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公开(公告)号：CN104570593A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310520177.X
申请日：2013-10-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 本发明提供一种涂层材料的光刻方法，包括：在半导体衬底上涂敷第一涂层；对所述第一涂层进行曝光；在所述第一涂层上涂敷第二涂层；对所述第二涂层进行曝光；对所述第一涂层和第二涂层进行显影，形成上宽下窄的开口；对所述第一涂层和第二涂层进行高温烘烤工艺。通过两次涂敷和曝光工艺形成上宽下窄的开口，以使经过高温工艺的涂层材料如聚酰亚胺的图案轮廓良好（无边缘尖端突起），提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104570593B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201310520177.X
申请日：2013-10-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 本发明提供一种涂层材料的光刻方法，包括：在半导体衬底上涂敷第一涂层；对所述第一涂层进行曝光；在所述第一涂层上涂敷第二涂层；对所述第二涂层进行曝光；对所述第一涂层和第二涂层进行显影，形成上宽下窄的开口；对所述第一涂层和第二涂层进行高温烘烤工艺。通过两次涂敷和曝光工艺形成上宽下窄的开口，以使经过高温工艺的涂层材料如聚酰亚胺的图案轮廓良好（无边缘尖端突起），提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104795355B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410027745.7
申请日：2014-01-21
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种硅通孔结构的制备方法，包括如下步骤：提供一具有硅通孔的半导体结构，于所述硅通孔中填充金属后，进行第一热处理工艺；继续进行第一研磨工艺后，进行第二热处理工艺，使得位于所述硅通孔中的金属凸起；采用第二研磨工艺对所述金属进行平坦化处理后，继续后续金属层结构的制备工艺；其中，所述第一热处理工艺的温度低于所述第二热处理工艺的温度。采用本发明的技术方案，预先通过高温热处理工艺使得硅通孔中金属的晶格更加稳定，所以在高温下进行金属层沉积及后续的制程时，硅通孔金属的体积不会再发生很大的变化而保持平整的状态，从而防止了硅通孔金属扩散现象的发生，进而提高了半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105990377A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510046868.X
申请日：2015-01-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种CMOS图像传感器及其形成方法。其中，所述CMOS图像传感器包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的光电转换元件和CMOS器件层；覆盖所述半导体衬底、光电转换元件和CMOS器件层的层间介质层；位于所述层间介质层上的金属间介质层，所述金属间介质层内具有金属互连层；其特征在于，还包括：位于所述光电转换元件上方的通孔，所述通孔贯穿所述金属间介质层和至少部分厚度的所述层间介质层；密封所述通孔顶部开口的透明基板；位于所述透明基板上的滤色层。所述CMOS图像传感器的光响应灵敏度提高。
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公开(公告)号：CN104465629B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201310438676.4
申请日：2013-09-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提出一种无源器件结构及其形成方法，在电容结构的表面形成有电荷吸附层，所述电荷吸附层紧贴连接线，所述电荷吸附层能够吸附电荷，在进行后续工艺时，产生的电荷均能够由电荷吸附层将电荷导出，避免电荷聚积在所述电容结构中，从而能够保护电容结构不被损伤，进而能够提高无源器件的性能。
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公开(公告)号：CN104795355A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410027745.7
申请日：2014-01-21
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/768 , H01L21/324 , H01L21/76838 , H01L21/7684
摘要： 本发明公开了一种硅通孔结构的制备方法，包括如下步骤：提供一具有硅通孔的半导体结构，于所述硅通孔中填充金属后，进行第一热处理工艺；继续进行第一研磨工艺后，进行第二热处理工艺，使得位于所述硅通孔中的金属凸起；采用第二研磨工艺对所述金属进行平坦化处理后，继续后续金属层结构的制备工艺；其中，所述第一热处理工艺的温度低于所述第二热处理工艺的温度。采用本发明的技术方案，预先通过高温热处理工艺使得硅通孔中金属的晶格更加稳定，所以在高温下进行金属层沉积及后续的制程时，硅通孔金属的体积不会再发生很大的变化而保持平整的状态，从而防止了硅通孔金属扩散现象的发生，进而提高了半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105990377B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201510046868.X
申请日：2015-01-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种CMOS图像传感器及其形成方法。其中，所述CMOS图像传感器包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的光电转换元件和CMOS器件层；覆盖所述半导体衬底、光电转换元件和CMOS器件层的层间介质层；位于所述层间介质层上的金属间介质层，所述金属间介质层内具有金属互连层；其特征在于，还包括：位于所述光电转换元件上方的通孔，所述通孔贯穿所述金属间介质层和至少部分厚度的所述层间介质层；密封所述通孔顶部开口的透明基板；位于所述透明基板上的滤色层。所述CMOS图像传感器的光响应灵敏度提高。
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公开(公告)号：CN104465629A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310438676.4
申请日：2013-09-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提出一种无源器件结构及其形成方法，在电容结构的表面形成有电荷吸附层，所述电荷吸附层紧贴连接线，所述电荷吸附层能够吸附电荷，在进行后续工艺时，产生的电荷均能够由电荷吸附层将电荷导出，避免电荷聚积在所述电容结构中，从而能够保护电容结构不被损伤，进而能够提高无源器件的性能。
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公开(公告)号：CN104465608A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310435687.7
申请日：2013-09-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本发明提供一种MIM电容器及其制造方法，所述MIM电容器包括作为MIM电容器的下电极层、极间电介质以及上电极层，所述上电极层包括钛、氮化钛、钽、氮化钽中的至少两种。本发明的MIM电容器及其制造方法，通过钛、氮化钛、钽、氮化钽中的至少两种形成的新的上电极层来取代现有技术中的铝层或者铝和氮化钛双层结构，避免了上电极层沉积过程中由于铝本身物理特性以及铝层平整性等引起的电弧放电缺陷，进而提高半导体集成电路的成品率。
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