-
公开(公告)号：CN103681506B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210356068.4
申请日：2012-09-20
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/8238
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有隔离结构的半导体衬底，所述隔离结构将所述半导体衬底分为NMOS区和PMOS区，且所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成第一侧壁；在所述半导体衬底上依次形成第二侧壁氧化物层和具有高应力的氮化物层；去除所述具有高应力的氮化物层，在所述半导体衬底上形成另一氮化物层；蚀刻所述另一氮化物层，其中，所述氧化物层和所述另一氮化物层共同构成所述第一侧壁外侧的第二侧壁。根据本发明，可以使双应力记忆过程更好地与现有半导体器件制造流程相兼容，在器件密度不断增大的情况下，更为容易地实现器件性能的提升。
-
公开(公告)号：CN103633025A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210299231.8
申请日：2012-08-21
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/8238
摘要： 一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相邻的第一区域和第二区域；在所述半导体衬底的第一区域表面形成第一栅极结构；在所述半导体衬底的第二区域表面形成第二栅极结构；在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第一应力氧化层、以及位于所述第一应力氧化层表面的第一应力氮化层，并进行第一次热退火；在第一次热退火后，去除第一应力氮化层，以及所述第一栅极结构和第二栅极结构顶部表面的第一应力氧化层；之后，在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第三掩膜层，以形成应力层。所形成的半导体器件性能稳定。
-
公开(公告)号：CN100517606C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610147809.2
申请日：2006-12-22
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/522
摘要： 一种通孔刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；执行一各向异性刻蚀制程，在所述通孔刻蚀基底上刻蚀通孔；沉积牺牲层，所述牺牲层填充所述通孔；刻蚀所述牺牲层，以暴露通孔开口；执行一各向同性刻蚀制程，以使所述通孔开口具有圆角结构；去除所述牺牲层。首先采用各向异性刻蚀通孔，继而再采用各向同性的方法扩大通孔开口，可形成具有圆角开口的通孔结构，相比具有尖角开口的通孔结构，对具有相同深宽比的通孔，更不易在开口处形成沉积材料的堆积。
-
公开(公告)号：CN103633025B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210299231.8
申请日：2012-08-21
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/8238
摘要： 一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相邻的第一区域和第二区域；在所述半导体衬底的第一区域表面形成第一栅极结构；在所述半导体衬底的第二区域表面形成第二栅极结构；在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第一应力氧化层、以及位于所述第一应力氧化层表面的第一应力氮化层，并进行第一次热退火；在第一次热退火后，去除第一应力氮化层，以及所述第一栅极结构和第二栅极结构顶部表面的第一应力氧化层；之后，在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第三掩膜层，以形成应力层。所形成的半导体器件性能稳定。
-
公开(公告)号：CN102468172B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201010543458.3
申请日：2010-11-12
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的半导体衬底中形成有源极和漏极，所述源极和漏极两侧形成有浅沟槽隔离结构；执行前非晶化离子注入工艺；执行氧离子处理工艺；湿法清洗所述半导体衬底；在所述栅极、源极和漏极表面形成自对准硅化物。该氧离子处理工艺可修复由前非晶化离子注入工艺导致的浅沟槽隔离结构的损伤，使得在进行湿法清洗步骤时，该浅沟槽隔离结构的边缘不会被损失掉，能够避免漏电流的增加，提高半导体器件的性能。
-
公开(公告)号：CN118016523A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202211407650.9
申请日：2022-11-10
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 本申请实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底、鳍部、伪栅结构，源漏掺杂结构，伪栅结构的侧面和源漏掺杂结构的顶面构成第一沟槽；形成保形覆盖第一沟槽的第一保护层；在第一沟槽的侧壁形成牺牲层，以及在牺牲层的侧壁形成隔离层；暴露第一沟槽底部的源漏掺杂结构；在第一沟槽内形成与源漏掺杂结构电连接的源漏电极；去除源漏电极两侧的牺牲层，在隔离层与第一保护层之间形成空气侧墙；形成覆盖源漏电极的空气覆盖层，其中，空气覆盖层仅覆盖空气侧墙的顶部；在空气覆盖层上形成第一介质层，第一介质层与源漏电极的顶部齐平。本申请实施例提供的半导体结构的形成方法，可以提高半导体工艺形成的器件性能。
-
公开(公告)号：CN105448715B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201410276851.9
申请日：2014-06-19
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构；在半导体衬底的将要形成源/漏区的部分中形成弓状凹槽；执行高温退火处理，使弓状凹槽转变为U型凹槽；蚀刻所述高温退火后形成的U型凹槽，以形成∑状凹槽，并对∑状凹槽实施低温退火处理；在∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层。根据本发明，可以进一步提升∑状凹槽轮廓的分布均匀性以及后续工艺形成的嵌入式锗硅层的厚度的均一性，降低选择性外延生长锗硅的温度，进而进一步增强嵌入式锗硅层对器件沟道区所施加的压应力，也可以改善器件电性能在晶圆内分布的均匀性。
-
公开(公告)号：CN103681506A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210356068.4
申请日：2012-09-20
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823864 , H01L29/7843 , H01L29/7848
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有隔离结构的半导体衬底，所述隔离结构将所述半导体衬底分为NMOS区和PMOS区，且所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成第一侧壁；在所述半导体衬底上依次形成第二侧壁氧化物层和具有高应力的氮化物层；去除所述具有高应力的氮化物层，在所述半导体衬底上形成另一氮化物层；蚀刻所述另一氮化物层，其中，所述氧化物层和所述另一氮化物层共同构成所述第一侧壁外侧的第二侧壁。根据本发明，可以使双应力记忆过程更好地与现有半导体器件制造流程相兼容，在器件密度不断增大的情况下，更为容易地实现器件性能的提升。
-
公开(公告)号：CN101928947A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910054020.6
申请日：2009-06-26
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0381 , H01L2224/05624
摘要： 本发明提供了一种铝焊盘的制作工艺，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的主动表面上具有金属互连线；在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层以及第一绝缘材料层；刻蚀所述第一绝缘材料层以及刻蚀阻挡层，在与金属互连线对应的位置形成开口；在所述开口内以及第一绝缘材料层上形成金属铝层；去除第一绝缘材料层上的金属铝层，形成与金属互连线电连接的铝焊盘；在所述的第一绝缘材料层上形成第二绝缘材料层；清洗所述铝焊盘，清洗所述铝焊盘的清洗液含有H2SO4，H2O，H2O2，其中H2SO4的体积百分比含量为3～10％，H2O2的体积百分比含量为5～20％，其余为H2O。所述方法可防止铝焊盘在清洗之后被腐蚀。
-
公开(公告)号：CN101295665A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710039800.4
申请日：2007-04-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 一种喇叭状接触的制作方法，包括如下步骤：在已经形成有源结构和隔离以及金属硅化物的硅衬底上形成第一绝缘层；再形成第二绝缘层；形成光刻胶，并光刻、显影形成光刻胶的接触孔图案；刻蚀第二和第一绝缘层，形成接触孔；回拉光刻胶；刻蚀第二绝缘层和第一绝缘层形成喇叭状接触孔，所述刻蚀采用第二绝缘层/第一绝缘层选择性比高的气体进行刻蚀；去除光刻胶；填充接触金属，并平坦化；形成金属间电介质层，并刻蚀出金属线图案；填充第一金属，并平坦化；继续其他制程。该方法制作的喇叭状接触可以防止铜金属的扩散。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.041 秒)
