公开(公告)号：CN105986245A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510084011.7

申请日：2015-02-16

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 贺小明 ,  郭世平

IPC分类号： C23C16/44

CPC分类号： C30B29/406 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/08 ,  H01L33/0062

摘要： 本发明公开了一种改善MOCVD反应工艺的部件及改善方法，改善机理是在MOCVD反应腔内的不锈钢部件主体表面涂覆一层致密的保护膜，所述保护膜成分全部为MOCVD沉积工艺过程中所需气体的元素组成，或者不会与MOCVD反应气体反应的成分。保护膜的成分包括由铝、镓、镁中的至少一种及氮、氧中的至少一种构成的化合物或者为不与MOCVD工艺中的气体反应的其他化学特性稳定的材料。所述保护膜不会在MOCVD工艺中与反应气体反应或者给MOCVD反应腔增加污染物，因而缩短MOCVD生产工艺的初始化工艺时间，提高MOCVD设备的生产效率。保护膜具有疏松度为零的致密组织，保护膜的厚度范围为1纳米-0.5毫米。

公开(公告)号：CN108728821A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710266326.2

申请日：2017-04-21

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 郭世平 ,  杜志游 ,  姜勇 ,  范文远 ,  陈耀 ,  何乃明

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/18

摘要： 本发明提供一种MOCVD处理装置以及用于MOCVD的气体供应装置，用以改善气体浪费和颗粒污染。其中的气体供应装置包括气体喷淋头(14)，气体喷淋头内设置有：第一气体扩散区(15)、第二气体扩散区(17)，第一气体扩散区包括相互气体隔离的两个扩散室(A1与A2)，第二气体扩散区包括相互气体隔离的两个扩散室(B1与B2)；多个气体通道，分别与第一气体扩散区的两个扩散室、第二气体扩散区的两个扩散室相连通，用于将各扩散室内的气体导入反应腔内；所述第一气体扩散区的两个扩散室中的至少一个以及第二气体扩散区的两个扩散室中的至少一个所容纳的气体种类能够在第一气体与第二气体之间切换。

公开(公告)号：CN204676149U

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201520112589.4

申请日：2015-02-16

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 姜勇 ,  郭世平 ,  杜志游 ,  何乃明

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/455

摘要： 一种对MOCVD气体喷淋头进行预处理的反应器，包括：反应腔，位于反应腔底部的抽气系统用于排出反应腔内的气体，固定在反应腔顶部的气体喷淋头，所述气体喷淋头内包括位于底部的冷却板和位于顶部的进气管道系统，其中冷却板内包括多条冷却管道，其中进气管道系统连接到一个预处理气体源和一个空气进气口，一个加热装置加热所述气体喷淋头到达预定温度范围,所述反应腔还包括一个气体分布盘位于气体喷淋头和抽气系统之间。

公开(公告)号：CN207052589U

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201720835789.1

申请日：2017-07-11

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 郭世平 ,  姜勇 ,  陶珩 ,  李可 ,  杜志游

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67

摘要： 本实用新型公开了一种晶片载体及其所在的化学气相沉积装置，包括：本体，该本体具有彼此相对布置的顶表面和底表面，所述顶表面包括具有圆形轮廓的周缘；多个呈圆形的具有第一直径的凹穴，其设置在所述晶片载体的顶表面的周缘内且以所述圆形轮廓的圆心为圆心呈两个同心圆分布，所述多个具有第一直径的凹穴中的第一部分凹穴均匀且相互外切地布置在所述两个同心圆的第一同心圆中，所述第一同心圆位于所述第二同心圆内部；并且在所述顶表面的周缘内还包括多个具有第二直径的呈圆形的第三部分凹穴，每一个所述第三部分凹穴位于由所述第二部分凹穴中的相切的两个凹穴和相邻的第一部分凹穴中的两个凹穴之间的空间内，所述第二直径小于所述第一直径。

公开(公告)号：CN207243995U

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201720836053.6

申请日：2017-07-11

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 郭世平 ,  郑振宇 ,  刘思思 ,  陈国强 ,  杜志游

IPC分类号： C23C16/458 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 一种高温处理腔室内适用于处理晶片的配置，所述配置包括：主轴，所述主轴包括具有支撑端部的杆，所述支撑端部包括从所述杆向外突出的圆形肩部和沿与所述杆同轴的方向从所述圆形肩部延伸出的插入部，所述圆形肩部具有形成为沿与所述杆同轴的方向延伸的环形延伸部，所述插入部具有非圆形形状；晶片托架，所述晶片托架形成为具有圆形盘，所述圆形盘具有顶表面和底表面，在其中心处具有非圆形通孔，所述通孔从所述底表面贯穿至所述顶表面，并且配置为与所述主轴的所述插入部配合，所述顶表面具有多个承载位，每个承载位配置用于支撑一个晶片，所述顶表面还包括中心凹部；和盖，所述盖配置为配合在所述中心凹部内并且完全覆盖所述通孔。

公开(公告)号：CN207727147U

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201721471536.7

申请日：2017-11-07

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 户高良二 ,  郭世平

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/46

摘要： 本实用新型提供一种用于热化学气相沉积的基片托盘，包括：中心托盘和边缘环，中心托盘外侧壁上包括一上延伸部，边缘环开口内侧壁上包括一下延伸部，所述上延伸部设置在所述下延伸部上方，使得中心托盘得到边缘环的支撑，所述边缘环底面包括第一区域和第二区域，其中第一区域形状与用于与支撑托盘的支撑桶顶部匹配，实现对基片托盘边缘环的支撑和旋转，第二区域位于所述第一区域外侧，用于与机械臂配合举升并移动所述基片托盘。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN304415053S

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201730303482.2

申请日：2017-07-11

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

设计人： 郭世平 ,  姜勇 ,  陶珩 ,  李可 ,  杜志游

摘要： 1．本外观设计产品的名称：基片托盘。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于承载待加工基片，并与旋转轴配合驱动托盘上的基片旋转。
3．本外观设计产品的设计要点：形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：俯视图。
5．由于后视图，左视图和右视图与主视图相同，省略后视图，左视图和右视图。

公开(公告)号：CN305003993S

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201830461274.X

申请日：2018-08-20

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

设计人： 郭世平 ,  姜勇 ,  陈耀 ,  胡建正

摘要： 1．本外观设计产品的名称：基片托盘。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于承载待加工基片，并与旋转轴配合驱动托盘上的基片旋转。
3．本外观设计的设计要点：产品的形状。
4．最能表明设计要点的图片或者照片：俯视图。

公开(公告)号：CN304473468S

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201730303481.8

申请日：2017-07-11

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

设计人： 郭世平 ,  姜勇 ,  陶珩 ,  李可 ,  杜志游

摘要： 1．本外观设计产品的名称：基片托盘。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于承载待加工基片，并与旋转轴配合驱动托盘上的基片旋转。
3．本外观设计产品的设计要点：形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：俯视图。
5．由于后视图，左视图和右视图与主视图一致，省略后视图，左视图和右视图。

公开(公告)号：CN304981090S

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201830460867.4

申请日：2018-08-20

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

设计人： 郭世平 ,  王家毅 ,  姜勇 ,  郑振宇

摘要： 1．本外观设计产品的名称：基片托盘。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于承载待加工基片，并与旋转轴配合驱动托盘上的基片旋转。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：俯视图。