公开(公告)号：CN101458443A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200710094458.8

申请日：2007-12-13

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 肖德元 ,  隋建国 ,  刘永

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/68

Abstract: 一种光掩模版制作方法，包括：将布局对准标记图案写入光掩模版上，形成掩模版对准标记图案；将布局半导体器件图案写入所述光掩模版上，形成与所述掩模版对准标记图案相邻的掩模版半导体器件图案。本发明还提供一种光掩模版和图形化的方法。本发明将掩模版半导体器件图案和掩模版对准标记图案做在同一光掩模版上，在晶圆半导体器件区域将光掩模版上掩模版半导体器件图案与之对准并曝光，在晶圆对准标记区域将光掩模版上的掩模版对准标记图案与之对准并曝光。简化了光刻步骤，节省了工艺时间及光掩模版材料。

公开(公告)号：CN100468692C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610029909.5

申请日：2006-08-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘蓓 ,  洪中山 ,  隋建国 ,  金贤在

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

Abstract: 一种与非型快闪存储器选择栅的制造方法，包括下列步骤：在晶圆上沉积多晶硅导电层；对多晶硅导电层进行抛光；在多晶硅导电层表面涂覆光阻；将光罩上的图形转移至光阻上，定义选择栅；经过显影后，将限定选择栅位置的光阻留下，而其余光阻则被去除；对光阻去除部分的多晶硅导电层进行刻蚀；去除选择栅位置的光阻；对晶圆上的多晶硅导电层进行整体刻蚀；形成选择栅。上述在多晶硅导电层表面光阻上定义选择栅后再进行刻蚀过程，完全解决了曝光过程中光阻残留与剥落的情况。

公开(公告)号：CN101123209A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200610029909.5

申请日：2006-08-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘蓓 ,  洪中山 ,  隋建国 ,  金贤在

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

Abstract: 一种与非型快闪存储器选择栅的制造方法，包括下列步骤：在晶圆上沉积多晶硅导电层；对多晶硅导电层进行抛光；在多晶硅导电层表面涂覆光阻；将光罩上的图形转移至光阻上，定义选择栅；经过显影后，将限定选择栅位置的光阻留下，而其余光阻则被去除；对光阻去除部分的多晶硅导电层进行刻蚀；去除选择栅位置的光阻；对晶圆上的多晶硅导电层进行整体刻蚀；形成选择栅。上述在多晶硅导电层表面光阻上定义选择栅后再进行刻蚀过程，完全解决了曝光过程中光阻残留与剥落的情况。