公开(公告)号：CN100468692C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610029909.5

申请日：2006-08-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘蓓 ,  洪中山 ,  隋建国 ,  金贤在

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

Abstract: 一种与非型快闪存储器选择栅的制造方法，包括下列步骤：在晶圆上沉积多晶硅导电层；对多晶硅导电层进行抛光；在多晶硅导电层表面涂覆光阻；将光罩上的图形转移至光阻上，定义选择栅；经过显影后，将限定选择栅位置的光阻留下，而其余光阻则被去除；对光阻去除部分的多晶硅导电层进行刻蚀；去除选择栅位置的光阻；对晶圆上的多晶硅导电层进行整体刻蚀；形成选择栅。上述在多晶硅导电层表面光阻上定义选择栅后再进行刻蚀过程，完全解决了曝光过程中光阻残留与剥落的情况。

公开(公告)号：CN101123209A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200610029909.5

申请日：2006-08-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘蓓 ,  洪中山 ,  隋建国 ,  金贤在

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

Abstract: 一种与非型快闪存储器选择栅的制造方法，包括下列步骤：在晶圆上沉积多晶硅导电层；对多晶硅导电层进行抛光；在多晶硅导电层表面涂覆光阻；将光罩上的图形转移至光阻上，定义选择栅；经过显影后，将限定选择栅位置的光阻留下，而其余光阻则被去除；对光阻去除部分的多晶硅导电层进行刻蚀；去除选择栅位置的光阻；对晶圆上的多晶硅导电层进行整体刻蚀；形成选择栅。上述在多晶硅导电层表面光阻上定义选择栅后再进行刻蚀过程，完全解决了曝光过程中光阻残留与剥落的情况。

公开(公告)号：CN101367504A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200710044973.5

申请日：2007-08-17

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘蓓

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种具有微镜的微电子机械系统的制作方法，该方法包括以下步骤：在一基体上依次形成电路层、一氧化层及一铰链层；形成一第一牺牲层，该第一牺牲层覆盖该电路层、该氧化层及该铰链层，且在第一牺牲层上形成一第二牺牲层，该第二牺牲层是BPSG层；在BPSG层中形成第一开口，以露出部分的铰链层；在BPSG层上形成图案化金属层，且使金属层覆盖该第一开口露出的部分铰链层；在图案化金属层上形成第二开口，以露出部分BPSG层；通过该第二开口去除该第二牺牲层和该第一牺牲层。

公开(公告)号：CN101450786B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200710094407.5

申请日：2007-12-07

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘蓓

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种微机电系统压力传感器的制作方法，包括下列步骤：在半导体衬底中形成压力腔开口；在半导体衬底上键合绝缘体上硅基片，形成压力腔，所述绝缘体上硅基片包括顶层硅层、埋氧层和衬底硅层，其中顶层硅与半导体衬底键合；去除衬底硅层至露出埋氧层；在埋氧层上形成氧化硅层；蚀刻氧化硅层和埋氧层至露出顶层硅层，形成与后续敏感电阻位置对应的开口；沿开口向顶层硅层注入离子，形成敏感电阻；在氧化硅层上形成导电层，且导电层填充满开口，形成与敏感电阻连通的电极。本发明还提供一种微机电系统压力传感器。本发明的敏感膜厚度和敏感电阻位置可以精确控制，从而提高压力传感器的灵敏度和线性度。

公开(公告)号：CN101450786A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710094407.5

申请日：2007-12-07

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘蓓

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种微机电系统压力传感器的制作方法，包括下列步骤：在半导体衬底中形成压力腔开口；在半导体衬底上键合绝缘体上硅基片，形成压力腔，所述绝缘体上硅基片包括顶层硅层、埋氧层和衬底硅层，其中顶层硅与半导体衬底键合；去除衬底硅层至露出埋氧层；在埋氧层上形成氧化硅层；蚀刻氧化硅层和埋氧层至露出顶层硅层，形成与后续敏感电阻位置对应的开口；沿开口向顶层硅层注入离子，形成敏感电阻；在氧化硅层上形成导电层，且导电层填充满开口，形成与敏感电阻连通的电极。本发明还提供一种微机电系统压力传感器。本发明的敏感膜厚度和敏感电阻位置可以精确控制，从而提高压力传感器的灵敏度和线性度。

公开(公告)号：CN101367504B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200710044973.5

申请日：2007-08-17

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘蓓

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种具有微镜的微电子机械系统的制作方法，该方法包括以下步骤：在一基体上依次形成电路层、一氧化层及一铰链层；形成一第一牺牲层，该第一牺牲层覆盖该电路层、该氧化层及该铰链层，且在第一牺牲层上形成一第二牺牲层，该第二牺牲层是BPSG层；在BPSG层中形成第一开口，以露出部分的铰链层；在BPSG层上形成图案化金属层，且使金属层覆盖该第一开口露出的部分铰链层；在图案化金属层上形成第二开口，以露出部分BPSG层；通过该第二开口去除该第二牺牲层和该第一牺牲层。