一种N掺杂C膜的制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114774846A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210389804.X

    申请日:2022-04-14

    摘要: 本发明涉及一种N掺杂C膜的制备方法,其特征在于:(1)选择衬底材料,高纯石墨为溅射靶材,N2为离子束的N+源;(2)对衬底材料依次用丙酮、酒精、去离子水进行超声清洗,吹干;(3)把衬底材料放入溅射腔中,启动磁控溅射设备并抽真空,在真空度达到1.0~3.0*10-4Pa时,通入溅射Ar气,使C靶起辉,设定工艺参数,在Si片上制备C膜;关闭C靶,开启离子束沉积系统,通入N2作为氮源,通过离子束发射N+轰击C膜,与衬底C膜发生反应并实现掺杂;(4)取出样品,放入250‑400℃、N2气氛炉中1.5‑3h保温退火,制得N掺杂C薄膜。本发明优点:工艺简单,可控性强;以N2为离子源,不引入其他杂质元素,成膜几率高;保温退火,提高了掺杂均匀性及薄膜的结晶质量。

    一种用于太阳能电池的ZnS/Ag/WO3薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN114899250A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210389849.7

    申请日:2022-04-14

    摘要: 本发明涉及一种用于太阳能电池的ZnS/Ag/WO3薄膜的制备方法,其特征在于:(1)选用普通玻璃为衬底材料;(2)用丙酮、酒精、去离子水依次对衬底材料进行超声清洗,热风吹干;(3)将衬底材料送入溅射腔室,开启磁控溅射设备,当真空度达1.0‑4.0*10‑4 Pa,通入氩气,启动靶材,进行预溅射;以金属钨,ZnS,Ag为溅射靶材,其中金属钨为高纯靶,ZnS为陶瓷靶材,三者互成45°交角;(4)预溅射完毕,独立设定各层的工艺参数,依次制得ZnS薄膜、Ag薄膜和WO3薄膜;(5)镀制完毕,关闭起辉电源,加热样品台至400‑500℃,对样品进行退火,冷却,取出即得ZnS/Ag/WO3薄膜。本发明优点:每个靶材工艺参数可独立设置,制备工艺简单,重复性好,ZnS/Ag/WO3薄膜应用于前电极,电池的转化效率明显提高。

    一种显示屏盖板的制作方法

    公开(公告)号:CN112592040B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202011560952.0

    申请日:2020-12-25

    摘要: 本发明提供一种显示屏盖板的制作方法,包括以下步骤:(1)将玻璃加热至其黏度值1010~108帕·秒对应的温度;(2)用不同温度的冷却介质同步对玻璃的锡面和空气面进行急冷,当玻璃的温度被急冷至其黏度值1013.6~1012.4帕·秒对应的温度范围停止急冷;(3)将干燥的纯氮气加热至比上述黏度值1013.6帕·秒对应温度低40~70℃范围,用氮气吹扫清洁玻璃的两面,直至玻璃温度与氮气温度持平;(4)将纯度大于99.9%的硝酸钾加热至上述氮气温度形成硝酸钾熔盐,然后将玻璃浸入硝酸钾熔盐进行离子交换,离子交换结束后退火至室温;(5)再经清洗干燥等工序,得到显示屏盖板。本发明的优点在于不需磨削玻璃,不会降低玻璃化学强化的强度。

    一种匹配太阳能电池吸收光谱的光伏玻璃膜系设计方法

    公开(公告)号:CN117711533A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311408482.X

    申请日:2023-10-27

    摘要: 本发明涉及一种匹配太阳能电池吸收光谱的光伏玻璃膜系设计方法,1.用太阳光辐照度数值进行等比例缩放太阳能电池的光谱响应系数得到太阳光辐照系数;2.用TF‑cal软件对膜系模型进行透过率拟合,得到膜系透过率图谱与数值;3.用太阳光辐照系数和模拟得到膜系透过率进行耦合得到膜系透过率响应图谱,4.用拟合膜系透过率响应图谱和太阳能电池的光谱响应系数进行匹配,通过积分得到图谱重合面积;5.采用不同的膜系设计模型,重复上述步骤并进行面积大小比较,得到该种太阳能电池匹配合适最优的膜系设计模型。本发明选择性进行光伏玻璃镀膜膜系设计,并与电池吸收谱线进行匹配,提高了产品镀膜效率,减少了不必要的浪费,使得产品线更加精简高效。

    一种高纯石英玻璃的制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117682751A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311573698.1

    申请日:2023-11-23

    IPC分类号: C03B20/00 C03B19/14

    摘要: 本发明涉及一种高纯石英玻璃的制备方法,其特征在于:(1)选择反应源为四氯化硅和氧气,等离子气源为氩气或氩气与空气混合气,氩气流量为1.5~150g/min,氧气流量为1.0~30g/min,控制进气管路温度在60℃~90℃;(2)等离子气源经过等离子体发生器后产生等离子焰,加热基底,同时反应气体从对称方向以相同流速0.5~10m/s及0~180°的夹角同时喷入等离子焰,在高温1300~2000℃下发生反应生成氧化硅颗粒,形成的氧化硅颗粒于基底熔融沉积,形成高纯石英玻璃。本发明优点:通过管道加热,使得反应及气体源控制更加精确、高效;采用双路对称反应源进气方式,使得反应点分布更加规律,形成均匀的稳态等离子及反应流体,有利于玻璃的大面积均匀沉积。