公开(公告)号：CN119212548A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202310772178.7

申请日：2023-06-27

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 尹悦 ,  王晓东 ,  神兆旭 ,  吕晶晶

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括第一孔定位和第二孔定位；第一电极层，位于基底上；第一介质层，覆盖第一电极层；第二电极层，覆盖第一介质层，且在第一孔定位处，第二电极层具有露出第一介质层顶部的第一凹槽；第二介质层，覆盖第二电极层；第三电极层，覆盖第二介质层，且在第二孔定位处，第三电极层具有露出第二介质层顶部的第二凹槽；第一通孔互连结构，位于第一孔定位处，并贯穿第一电极层、第一介质层、第二介质层和第三电极层，与第一电极层和第三电极层电连接；第二通孔互连结构，位于第二孔定位处的第一介质层上，并贯穿第二电极层和第二介质层，与第二电极层电连接。本发明有利于提高半导体结构的性能。

公开(公告)号：CN119673924A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202311212634.9

申请日：2023-09-19

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 尹悦 ,  神兆旭 ,  吕晶晶

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基底；第一电极层，位于基底上，第一电极层上形成有电极凸部；第一介质层，覆盖在电极凸部顶部和侧壁上、以及电极凸部侧部的第一电极层上；第二电极层，覆盖在第一介质层上，第二电极层中形成有露出电极凸部顶部的第一介质层的第一开口；第二介质层，覆盖在第二电极层上、以及第一开口露出的第一介质层上；第三电极层，覆盖在第二介质层上，第三电极层中形成有露出第二介质层顶部的第二开口，第二开口和第一开口在基底上的投影位于不同位置；第一开口处的第一通孔互连结构，第一电极层和第三电极层通过第一通孔互连结构电连接；第二开口处的第二通孔互连结构，第二电极层与第二通孔互连结构电连接。

公开(公告)号：CN119447089A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202310945967.6

申请日：2023-07-28

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  王西宁 ,  钱蔚宏 ,  尹悦 ,  吕晶晶

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/552 ,  H01L23/64 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括衬底和位于衬底上的屏蔽金属层；伪金属层，位于基底上、且位于屏蔽金属层上方；接地环，位于基底上、且环绕伪金属层，接地环具有开口，接地环与屏蔽金属层电连接，接地环用于接地；电容器，位于伪金属层上方、且位于屏蔽金属层正上方。本发明有利于提高半导体结构的品质因子。