-
公开(公告)号：CN114380621A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111562061.3
申请日：2021-12-20
申请人： 中电建铁路建设投资集团有限公司 , 西安理工大学 , 西安博文天成环保科技有限责任公司
IPC分类号： C04B38/10 , C04B28/00 , C04B111/40
摘要： 本发明公开了一种泥浆制备泡沫混凝土方法，具体按照以下步骤实施：首先制备泥浆滤饼，即使用质量浓度为2％的阴离子聚丙酰胺APAM与泥浆以3:(8‑12)的体积比对泥浆进行絮凝脱水，将絮凝后的混合物通过200‑500目滤布，静置2‑4小时后取出，获得泥浆滤饼。然后制备胶凝材料浆体，制备泡沫，最后制备混凝土试块。本发明解决了现有技术中存在的废弃泥浆污染严重，难处理且常规混凝土制备工艺形成的混凝土密度大、成本高、可利用率低的问题。
-
公开(公告)号：CN114380621B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111562061.3
申请日：2021-12-20
申请人： 中电建铁路建设投资集团有限公司 , 西安理工大学 , 西安博文天成环保科技有限责任公司
IPC分类号： C04B38/10 , C04B28/00 , C04B111/40
摘要： 本发明公开了一种泥浆制备泡沫混凝土方法，具体按照以下步骤实施：首先制备泥浆滤饼，即使用质量浓度为2％的阴离子聚丙酰胺APAM与泥浆以3:(8‑12)的体积比对泥浆进行絮凝脱水，将絮凝后的混合物通过200‑500目滤布，静置2‑4小时后取出，获得泥浆滤饼。然后制备胶凝材料浆体，制备泡沫，最后制备混凝土试块。本发明解决了现有技术中存在的废弃泥浆污染严重，难处理且常规混凝土制备工艺形成的混凝土密度大、成本高、可利用率低的问题。
-
公开(公告)号：CN216764461U
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202121137506.9
申请日：2021-05-25
申请人： 中电建铁路建设投资集团有限公司 , 西安理工大学
摘要： 本实用新型公开了一种基质强化型生态浮床，包括浮床框架，浮床框架表面设置为网格状，浮床框架底部设置有浮床框体，浮床框体内部底部设置有基质，浮床框体内种植有挺水植物，挺水植物的植物根系植根于基质内，浮床框架周围设置有若干浮筒。本实用新型解决了现有技术中存在的污染物去除效果随季节变化较大的问题。
-
公开(公告)号：CN214936960U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202121137358.0
申请日：2021-05-25
申请人： 中电建铁路建设投资集团有限公司 , 西安理工大学
IPC分类号： C02F11/14 , C02F11/00 , C02F11/127 , B01F3/06
摘要： 本实用新型公开了一种施工废弃泥浆脱水及资源化利用的一体化系统，包括储泥池和絮凝剂池，储泥池和絮凝剂池经过管道与连接至静态混合器，静态混合器又通过管道与离心脱水机连接，离心脱水机出口分为两路，一路通过管道连接至滤液收集池，一路通过输送机连接至固化成型设备，固化成型设备通过管道与固化剂池连接。本实用新型解决了现有技术中存在的施工废弃泥浆处理设备脱水和泥渣资源化利用不连续的问题。
-
公开(公告)号：CN111129137B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201911241773.8
申请日：2019-12-06
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管，p‑NiO层向上依次设置有n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上镶嵌有p‑SiC阱区，p‑SiC阱区上镶嵌有p‑SiC欧姆接触区与n‑SiC发射区；n‑SiC漂移区、p‑SiC阱区、以及n‑SiC发射区上表面共同覆盖有栅绝缘介质薄膜及栅极；p‑SiC欧姆接触区、n‑SiC发射区上表面共同覆盖有发射极；栅极上方覆盖有绝缘钝化介质薄膜；发射极及绝缘钝化介质薄膜上表面共同覆盖有金属；p‑NiO层下端面覆盖有集电极。本发明的结构，使SiC n‑IGBT的正向导通性能更优，通态功耗更低。
-
公开(公告)号：CN111244189B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010065699.5
申请日：2020-01-20
