医院中子照射器燃料元件芯块制备工艺

    公开(公告)号:CN106508065B

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200610056112.4

    申请日:2006-06-12

    IPC分类号: G21C21/00

    摘要: 本发明提供了一种适用于医院中子照射器燃料元件设计要求的芯块制备工艺。该医院中子照射器燃料元件芯块制备工艺包括预压制粒、粉末成型和芯块烧结工艺,其中,在预压制粒过程中,直接采用二氧化铀粉末预压成型、叉筛,不需要添加任何添加剂;在芯块烧结降温时,对烧结炉腔抽真空,并在1200℃~1300℃保温1~2小时。本发明在芯块烧结过程中还采用阶梯式的升温方式。本发明满足了芯块密度控制范围窄的技术条件要求,保证了烧结后芯块氢含量满足设计要求,并确保小尺寸芯块不经过磨制就可满足设计要求,避免了因磨制所造成的废品、核物料的损耗,提高了成品率,缩短了芯块制备的工艺流程。

    一种不锈钢壳体的贫铀屏蔽体铸造方法

    公开(公告)号:CN106925724A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201511026745.6

    申请日:2015-12-31

    IPC分类号: B22C9/22

    CPC分类号: B22C9/22

    摘要: 本发明属于金属贫铀屏蔽体部件制造技术领域,具体涉及一种不锈钢壳体的贫铀屏蔽体铸造方法。壳体的浇注次数为3次:将110-115Kg贫铀金属加热到1250-1300℃时进行第一次浇注,贫铀金属液浇到壳体浇注模具三分之一处停止浇注,通过硝酸清洗然后转到机械加工去除表面氧化铀,之后加冷铀套进行第二次浇注,第二次浇注贫铀金属液重量为240Kg,浇注温度为1250-1300℃,通过硝酸清洗然后转到机械加工去除表面氧化铀,在二次浇注后的模具上方加装圆锥形模具及筛盘进行三次浇注,浇注温度为1250-1300℃至壳体成型;将石墨管安装在源开关浇注模具上部进行浇注。本发明工艺简单,不会产生大气孔缺陷,外漏剂量率低;贫铀材料价格比钨便宜,经济实用。

    涡流水隙测量仪
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101465168A

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200710302050.5

    申请日:2007-12-21

    IPC分类号: G21C17/00

    摘要: 本发明属于一种无损检测仪器,具体公开了一种应用于核反应堆用燃料元件之间的间隙测量的水隙测量仪,包括由导电材料制成的上簧片和下簧片及为上簧片和下簧片提供支撑的连杆;下簧片上装有一个检测线圈;检测线圈两端接入一个能够为检测线圈提供交流电并能测量检测线圈电阻的检测电路中。本发明的优点在于:1.上簧片和下簧片及其支撑连杆能够深入水隙中,测量方便;2.通过桥式检测电路,将对检测线圈电阻的测量转化为电桥电压的测量,测量精度更高。

    一种不锈钢壳体的贫铀屏蔽体铸造方法

    公开(公告)号:CN106925724B

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201511026745.6

    申请日:2015-12-31

    IPC分类号: B22C9/22

    摘要: 本发明属于金属贫铀屏蔽体部件制造技术领域,具体涉及一种不锈钢壳体的贫铀屏蔽体铸造方法。壳体的浇注次数为3次:将110—115Kg贫铀金属加热到1250—1300℃时进行第一次浇注,贫铀金属液浇到壳体浇注模具三分之一处停止浇注,通过硝酸清洗然后转到机械加工去除表面氧化铀,之后加冷铀套进行第二次浇注,第二次浇注贫铀金属液重量为240Kg,浇注温度为1250—1300℃,通过硝酸清洗然后转到机械加工去除表面氧化铀,在二次浇注后的模具上方加装圆锥形模具及筛盘进行三次浇注,浇注温度为1250—1300℃至壳体成型;将石墨管安装在源开关浇注模具上部进行浇注。本发明工艺简单,不会产生大气孔缺陷,外漏剂量率低;贫铀材料价格比钨便宜,经济实用。

    涡流水隙测量仪
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101465168B

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200710302050.5

    申请日:2007-12-21

    IPC分类号: G21C17/00

    摘要: 本发明属于一种无损检测仪器,具体公开了一种应用于核反应堆用燃料元件之间的间隙测量的水隙测量仪,包括由导电材料制成的上簧片和下簧片及为上簧片和下簧片提供支撑的连杆;下簧片上装有一个检测线圈;检测线圈两端接入一个能够为检测线圈提供交流电并能测量检测线圈电阻的检测电路中。本发明的优点在于:1.上簧片和下簧片及其支撑连杆能够深入水隙中,测量方便;2.通过桥式检测电路,将对检测线圈电阻的测量转化为电桥电压的测量,测量精度更高。

    钴块镀镍工艺
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106507857B

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200810077759.4

    申请日:2008-11-25

    IPC分类号: C25D5/18 C25D3/12 C25D5/00

    摘要: 本发明涉及一种在钴块表面镀镍工艺,该工艺在钴块电镀前采用阳极电解的方法对钴块进行蚀刻、活化,采用的蚀刻、活化液为盐酸溶液,阴极为钛板或铅板,阳极为钴块;在钴块电镀时采用滚镀方法,镀液采用瓦特型镀液,以硫酸镍为主盐提供镍离子,阳极为镍板,阴极为钴块,滚镀电源采用双脉冲直流电镀电源。本发明工艺使钴块表面所镀的镍层附着强度高、粗糙度小、杂质元素含量低、均匀性好。