公开(公告)号：CN101207036A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610147809.2

申请日：2006-12-22

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 程卫华 ,  叶彬 ,  曾红林

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

摘要： 一种通孔刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；执行一各向异性刻蚀制程，在所述通孔刻蚀基底上刻蚀通孔；沉积牺牲层，所述牺牲层填充所述通孔；刻蚀所述牺牲层，以暴露通孔开口；执行一各向同性刻蚀制程，以使所述通孔开口具有圆角结构；去除所述牺牲层。首先采用各向异性刻蚀通孔，继而再采用各向同性的方法扩大通孔开口，可形成具有圆角开口的通孔结构，相比具有尖角开口的通孔结构，对具有相同深宽比的通孔，更不易在开口处形成沉积材料的堆积。

公开(公告)号：CN1202569C

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02101550.3

申请日：2002-01-09

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 程卫华

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供一种在铜镶嵌制程中表成MIM电容器的方法。在晶体管上覆盖绝缘层，且于其中形成民点接触窗和接触窗后，于其上方表成叠层绝缘材质结构。在此叠层绝缘材质结构中形成贯穿的第一开口，并暴露出接触窗。并且，于此叠层绝缘村质结构的下半部中形成至少一个第二开口，其中之一暴露出节点接触窗，并于叠层绝缘材质结构的上半部中形成一个第二开口，此第二开口涵盖于所有的第二开口上方。之后于第二开口和第三开口中形成MIM电容器。其上电极和下电极均为铜金属，其电容器介电层由上下两层阻障层所夹层。而第一开口则同时形成铜插塞。

公开(公告)号：CN1431698A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN02101550.3

申请日：2002-01-09

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 程卫华

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供一种在铜镶嵌制程中形成MIM电容器的方法。在电晶体上覆盖绝缘层，且于其中形成节点接触窗和接触窗后，于其上方形成叠层绝缘材质结构。在此叠层绝缘材质结构中形成贯穿的第一开口，并暴露出接触窗。并且，于此叠层绝缘材质结构的下半部中形成至少一个第二开口，其中之一暴露出节点接触窗，并于叠层绝缘材质结构的上半部中形成一个第二开口，此第二开口涵盖于所有的第二开口上方。之后于第二开口和第三开口中形成MIM电容器，其上电极和下电极均为铜金属，其电容器介电层由上下两层阻障层所夹层。而第一开口则同时形成铜插塞。

公开(公告)号：CN100517606C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610147809.2

申请日：2006-12-22

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 程卫华 ,  叶彬 ,  曾红林

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

摘要： 一种通孔刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；执行一各向异性刻蚀制程，在所述通孔刻蚀基底上刻蚀通孔；沉积牺牲层，所述牺牲层填充所述通孔；刻蚀所述牺牲层，以暴露通孔开口；执行一各向同性刻蚀制程，以使所述通孔开口具有圆角结构；去除所述牺牲层。首先采用各向异性刻蚀通孔，继而再采用各向同性的方法扩大通孔开口，可形成具有圆角开口的通孔结构，相比具有尖角开口的通孔结构，对具有相同深宽比的通孔，更不易在开口处形成沉积材料的堆积。

公开(公告)号：CN101295665A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200710039800.4

申请日：2007-04-23

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 程卫华 ,  曾红林 ,  叶彬

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 一种喇叭状接触的制作方法，包括如下步骤：在已经形成有源结构和隔离以及金属硅化物的硅衬底上形成第一绝缘层；再形成第二绝缘层；形成光刻胶，并光刻、显影形成光刻胶的接触孔图案；刻蚀第二和第一绝缘层，形成接触孔；回拉光刻胶；刻蚀第二绝缘层和第一绝缘层形成喇叭状接触孔，所述刻蚀采用第二绝缘层/第一绝缘层选择性比高的气体进行刻蚀；去除光刻胶；填充接触金属，并平坦化；形成金属间电介质层，并刻蚀出金属线图案；填充第一金属，并平坦化；继续其他制程。该方法制作的喇叭状接触可以防止铜金属的扩散。