钴块镀镍工艺
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106507857B

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200810077759.4

    申请日:2008-11-25

    IPC分类号: C25D5/18 C25D3/12 C25D5/00

    摘要: 本发明涉及一种在钴块表面镀镍工艺,该工艺在钴块电镀前采用阳极电解的方法对钴块进行蚀刻、活化,采用的蚀刻、活化液为盐酸溶液,阴极为钛板或铅板,阳极为钴块;在钴块电镀时采用滚镀方法,镀液采用瓦特型镀液,以硫酸镍为主盐提供镍离子,阳极为镍板,阴极为钴块,滚镀电源采用双脉冲直流电镀电源。本发明工艺使钴块表面所镀的镍层附着强度高、粗糙度小、杂质元素含量低、均匀性好。

    一种钴芯块镀镍层金相样品制备方法

    公开(公告)号:CN114689397A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202011594191.0

    申请日:2020-12-29

    IPC分类号: G01N1/28 G01N1/32 G01N1/36

    摘要: 本发明属于金相样品制备技术领域,具体涉及一种钴芯块镀镍层金相样品制备方法。步骤一,镶样:将镀镍钴芯块圆柱体整体取样进行镶嵌;步骤二,粗磨:将镶嵌后的钴芯块镀镍层试样纵剖面用水砂纸磨制;步骤三,抛光:用金钢石研磨膏将试样机械抛光至表面光滑无划痕,边缘没有倒角;步骤四,腐蚀:利用体积比氢氟酸:水=1:1的腐蚀液对磨抛好的样品进行腐蚀。镀镍的钴芯块经过镶样和磨抛,使显示的微观组织具有真实性和重现性。

    医院中子照射器燃料元件芯块制备工艺

    公开(公告)号:CN106508065B

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200610056112.4

    申请日:2006-06-12

    IPC分类号: G21C21/00

    摘要: 本发明提供了一种适用于医院中子照射器燃料元件设计要求的芯块制备工艺。该医院中子照射器燃料元件芯块制备工艺包括预压制粒、粉末成型和芯块烧结工艺,其中,在预压制粒过程中,直接采用二氧化铀粉末预压成型、叉筛,不需要添加任何添加剂;在芯块烧结降温时,对烧结炉腔抽真空,并在1200℃~1300℃保温1~2小时。本发明在芯块烧结过程中还采用阶梯式的升温方式。本发明满足了芯块密度控制范围窄的技术条件要求,保证了烧结后芯块氢含量满足设计要求,并确保小尺寸芯块不经过磨制就可满足设计要求,避免了因磨制所造成的废品、核物料的损耗,提高了成品率,缩短了芯块制备的工艺流程。