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，包括衬底，衬底上依次为n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上端面覆盖有阳极，衬底下端面覆盖有阴极，n‑SiC漂移区上表面靠近阳极位置处间隔镶嵌有若干p‑NiO结区。本发明解决了现有技术中存在的SiC MPS二极管正向开启电压过高、通态电阻过大的问题。
-
公开(公告)号：CN114162968A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111375048.7
申请日：2021-11-17
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： C02F3/30 , C02F3/12 , B01F27/90 , C02F101/30
摘要： 本发明公开的用于印染废水水解酸化的微氧流化床生物膜装置，包括有反应器壳体，反应器壳体顶壁处安装有搅拌器，反应器壳体底板上气体分散器及气室，气体分散器设置在气室；气室的顶壁上设置有曝气盘，气室的顶壁上设置有若干通孔，若干所述通孔与曝气盘上的通孔连通；气室的顶壁边缘处通过带有通孔的截留板与反应器壳体的内壁连接，截留板与反应器壳体顶壁之间的空间填充有印染废水和若干块附着生长生物膜的改性聚氨酯海绵悬浮载体；反应器壳体侧壁上有进水管及排水管；反应器壳体底板上还连接有进气系统。该装置解决了水解酸化效率低、有机染料降解不完全的问题。还公开了用于印染废水水解酸化的微氧流化床生物膜装置的运行方法。
-
公开(公告)号：CN111129137A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911241773.8
申请日：2019-12-06
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管，p-NiO层向上依次设置有n-SiC缓冲层、n-SiC漂移区，n-SiC漂移区上镶嵌有p-SiC阱区，p-SiC阱区上镶嵌有p-SiC欧姆接触区与n-SiC发射区；n-SiC漂移区、p-SiC阱区、以及n-SiC发射区上表面共同覆盖有栅绝缘介质薄膜及栅极；p-SiC欧姆接触区、n-SiC发射区上表面共同覆盖有发射极；栅极上方覆盖有绝缘钝化介质薄膜；发射极及绝缘钝化介质薄膜上表面共同覆盖有金属；p-NiO层下端面覆盖有集电极。本发明的结构，使SiC n-IGBT的正向导通性能更优，通态功耗更低。
-
公开(公告)号：CN108126719A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711395943.9
申请日：2017-12-21
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： B01J27/188
摘要： 本发明公开了一种磷钨酸掺杂二氧化钛光催化剂的制备方法，首先将一定量钛酸丁酯逐滴滴加到无水乙醇中，使其均匀分散，并滴加少量冰醋酸和三乙醇胺，搅拌，静置，得到的液体记为A液；然后将一定量的无水乙醇加入到少量蒸馏水和冰醋酸的混合液中，搅拌，静置，得到的液体记为B液；其次将B液缓慢滴加到A液中，并将一定量的磷钨酸溶液缓慢滴加到该混合液中，先用磁力搅拌使溶液分散均匀，再使用超声波处理30～50min，得到均匀、透明、呈白色溶胶；最后溶胶经过陈化、干燥、热处理和研磨后得到浅灰色磷钨酸掺杂二氧化钛粉体，本发明解决了现有技术中存在的磷钨酸掺杂二氧化钛的方法步骤较为繁琐，能量消耗较多的问题。
-
公开(公告)号：CN106630542A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611068845.X
申请日：2016-11-29
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： C02F11/14
摘要： 本发明公开的一种处理废弃泥浆的絮凝剂，按质量百分比由以下组分组成：高岭土20‑27％、珊瑚石14‑34％、硅藻土6‑22％、石膏6‑17％、煤灰2‑14％、高炉渣4‑9％、阳离子型的聚丙烯酰胺6‑20％，上述各组分的质量百分比之和为100％。本发明还公开了上述处理废弃泥浆的絮凝剂的制备方法以及处理泥浆的方法，将称取的高岭土、珊瑚石、硅藻土和石膏、煤灰和高炉渣分别研磨筛分得到粒径不大于48μm的粉末，与阳离子型的聚丙烯酰胺充分混合，得到处理废弃泥浆的絮凝剂；将絮凝剂按废弃泥浆与絮凝剂的质量比为713‑1036：1加入到废弃泥浆中，一边加入絮凝剂一边用搅拌机搅拌，至废弃泥浆中出现矾花，稳定后再搅拌30秒，停止搅拌，静置2‑3分钟，得到中上层的液体和下层絮凝后的浓缩泥浆，处理完成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
41 条记录 (耗时 0.121 秒)
