公开(公告)号：CN112071918A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010806648.3

申请日：2020-08-12

申请人： 西安理工大学

发明人： 王曦 ,  杨迎香 ,  蒲红斌 ,  封先锋 ,  陈春兰 ,  许蓓

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种SiC沟槽MPS二极管，包括衬底上表面向上依次外延有n型缓冲层、n型漂移区、p型轻掺杂区，p型轻掺杂区上表面靠近内侧设置有多个p型发射区；相邻p型发射区之间设置有矩形沟槽，每个矩形沟槽的底面均嵌入p型轻掺杂区中，矩形沟槽的底面、矩形沟槽的侧壁、p型发射区单元的上表面及p型发射区单元的四个侧面共同覆盖有一体连接的欧姆接触阳极，p型发射区与p型轻掺杂区靠近外侧边缘设置有终端台面；衬底下表面覆盖连接有欧姆接触阴极。本发明还公开了该种SiC沟槽MPS二极管的制造方法。本发明的SiC沟槽MPS二极管，终端保护效率更好、工艺鲁棒性更优；简化了制造工艺，节约了成本。

公开(公告)号：CN107393970A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710749274.4

申请日：2017-08-28

申请人： 西安理工大学

发明人： 蒲红斌 ,  王曦 ,  陈春兰

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种碳化硅结势垒二极管，将沟槽结构引入4H-SiC结势垒二极管中，有效的提高4H-SiC场控二极管的耐压性，改善了高压4H-SiC结势垒二极管的阻断性能；本发明二极管使用外延形成用于阳极接触的重掺杂接触区，通过刻蚀技术在重掺杂接触区与沟道扩展区制作沟槽的方法，以及离子注入后无碳膜保护的激活退火方法，均有效增加了p结区结深，并改善了欧姆接触阳极的接触特性，降低了器件工艺的复杂度，提高了器件的可行性。

公开(公告)号：CN111129137B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN201911241773.8

申请日：2019-12-06

申请人： 西安理工大学

发明人： 王曦 ,  钟艺文 ,  蒲红斌 ,  陈春兰 ,  王敏 ,  张萌

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管，p‑NiO层向上依次设置有n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上镶嵌有p‑SiC阱区，p‑SiC阱区上镶嵌有p‑SiC欧姆接触区与n‑SiC发射区；n‑SiC漂移区、p‑SiC阱区、以及n‑SiC发射区上表面共同覆盖有栅绝缘介质薄膜及栅极；p‑SiC欧姆接触区、n‑SiC发射区上表面共同覆盖有发射极；栅极上方覆盖有绝缘钝化介质薄膜；发射极及绝缘钝化介质薄膜上表面共同覆盖有金属；p‑NiO层下端面覆盖有集电极。本发明的结构，使SiC n‑IGBT的正向导通性能更优，通态功耗更低。

公开(公告)号：CN111129137A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911241773.8

申请日：2019-12-06

申请人： 西安理工大学

发明人： 王曦 ,  钟艺文 ,  蒲红斌 ,  陈春兰 ,  王敏 ,  张萌

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管，p-NiO层向上依次设置有n-SiC缓冲层、n-SiC漂移区，n-SiC漂移区上镶嵌有p-SiC阱区，p-SiC阱区上镶嵌有p-SiC欧姆接触区与n-SiC发射区；n-SiC漂移区、p-SiC阱区、以及n-SiC发射区上表面共同覆盖有栅绝缘介质薄膜及栅极；p-SiC欧姆接触区、n-SiC发射区上表面共同覆盖有发射极；栅极上方覆盖有绝缘钝化介质薄膜；发射极及绝缘钝化介质薄膜上表面共同覆盖有金属；p-NiO层下端面覆盖有集电极。本发明的结构，使SiC n-IGBT的正向导通性能更优，通态功耗更低。

公开(公告)号：CN107863384A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710998688.0

申请日：2017-10-20

申请人： 西安理工大学

发明人： 蒲红斌 ,  王曦 ,  陈春兰

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/74 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66068

摘要： 本发明公开了一种注入增强缓冲层结构，包括上缓冲区即第一外延层，该上缓冲区材料为n型SiC，厚度为0.1μm-2.9μm，上下端表面积为1μm2-2000cm2；紧邻上缓冲区的下方为下缓冲区即第二外延层，该下缓冲区的材料为n型SiC，厚度为0.1μm-2.9μm，上下端表面积为1μm2-2000cm2；上缓冲区与下缓冲区相连，其中上缓冲区的施主杂质掺杂浓度大于下缓冲区的施主掺杂浓度。本发明还公开了一种含注入增强缓冲层结构的SiC光触发晶闸管。本发明的结构，不仅具有防止电场穿通的功能，还具有调节载流子注入的功能，具有更短的开通延迟时间。

公开(公告)号：CN107393970B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201710749274.4

申请日：2017-08-28

申请人： 西安理工大学

发明人： 蒲红斌 ,  王曦 ,  陈春兰

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种碳化硅结势垒二极管，将沟槽结构引入4H‑SiC结势垒二极管中，有效的提高4H‑SiC场控二极管的耐压性，改善了高压4H‑SiC结势垒二极管的阻断性能；本发明二极管使用外延形成用于阳极接触的重掺杂接触区，通过刻蚀技术在重掺杂接触区与沟道扩展区制作沟槽的方法，以及离子注入后无碳膜保护的激活退火方法，均有效增加了p结区结深，并改善了欧姆接触阳极的接触特性，降低了器件工艺的复杂度，提高了器件的可行性。