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公开(公告)号：CN102110671B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910247495.7
申请日：2009-12-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
CPC classification number: H01L27/027
Abstract: 一种静电放电保护装置，包括：第一主保护晶体管和第二主保护晶体管，以及包含第一电极和第二电极的电阻，其中，第一主保护晶体管的漏区、第二主保护晶体管的漏区、电阻的第一电极与静电放电保护装置的输入端电连接；其特征在于，还包括：辅助保护晶体管，电阻的第二电极与辅助保护晶体管的漏区以及被保护电路的输入端电连接，辅助保护晶体管包括多个晶体管器件；辅助保护晶体管的衬底上还形成有第一多晶硅区，所述第一多晶硅区与衬底间通过介电层隔离；所述多个晶体管器件的每一个栅区与第一多晶硅区相连接，至少部分第一多晶硅区位于衬底中的有源区内；导电类型相同的多个晶体管器件的每一个栅区与对应的第一多晶硅区均被偏置到相同的电位。
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公开(公告)号：CN101329695A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710042459.8
申请日：2007-06-22
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种建立应用于噪声的MOS管模型的方法，包括，测量不同晶粒上的MOS管的噪声；根据所得到的MOS管的噪声值，建立噪声分布图；至少添加一个原有噪声模型文件中的噪声参数的变化量到MOS管库文件中来对MOS管进行噪声仿真；如果仿真结果不能够覆盖噪声分布图中的数据，则继续改变噪声参数的变化量的值进行仿真直到仿真结果能够覆盖噪声分布图中的噪声数据；如果仿真结果能够覆盖噪声分布图中的数据，则将相应的噪声参数的变化量的值代入到MOS管库文件中作为应用于噪声的MOS管模型。通过本发明方法得到的应用于噪声的模型能够较精确地模拟真实情况。
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公开(公告)号：CN1996593A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610023162.2
申请日：2006-01-04
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: 本发明公开了一种用于静电放电保护的系统和方法。该系统包括多个晶体管。这多个晶体管包括多个栅极区域、多个源极区域和多个漏极区域。多个源极区域和多个漏极区域位于衬底中的有源区内部，并且有源区至少与衬底中的隔离区域相邻。另外，该系统包括多晶硅区域。多晶硅区域经由介电层与衬底相隔离，并且多晶硅区域与多个栅极区域中的每一个交叉。多晶硅区域的至少一部分在有源区上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101105518B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610028787.8
申请日：2006-07-10
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种半导体器件漏电流检测方法，包括：获得漏极电流与栅极电压关系曲线；将所述漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第一峰值和第二峰值的跨导与栅极电压关系曲线；计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
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公开(公告)号：CN101546257A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200810035098.9
申请日：2008-03-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种测试算法文档加载方法，用于将一测试算法文档加载至一半导体测试软件的测试算法数据库中。现有技术直接在半导体测试软件所提供的测试算法添加设定界面上进行测试算法的设定，当测试算法所包括的输入变量、输出变量和设备变量的总数量过大时易发生测试算法的设定失败的事情。本发明的测试算法文档加载方法先建立一测试算法文档；然后提供一转换模块以将测试算法文档转换成可直接加载至测试算法数据库的文档；最后将转换所得的文档加载至测试算法数据库中。采用本发明可避免测试算法失败的事情发生，进而提高半导体测试软件的可靠性及测试算法文档的可读性。
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公开(公告)号：CN101089642A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200610027696.2
申请日：2006-06-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种加速热载流子注入测试方法，包括以下步骤：a分别测量不同温度下的在不同偏置电压下漏极电流、衬底电流相对时间的曲线；b设定失效条件，将达到该失效条件的时间称为失效时间；c将失效时间与漏极饱和电流之积和衬底电流与漏极饱和电流之商在坐标上绘出得出它们相互之间的关系式；d.将失效时间与温度在坐标上绘出得出它们之间相互关系；e.在低温下进行失效试验，根据失效时间与温度的关系推出其他温度下的失效时间。本发明能够加快测量时间迅速地获得预测寿命结果。
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公开(公告)号：CN101089642B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200610027696.2
申请日：2006-06-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种加速热载流子注入测试方法，包括以下步骤：a.分别测量不同温度下的在不同偏置电压下漏极电流、衬底电流相对时间的曲线；b.设定失效条件，将达到该失效条件的时间称为失效时间；c.将失效时间与漏极饱和电流之积和衬底电流与漏极饱和电流之商在坐标上绘出得出它们相互之间的关系式；d.将失效时间与温度在坐标上绘出得出它们之间相互关系；e.在低温下进行失效试验，根据失效时间与温度的关系推出其他温度下的失效时间。本发明能够加快测量时间迅速地获得预测寿命结果。
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公开(公告)号：CN102110671A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910247495.7
申请日：2009-12-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: H01L27/027
Abstract: 一种静电放电保护装置，包括：第一主保护晶体管和第二主保护晶体管，以及包含第一电极和第二电极的电阻，其中，第一主保护晶体管的漏区、第二主保护晶体管的漏区、电阻的第一电极与静电放电保护装置的输入端电连接；其特征在于，还包括：辅助保护晶体管，电阻的第二电极与辅助保护晶体管的漏区以及被保护电路的输入端电连接，辅助保护晶体管包括多个晶体管器件；辅助保护晶体管的衬底上还形成有第一多晶硅区，所述第一多晶硅区与衬底间通过介电层隔离；所述多个晶体管器件的每一个栅区与第一多晶硅区相连接，至少部分第一多晶硅区位于衬底中的有源区内；导电类型相同的多个晶体管器件的每一个栅区与对应的第一多晶硅区均被偏置到相同的电位。
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