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公开(公告)号：CN119212548A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310772178.7
申请日：2023-06-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H10N97/00 , H01L23/522 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括第一孔定位和第二孔定位；第一电极层，位于基底上；第一介质层，覆盖第一电极层；第二电极层，覆盖第一介质层，且在第一孔定位处，第二电极层具有露出第一介质层顶部的第一凹槽；第二介质层，覆盖第二电极层；第三电极层，覆盖第二介质层，且在第二孔定位处，第三电极层具有露出第二介质层顶部的第二凹槽；第一通孔互连结构，位于第一孔定位处，并贯穿第一电极层、第一介质层、第二介质层和第三电极层，与第一电极层和第三电极层电连接；第二通孔互连结构，位于第二孔定位处的第一介质层上，并贯穿第二电极层和第二介质层，与第二电极层电连接。本发明有利于提高半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN118870966A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310485888.1
申请日：2023-04-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H10N97/00
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括第一金属层和位于第一金属层上的第一介质层；第一电极层，位于第一介质层上，第一电极层相对于第一介质层具有露出第一介质层顶部凹口；第二介质层，覆盖部分第一电极层、且露出其余第一电极层顶部；第二电极层，覆盖第二介质层；第二金属层，位于第二电极层上方，第二金属层包括第一子金属层、第二子金属层和第三子金属层，第一子金属层与第二电极层电连接，第二子金属层通过第一电极层的凹口处与第一金属层电连接，第三子金属层与第一电极层电连接。本发明增加电容密度，从而有利于提高半导体结构的工作性能。
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公开(公告)号：CN118800766A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310395866.6
申请日：2023-04-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/64 , H10N97/00 , H01L23/552
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括沿第一方向排布的器件区和加载区；线圈器件，位于器件区中；第一信号焊垫，位于加载区中；第一信号引线，电连接第一信号焊垫和线圈器件，第一信号引线包括并联的多个子引线。本发明有利于减小因第一信号引线的电阻过大，而在将整体电阻减去第一信号引线和信号焊垫的电阻时，增大换算误差的概率，有利于提高电阻去嵌准确性，进而有利于提高对器件线圈参数量测的精准度。
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公开(公告)号：CN118073050A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211412271.9
申请日：2022-11-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种电感元件，包括：衬底；线圈结构，所述线圈结构位于所述衬底上；所述线圈结构包括：2n个具有串联开口的金属环，其中n为大于1的整数；2n个所述金属环沿所述线圈结构的几何中心的周向分布，且所述金属环的串联开口均朝向所述线圈结构的几何中心；2n个所述金属环串联，且相邻所述金属环传输电流方向相反。相邻金属环所形成的磁场方向相反，因此在相邻金属环之间磁场强度相等且磁场方向相反的位置相邻金属环所形成的磁场相互抵消，磁场相互抵消的位置越多，所述电感元件的抗干扰性能越强。
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公开(公告)号：CN117878089A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211228038.5
申请日：2022-10-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H10N97/00
Abstract: 一种电容结构，所述电容结构包括：第一极板、中间绝缘层、第二极板；电极金属结构包括：多个电极金属段；第一插塞组包括：至少1个第一插塞；第二插塞组包括：至少1个第二插塞；沿所述第二方向H，至少1个所述第一插塞组位于相邻的2个所述第二插塞组之间，从而能够有效降低第一极板的连接电阻、缩短电流通道，能够有效提高所述电容结构的Q值；而且与不同插塞相连的电极金属段之间也能构成电容，能够有效提高所述电容结构的电容值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117878088A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211227456.2
申请日：2022-10-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H10N97/00
Abstract: 一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括：基底，所述基底包括衬底；多个有源区，所述多个有源区分布于所述衬底内；多个多晶硅栅条，多个所述多晶硅栅条分布于所述多个有源区上；第一导电结构，所述第一导电结构位于所述多个多晶硅栅条上，所述第一导电结构包括：多个第一金属段，其中至少2个所述第一金属段串联；接地环，所述接地环包围所述第一导电结构且与所述第一导电结构电连接。使第一金属段连串，能够有效增大所述第一导电结构的电阻，从而增大所述接地屏蔽结构的整体电阻，能够有效抑制衬底损耗、提高品质因数。
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公开(公告)号：CN117673048A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211016693.4
申请日：2022-08-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：屏蔽结构，包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的第一金属线，部分第一金属线与其余部分第一金属线分别进行接地，第一方向垂直于第二方向；保护环，环绕屏蔽结构，保护环中具有开口，用于将保护环分为沿第一方向相间隔的保护半环，部分第一金属线与其余部分第一金属线分别与相间隔的保护半环电连接，保护环接地。本发明有利于提高半导体结构的工作性能。
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公开(公告)号：CN117673029A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211058513.9
申请日：2022-08-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/64
Abstract: 一种接地屏蔽结构和半导体器件，接地屏蔽结构包括：衬底；屏蔽阵列，屏蔽阵列包括：多个呈阵列排布的屏蔽单元，屏蔽单元包括：有源区，有源区位于衬底内；多晶硅结构，多晶硅结构位于有源区上；第一导电结构，第一导电结构位于多晶硅结构上，第一导电结构和有源区和多晶硅结构均电连接。接地环，接地环包围屏蔽阵列。有源区和多晶硅结构的面积更小，能够有效提高衬底的电阻，以抑制衬底涡流。
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公开(公告)号：CN117577623A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210929342.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H10N97/00
Abstract: 一种电容器结构及其形成方法，其中结构包括：包括：若干中间电极层，每层中间电极层包括：第一中间电极端和第二中间电极端；位于第一中间电极端和第二中间电极端之间的若干第一中间指状极板，第一中间指状极板包括：若干第一分割段和若干第二分割段；相邻上下层的第一分割段和第二分割段具有正对区域。由于第一分割段和第二分割段之间的间隙可通过光刻工艺控制在较小的范围，因此能够保证第一分割段和第二分割段之间、以及第一指状插塞和第二指状插塞之间具有较大的存储密度，以此提升电容器结构的存储密度。
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公开(公告)号：CN117577622A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210927850.0
申请日：2022-08-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H10N97/00
Abstract: 一种电容器结构及其形成方法，其中结构包括：包括：衬底；若干中间电极层，中间电极层包括：平行排布的第一中间电极端和第二中间电极端；位于第一中间电极端和第二中间电极端之间的若干第一中间指状极板，第一中间指状极板包括：若干相互分立的第一分割段和第二分割段。由于第一分割段和第二分割段之间的间隙可通过光刻工艺控制在较小的范围，因此能够保证第一分割段和第二分割段之间具有较大的存储密度，以此提升电容器结构的存储密度。
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