公开(公告)号：CN117832193A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211183259.5

申请日：2022-09-27

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  王西宁 ,  钱蔚宏 ,  刘慕义

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64

Abstract: 一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括：基底；多个有源区，所述多个有源区分布于所述衬底内；多个多晶硅栅条，多个所述多晶硅栅条分布于所述多个有源区上；第一导电结构，所述第一导电结构位于所述多个多晶硅栅条上，所述第一导电结构包括：多个第一金属段；接地环，所述接地环包围所述第一导电结构，所述接地环上具有接地点；第二导电结构，所述第二导电结构连接所述第一导电结构且延伸至所述接地环外与所述接地点相连。所述第二导电结构的长度更长，能够有效延长电流通道长度，能够有效增大所述接地屏蔽结构的电阻，能够有效抑制衬底损耗。

公开(公告)号：CN117438295A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210816646.1

申请日：2022-07-12

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 高俊九 ,  曾贤成 ,  李若园 ,  刘慕义

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括第一区和第二区；在第一区上形成若干第一图形化结构，在第二区上形成若干第二图形化结构；在第一图形化结构的侧壁形成第一侧墙，在第二图形化结构的侧壁形成第二侧墙；去除第一图形化结构；以第一侧墙、第二侧墙和第二图形化结构为掩膜刻蚀待刻蚀层，在待刻蚀层内形成第一沟槽和第二沟槽；在第一沟槽内形成第一导电层，在第二沟槽内形成第二导电层，相邻第一导电层的中心间距小于相邻第二导电层的中心间距。半导体结构的形成方法避免了采用多次光罩工艺分别在第一区和第二区进行图形化传递，使得中心间距尺寸不同的第一导电层和第二导电层的制程工艺得以兼容，有效降低的制程成本。

公开(公告)号：CN117913065A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202211247198.4

申请日：2022-10-12

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  王西宁 ,  钱蔚宏 ,  刘慕义

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/64

Abstract: 一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括：基底；至少1个屏蔽层，屏蔽层位于基底上，屏蔽层包括：第一导电结构和第二导电结构，其中平行基底表面的平面内，第二导电结构包围第一导电结构，且第二导电结构与第一导电结构电隔离；接地环，接地环位于基底上，平行基底表面的平面内，接地环包围至少1个屏蔽层。仅有第二导电结构接地，位于感应磁场更强的中心的第一导电结构并未接地，浮置的第一导电结构能够有效增大接地屏蔽结构的电阻，有效抑制衬底损耗，有利于品质因数Q值的提高。

公开(公告)号：CN117476595A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202210858001.4

申请日：2022-07-20

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  王西宁 ,  钱蔚宏 ,  刘慕义

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64

Abstract: 一种电容器件及其形成方法，其中结构包括：各层所述第一金属层位于相邻层的第二金属层之间，所述第一金属层包括若干第一电极层和若干第二电极层，所述若干第一电极层和所述若干第二电极层均分别平行于第一方向且沿第二方向排布，各第一电极层位于相邻的第二电极层之间，各所述第二金属层包括若干第三电极层和若干第四电极层，所述若干第三电极层和所述若干第四电极层均分别行于第二方向且沿第一方向排布，且各第三电极层位于相邻的第四电极层之间，若干第一导电插塞使所述若干第一电极层和所述若干第三电极层电连接，若干第二导电插塞使所述若干第二电极层和所述若干第四电极层电连接，有利于提高电容器件的品质因数，提高电容器件的性能。