一种多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法

    公开(公告)号:CN111733453A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201910227503.5

    申请日:2019-03-25

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明提供了一种多晶硅铸锭用坩埚,包括坩埚基体,和设置在所述坩埚基体内壁的硬质涂层,所述硬质涂层的成分包括氮化硅粉体、硅溶胶和粘结剂,所述粘结剂包括聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚乙烯醇缩丁醛中的一种或多种;所述硬质涂层的粗糙度为1.0-1.5μm。该多晶硅铸锭用坩埚抗硅液冲刷能力强,杂质阻隔能力强,并且硅锭粘埚率低。本发明还提供了多晶硅铸锭用坩埚的制备方法,该方法采用涂布方式,并且各组分添加过程中依次经过多次球磨,得到更细、更均匀的硬质涂层浆料,使硬质涂层内的颗粒堆垛最大化,颗粒间接触面积加大,颗粒间结合力增强,实现硬度更高,结构更致密的硬质涂层。

    一种光伏材料混合搅拌装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110721624A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201910974950.7

    申请日:2019-10-14

    IPC分类号: B01F13/10 B01F15/00

    摘要: 本发明提供了一种光伏材料混合搅拌装置,包括釜体,釜体上设有釜盖,电机与主搅拌轴连接,主搅拌轴上端固定有主转盘一、主转盘二,主搅拌轴左右两侧设有副搅拌轴,左侧的副搅拌轴上固定有副转盘一,右侧的副搅拌轴上固定有副转盘二,主转盘一与副转盘一、主转盘二与副转盘二通过传送带连接,副搅拌轴上安装有副桨叶,主搅拌轴底端安装有斜杆,斜杆下端安装有弧形主桨叶,弧形主桨叶底端的弧形凸起与釜体底部相接触;本发明可对釜体中粉料达到快速混合的效果,且混合均匀,可对粉体进一步细化,主搅拌轴、两个副搅拌轴只需一个电机驱动,可有效降低生产时间和能耗,降低了生产成本。

    一种含噻吩环的光电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110642829A

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201910974068.2

    申请日:2019-10-14

    摘要: 本发明涉及太阳能领域,具体涉及一种含噻吩环的光电材料,及其制备方法,本发明制备的有机光电材料其结构中含有噻吩环,由于噻吩环是五元环结构,符合休克儿规则,具有适中的能带隙,较宽的光谱响应,较好的热稳定性和环境稳定性,有机光电材料光电性质优良,转化率效率高,制作成本低,优于现有常用OLED器件;本发明还提供有机光电材料的制备方法,该制备方法简单、原料易得,能够满足工业化发展的需要。本发明的有机光电材料在OLED发光器件中具有良好的应用效果,具有良好的产业化前景;本发明的产物整个分子不对称,从而破坏分子的结晶性,避免了分子间的聚集作用,具有好的成膜性,提高材料的热稳定性、玻璃化转变温度和分解温度。

    一种提高多晶硅铸锭用坩埚内表面粗糙度的方法

    公开(公告)号:CN109550623B

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN201811654033.2

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: B05B13/06 B05B7/14

    摘要: 本发明提供了一种提高多晶硅铸锭用坩埚内表面粗糙度的方法,包括:配置料浆,将料浆置入喷涂装置中,其中,喷涂装置包括旋转喷头,喷头包括底座和设于底座上的至少两个气体分散装置,底座中心设有料浆孔,至少两个气体分散装置相交于料浆孔,气体分散装置包括第一侧壁和与第一侧壁相连接的第二侧壁,至少两个第一侧壁相交于料浆孔,第一侧壁上设有第一分散孔。开启喷涂装置,料浆从料浆孔中喷出,压缩空气从第一分散孔中喷出,使料浆分散成多个颗粒,多个颗粒在坩埚内表面形成浆点。通过旋转喷头将料浆喷出,并通过倾斜设置的第一分散孔中喷出的压缩空气将料浆分散成多个颗粒,并均匀地落在坩埚内表面以形成浆点,最终提高了坩埚内表面的粗糙度。

    一种提高多晶硅铸锭用坩埚内表面粗糙度的方法

    公开(公告)号:CN109550623A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201811654033.2

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: B05B13/06 B05B7/14

    CPC分类号: B05B13/0636 B05B7/14

    摘要: 本发明提供了一种提高多晶硅铸锭用坩埚内表面粗糙度的方法,包括:配置料浆,将料浆置入喷涂装置中,其中,喷涂装置包括旋转喷头,喷头包括底座和设于底座上的至少两个气体分散装置,底座中心设有料浆孔,至少两个气体分散装置相交于料浆孔,气体分散装置包括第一侧壁和与第一侧壁相连接的第二侧壁,至少两个第一侧壁相交于料浆孔,第一侧壁上设有第一分散孔。开启喷涂装置,料浆从料浆孔中喷出,压缩空气从第一分散孔中喷出,使料浆分散成多个颗粒,多个颗粒在坩埚内表面形成浆点。通过旋转喷头将料浆喷出,并通过倾斜设置的第一分散孔中喷出的压缩空气将料浆分散成多个颗粒,并均匀地落在坩埚内表面以形成浆点,最终提高了坩埚内表面的粗糙度。

    一种低杂质的铸造多晶和铸锭单晶用免喷坩埚及其制备方法

    公开(公告)号:CN110803943A

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201911207980.1

    申请日:2019-11-30

    IPC分类号: C04B41/87 C30B35/00 C30B29/06

    摘要: 一种低杂质的铸造多晶和铸锭单晶用免喷坩埚及其制备方法,在基体内表面对应液线以上区域涂覆有氮化硅涂层Ⅰ,对应硅液线以下区域及坩埚底部涂覆有氮化硅涂层Ⅱ。氮化硅涂层Ⅰ为四层结构,其基底层为硬质强化氮化硅涂层,中间为缓冲层,表面为硬质保护层。缓冲层的存在,使得硅液线区域可以更好的抵御坩埚的收缩。表面光滑硬质层可提供抵御硅液冲刷的能力,保证隔绝强度,中间缓冲层可减少坩埚收缩对表面硬质涂层的影响、最大限度减少表面涂层开裂情况,底部基体层提供了良好的涂层附着力。本发明侧重氮化硅涂层硬质技术,以此实现更少的粉底材料、减少硅锭杂质含量及减少硅锭位错等缺陷,大幅度改善硅锭脱模效果,减少硅锭粘埚现象。