体能够自过滤器的底部至过滤器的顶部对过滤器进行屏蔽。而通过在屏蔽主体的另一端盖设一个屏蔽盖板,以使得屏蔽盖板能够对过滤器的顶部进行屏蔽。而通过将屏蔽盖板与屏蔽主体可拆卸固定,以使得需要检修时,便于打开屏蔽盖板。通过如上的结构,使得过滤器屏蔽装置能够对全方位对过滤器进行屏蔽,从而提高屏蔽效果。

    放射性滤芯的提取转运装置

    公开(公告)号:CN117566421A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311565443.0

    申请日:2023-11-22

    Abstract: 本申请涉及一种放射性滤芯的提取转运装置,提取转运装置包括抓取机构、位移机构以及转运机构。抓取机构包括摆动组件、第一旋转组件以及钩爪,第一旋转组件设置在摆动组件的一端,钩爪设置在第一旋转组件远离摆动组件的一端,钩爪用于抓取滤芯把手。位移机构包括升降组件,升降组件驱使钩爪升降,抓取机构设置在升降组件上。位移机构设置在转运机构上,转运机构用于转运滤芯。即通过升降组件的升降、摆动组件的摆动以及旋转组件的360°旋转,能够抓取不同高度、不同倾斜角度的滤芯,以及不同朝向的过滤把手。

    面向中子防护的铝基碳化硼结构的增材制造方法

    公开(公告)号:CN111893341B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202010630620.9

    申请日:2020-07-03

    Abstract: 本发明公开了一种面向中子防护的铝基碳化硼结构的增材制造方法,包括下述步骤:将铝合金实体结构通过拓扑优化再设计为点阵结构,并通过激光选区熔化技术对其进行制造成形;所述点阵结构为内部为具有一定孔隙率的多孔结构,而外部轮廓封闭,但留有碳化硼粉末填充口;将细小的碳化硼粉末灌入铝合金点阵结构中;将铝合金点阵结构的碳化硼粉末填充口通过激光选区熔化技术进行再增材,从而使再增材后的铝合金点阵结构外部轮廓实体完整。本发明将增材制造结构成形自由度高的特点应用到防中子辐射铝基碳化硼材料的成形制造中,弥补了防中子辐射铝基碳化硼材料的传统制造方法无法成形异性结构,中子吸收材料空间分布防护效能低且有漏缝的缺陷。

    面向中子防护的铝基碳化硼结构的增材制造方法

    公开(公告)号:CN111893341A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010630620.9

    申请日:2020-07-03

    Abstract: 本发明公开了一种面向中子防护的铝基碳化硼结构的增材制造方法,包括下述步骤:将铝合金实体结构通过拓扑优化再设计为点阵结构,并通过激光选区熔化技术对其进行制造成形;所述点阵结构为内部为具有一定孔隙率的多孔结构,而外部轮廓封闭,但留有碳化硼粉末填充口;将细小的碳化硼粉末灌入铝合金点阵结构中;将铝合金点阵结构的碳化硼粉末填充口通过激光选区熔化技术进行再增材,从而使再增材后的铝合金点阵结构外部轮廓实体完整。本发明将增材制造结构成形自由度高的特点应用到防中子辐射铝基碳化硼材料的成形制造中,弥补了防中子辐射铝基碳化硼材料的传统制造方法无法成形异性结构,中子吸收材料空间分布防护效能低且有漏缝的缺陷。

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