一种提高多晶硅铸锭用坩埚内表面粗糙度的方法

    公开(公告)号:CN109550623B

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN201811654033.2

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: B05B13/06 B05B7/14

    摘要: 本发明提供了一种提高多晶硅铸锭用坩埚内表面粗糙度的方法,包括:配置料浆,将料浆置入喷涂装置中,其中,喷涂装置包括旋转喷头,喷头包括底座和设于底座上的至少两个气体分散装置,底座中心设有料浆孔,至少两个气体分散装置相交于料浆孔,气体分散装置包括第一侧壁和与第一侧壁相连接的第二侧壁,至少两个第一侧壁相交于料浆孔,第一侧壁上设有第一分散孔。开启喷涂装置,料浆从料浆孔中喷出,压缩空气从第一分散孔中喷出,使料浆分散成多个颗粒,多个颗粒在坩埚内表面形成浆点。通过旋转喷头将料浆喷出,并通过倾斜设置的第一分散孔中喷出的压缩空气将料浆分散成多个颗粒,并均匀地落在坩埚内表面以形成浆点,最终提高了坩埚内表面的粗糙度。

    一种提高多晶硅铸锭用坩埚内表面粗糙度的方法

    公开(公告)号:CN109550623A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201811654033.2

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: B05B13/06 B05B7/14

    CPC分类号: B05B13/0636 B05B7/14

    摘要: 本发明提供了一种提高多晶硅铸锭用坩埚内表面粗糙度的方法,包括:配置料浆,将料浆置入喷涂装置中,其中,喷涂装置包括旋转喷头,喷头包括底座和设于底座上的至少两个气体分散装置,底座中心设有料浆孔,至少两个气体分散装置相交于料浆孔,气体分散装置包括第一侧壁和与第一侧壁相连接的第二侧壁,至少两个第一侧壁相交于料浆孔,第一侧壁上设有第一分散孔。开启喷涂装置,料浆从料浆孔中喷出,压缩空气从第一分散孔中喷出,使料浆分散成多个颗粒,多个颗粒在坩埚内表面形成浆点。通过旋转喷头将料浆喷出,并通过倾斜设置的第一分散孔中喷出的压缩空气将料浆分散成多个颗粒,并均匀地落在坩埚内表面以形成浆点,最终提高了坩埚内表面的粗糙度。

    一种低杂质的铸造多晶和铸锭单晶用免喷坩埚及其制备方法

    公开(公告)号:CN110803943A

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201911207980.1

    申请日:2019-11-30

    IPC分类号: C04B41/87 C30B35/00 C30B29/06

    摘要: 一种低杂质的铸造多晶和铸锭单晶用免喷坩埚及其制备方法,在基体内表面对应液线以上区域涂覆有氮化硅涂层Ⅰ,对应硅液线以下区域及坩埚底部涂覆有氮化硅涂层Ⅱ。氮化硅涂层Ⅰ为四层结构,其基底层为硬质强化氮化硅涂层,中间为缓冲层,表面为硬质保护层。缓冲层的存在,使得硅液线区域可以更好的抵御坩埚的收缩。表面光滑硬质层可提供抵御硅液冲刷的能力,保证隔绝强度,中间缓冲层可减少坩埚收缩对表面硬质涂层的影响、最大限度减少表面涂层开裂情况,底部基体层提供了良好的涂层附着力。本发明侧重氮化硅涂层硬质技术,以此实现更少的粉底材料、减少硅锭杂质含量及减少硅锭位错等缺陷,大幅度改善硅锭脱模效果,减少硅锭粘埚现象。

    一种低杂质的铸造多晶和铸锭单晶用免喷坩埚及其制备方法

    公开(公告)号:CN110803943B

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN201911207980.1

    申请日:2019-11-30

    IPC分类号: C04B41/87 C30B35/00 C30B29/06

    摘要: 一种低杂质的铸造多晶和铸锭单晶用免喷坩埚及其制备方法,在基体内表面对应液线以上区域涂覆有氮化硅涂层Ⅰ,对应硅液线以下区域及坩埚底部涂覆有氮化硅涂层Ⅱ。氮化硅涂层Ⅰ为四层结构,其基底层为硬质强化氮化硅涂层,中间为缓冲层,表面为硬质保护层。缓冲层的存在,使得硅液线区域可以更好的抵御坩埚的收缩。表面光滑硬质层可提供抵御硅液冲刷的能力,保证隔绝强度,中间缓冲层可减少坩埚收缩对表面硬质涂层的影响、最大限度减少表面涂层开裂情况,底部基体层提供了良好的涂层附着力。本发明侧重氮化硅涂层硬质技术,以此实现更少的粉底材料、减少硅锭杂质含量及减少硅锭位错等缺陷,大幅度改善硅锭脱模效果,减少硅锭粘埚现象。