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公开(公告)号：CN118714916A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310310402.0
申请日：2023-03-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种电感器及其形成方法，其中，电感器包括：衬底，所述衬底包括工作区；位于所述工作区内的掺杂层，所述掺杂层的表面图形为中心对称图形；位于所述掺杂层上的第一屏蔽结构，所述第一屏蔽结构在衬底表面的投影图形在所述工作区的范围内，且所述第一屏蔽结构在衬底表面的投影图形与掺杂层在衬底表面的投影图形至少部分不重合；位于所述第一屏蔽结构上的电感线圈。所述电感器及其形成方法减小了电感器的能量损耗，提升了电感器的品质因数Q。
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公开(公告)号：CN117976650A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211296375.8
申请日：2022-10-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H10N97/00
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的电感结构，所述电感结构包括若干圈线圈，若干圈线圈呈螺旋状上升分布，若干圈线圈包括第一类线圈和第二类线圈，所述第一类线圈环绕所述第二类线圈，所述第二类线圈的宽度小于所述第一类线圈的宽度。所述半导体结构的品质因数得到提升。
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公开(公告)号：CN117913065A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211247198.4
申请日：2022-10-12
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/64
Abstract: 一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括：基底；至少1个屏蔽层，屏蔽层位于基底上，屏蔽层包括：第一导电结构和第二导电结构，其中平行基底表面的平面内，第二导电结构包围第一导电结构，且第二导电结构与第一导电结构电隔离；接地环，接地环位于基底上，平行基底表面的平面内，接地环包围至少1个屏蔽层。仅有第二导电结构接地，位于感应磁场更强的中心的第一导电结构并未接地，浮置的第一导电结构能够有效增大接地屏蔽结构的电阻，有效抑制衬底损耗，有利于品质因数Q值的提高。
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公开(公告)号：CN117832203A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211213059.X
申请日：2022-09-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括基底和位于基底上的器件层，所述器件层内具有器件结构和导电层；位于衬底上的第一电极层；位于衬底上的侧电极层，所述侧电极层与所述第一电极层相邻，且所述侧电极层与所述第一电极层之间具有间隙；位于部分第一电极层上的介电层，所述介电层还延伸至所述第一电极层和侧电极层之间的间隙内；位于第一电极层上的介电层上的第二电极层。所述半导体结构的电容密度得到提升。
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公开(公告)号：CN117476595A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210858001.4
申请日：2022-07-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64
Abstract: 一种电容器件及其形成方法，其中结构包括：各层所述第一金属层位于相邻层的第二金属层之间，所述第一金属层包括若干第一电极层和若干第二电极层，所述若干第一电极层和所述若干第二电极层均分别平行于第一方向且沿第二方向排布，各第一电极层位于相邻的第二电极层之间，各所述第二金属层包括若干第三电极层和若干第四电极层，所述若干第三电极层和所述若干第四电极层均分别行于第二方向且沿第一方向排布，且各第三电极层位于相邻的第四电极层之间，若干第一导电插塞使所述若干第一电极层和所述若干第三电极层电连接，若干第二导电插塞使所述若干第二电极层和所述若干第四电极层电连接，有利于提高电容器件的品质因数，提高电容器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117374049A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210763840.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种测试结构及其形成方法、测试方法，其中测试结构包括：位于所述若干待测器件一侧的第一焊盘阵列，所述第一焊盘阵列包括第一焊盘组以及位于所述第一焊盘组两侧的第二焊盘组，所述第一焊盘组和所述第二焊盘组沿第二方向排布，所述第二方向与所述第一方向相互垂直，第一焊盘组包括若干沿第一方向排布的第一信号焊盘，第二焊盘组包括若干沿第一方向排列的第二信号焊盘和接地焊盘，各所述第二信号焊盘位于相邻接地焊盘之间，相邻所述第一信号焊盘和所述第二信号焊盘相对于所述第一方向倾斜排布，相邻所述第一信号焊盘与所述接地焊盘相对于所述第一方向倾斜排布,一个所述接地焊盘为两个或三个待测器件共用，减少了测试结构的面积。
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公开(公告)号：CN117038650A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210468722.4
申请日：2022-04-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的底层金属结构；位于底层金属结构上的第一介质层；位于底层金属结构上的第一开口结构，第一开口结构包括第一凹槽和位于第一凹槽顶部的第二凹槽，第一凹槽在衬底上的投影位于第二凹槽在衬底上的投影范围内；位于底层金属结构上第一介质层内的第二开口结构，第二开口结构包括第三凹槽和位于第三凹槽顶部的第四凹槽，第三凹槽在衬底上的投影位于第四凹槽在衬底上的投影范围内，第三凹槽暴露出底层金属结构顶部表面，第一凹槽的深度小于第三凹槽的深度；位于第一凹槽内的第一插塞结构；位于第三凹槽内的第二插塞结构；位于第二凹槽内和第四凹槽内的第一金属结构。所述结构的电容增大。
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公开(公告)号：CN108022913B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610942121.7
申请日：2016-11-01
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种变压器，包括：衬底；第一线圈结构，包括：第一单层线圈以及第一叠层线圈；第二线圈结构，包括：第二单层线圈以及第二叠层线圈。本发明技术方案可以通过垂直所述衬底表面方向上，所述第一单层线圈和所述第二单层线圈之间实现。所以本发明技术方案能够有效的增加所述第一线圈结构和所述第二线圈结构之间电磁耦合的面积，从而提供电磁耦合效率。在相同的耦合要求情况下，本发明技术方案可以减少所述第一叠层线圈和所述第二叠层线圈的数量，从而能够有效的减小所述第一线圈结构和所述第二线圈结构的面积，减小所述变压器面积。
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公开(公告)号：CN106856142B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510907939.0
申请日：2015-12-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种电感结构及其制作方法，电感结构，包括：底部环状金属层，包括相连接的第一接口、第一金属体层和第二接口；位于底部环状金属层层上方的中间金属层，包括相连接的第三接口、第二金属体层和第四接口，所述第二金属体层从第三接口呈螺旋环状延伸至第三接口，其中所述第三接口位于螺旋环内，第三接口与第二接口电连接，第四接口作为电感结构的输出端；位于中间金属层层上方的顶部环状金属层，包括相连接的第五接口、第三金属体层和第六接口，所述第六接口与中间金属层的第三接口电连接，所述第五接口与底部环状金属层的第一接口电连接一起作为电感结构的输入端。本发明的电感结构在保证品质因子，减小占据的面积，并保证电感电性的对称性能。
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公开(公告)号：CN103474415B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210184958.1
申请日：2012-06-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/10 , H01L21/76897 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电感及其形成方法，其中，电感包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方重叠设置的第一平面螺旋线圈、第二平面螺旋线圈和第三平面螺旋线圈，包括最外圈金属线、以及与最外圈金属线连接的内圈金属线，其中，内圈金属线包括至少2根相互隔离的子金属线，子金属线的一端分别与最外圈金属线连接，最外圈金属线的另一端与第一接触层连接；第一导电栓塞两端分别连接第一平面螺旋线圈和第二平面螺旋线圈内圈的子金属线的一端连接；第二导电栓塞两端分别连接第二平面螺旋线圈和第三平面螺旋线圈内圈的子金属线的一端连接；第一导电栓塞与第二导电栓塞连接；第一平面螺旋线圈和和第三平面螺旋线圈的最外圈金属线的一端连接。所述电感的品质因数Q提高。
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