公开(公告)号：CN108728828A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710261801.7

申请日：2017-04-20

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 杜志游 ,  郑振宇 ,  田保峡

IPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/458 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12

摘要： 本发明提供CVD设备及其温度控制方法与发热体。其中，用于加热可旋转基片承载盘的发热体至少包括加热功率可独立控制的第一加热丝(S1)与第二加热丝(S2)；所述第一、二加热丝在所述基片承载盘上的加热区域至少部分重叠；所述第一加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿以点(O’)为圆心的半径方向上的分布，与所述第二加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿所述半径方向上的分布不同，其中，所述点(O’)为基片承载盘旋转轴线(OO’)与基片承载盘下表面的交点。

公开(公告)号：CN204982046U

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201520754264.6

申请日：2015-09-25

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 郑振宇 ,  何乃明

IPC分类号： C23C16/48

摘要： 本实用新型提供一种MOCVD设备及其加热装置，用以改善基片承载台上表面各区域的温度均匀性。其中的加热装置位于基片承载台下方并与所述基片承载台在竖直方向上相隔一段距离，以辐射的方式加热所述基片承载台，所述加热装置包括连续的第一辐射加热丝，所述第一辐射加热丝包括：两个端点，用于电连接加热电源的正负电极；用于连接该两个端点的辐射部，所述辐射部包括呈同心圆分布的多个弧形辐射段以及用于连接不同弧形辐射段的连接部；对于每一个单独的弧形辐射段而言，其内部各处的单位长度的电阻率相等；至少存在这样的两个弧形辐射段—第一弧形辐射段与第二弧形辐射段，它们的单位长度的电阻率不相等。

公开(公告)号：CN207243995U

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201720836053.6

申请日：2017-07-11

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 郭世平 ,  郑振宇 ,  刘思思 ,  陈国强 ,  杜志游

IPC分类号： C23C16/458 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 一种高温处理腔室内适用于处理晶片的配置，所述配置包括：主轴，所述主轴包括具有支撑端部的杆，所述支撑端部包括从所述杆向外突出的圆形肩部和沿与所述杆同轴的方向从所述圆形肩部延伸出的插入部，所述圆形肩部具有形成为沿与所述杆同轴的方向延伸的环形延伸部，所述插入部具有非圆形形状；晶片托架，所述晶片托架形成为具有圆形盘，所述圆形盘具有顶表面和底表面，在其中心处具有非圆形通孔，所述通孔从所述底表面贯穿至所述顶表面，并且配置为与所述主轴的所述插入部配合，所述顶表面具有多个承载位，每个承载位配置用于支撑一个晶片，所述顶表面还包括中心凹部；和盖，所述盖配置为配合在所述中心凹部内并且完全覆盖所述通孔。

公开(公告)号：CN206706206U

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201720419213.7

申请日：2017-04-20

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 杜志游 ,  郑振宇 ,  田保峡

IPC分类号： C23C16/46

摘要： 本实用新型提供用于加热可旋转基片承载盘的发热体及CVD设备。其中，发热体至少包括加热功率可独立控制的第一加热丝(S1)与第二加热丝(S2)；所述第一、二加热丝在所述基片承载盘上的加热区域至少部分重叠；所述第一加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿以点(O’)为圆心的半径方向上的分布，与所述第二加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿所述半径方向上的分布不同，其中，所述点(O’)为基片承载盘旋转轴线(OO’)与基片承载盘下表面的交点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN202492576U

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201220056049.5

申请日：2012-02-20

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 姜勇 ,  郑振宇 ,  何乃明

IPC分类号： C23C16/52

摘要： 一种化学气相沉积装置，包括一个基片托盘与旋转轴的同步旋转装置。旋转轴顶部的连接头与基片托盘在基片托盘的底部中心连接，旋转轴通过位于连接头顶部接触带的摩擦力驱动基片托盘旋转。旋转轴顶部和托盘底面之间还包括一个同步运动配合结构，所述同步运动配合结构包括一个突出部和一个与之对应的凹槽，其中所述突出部与凹槽对应的内周壁具有一同步表面，在基片托盘与旋转轴相对转动时，所述同步表面与凹槽内周壁接触以阻止二者进一步相对位移。

公开(公告)号：CN207498513U

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201721627331.3

申请日：2017-11-29

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 郑振宇 ,  何乃明

IPC分类号： C30B25/10 ,  C30B25/08 ,  H01L21/67

摘要： 本实用新型公开了一种加热器组件以及设有此加热组件的晶圆处理装置，包含：加热元件，包含从加热元件中心到边缘分区域设置的多个加热体；其中，位于加热元件最外环的加热体，设有相互串联和/或并联、且环绕成圆环的多个加热片，其中每一加热片通过对应的连接件与相邻加热片连接，每一加热片至少设有一活动端，通过对应的活动连接件与相邻加热片的活动端连接。本实用新型具有加工简单，降低维护成本，对晶圆进行加热处理时，加热片的变形小，且容易控制的优点。

公开(公告)号：CN204982132U

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201520681445.0

申请日：2015-09-06

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 姜勇 ,  郑振宇

IPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/458

摘要： 一种化学气相沉积或外延层生长反应器，所述反应器内设置至少一基片托盘及其支撑轴，所述基片托盘包括一第一表面和一第二表面，所述基片托盘的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部；所述支撑轴包括：主轴部；与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部，所述支撑部包括一延展面；以及与所述主轴部相连接、并沿着与所述主轴部相反的方向延伸一高度的插接部；所述延展面外围设置一支撑台，所述支撑台包括一支撑面，所述基片托盘的第二表面至少部分地与所述支撑台的支撑面接触，以实现支撑轴对基片托盘的支撑。所述支撑轴可以带动基片托盘实现平稳快速转动。

公开(公告)号：CN304199925S

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201730037933.2

申请日：2017-02-13

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

设计人： 郑振宇 ,  李可

摘要： 1．本外观设计产品的名称：基片托盘。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于承载待加工基片，并与旋转轴配合驱动托盘上的基片旋转。
3．本外观设计产品的设计要点：形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：仰视图。
5．本外观设计后视图、左视图、右视图与主视图一致，省略后视图、左视图、右视图。

公开(公告)号：CN304981090S

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201830460867.4

申请日：2018-08-20

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

设计人： 郭世平 ,  王家毅 ,  姜勇 ,  郑振宇

摘要： 1．本外观设计产品的名称：基片托盘。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于承载待加工基片，并与旋转轴配合驱动托盘上的基片旋转。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：俯视图。

公开(公告)号：CN303521235S

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201530313541.5

申请日：2015-08-20

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

设计人： 郑振宇

摘要： 1．本外观设计产品的名称：基片托盘。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于承载基片，并与旋转轴配合驱动托盘上的基片旋转。3．本外观设计产品的设计要点：形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：仰视图。5．本外观设计后视图、左视图、右视图与主视图一致，省略视图后视图、左视图、右视图。