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公开(公告)号：CN106856121A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510906559.5
申请日：2015-12-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种电感结构及其形成方法，其中所述电感结构包括：基底，所述基底表面具有接地端；位于基底上方的若干层堆叠的金属屏蔽层，上下层金属屏蔽层相互电连接，最底层的金属屏蔽层与接地端电连接，每一层金属屏蔽层包括相互断开的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分均包括若干平行的半圆金属线，若干平行的半圆金属线电连接在一起；位于最上层金属屏蔽层上方的电感层。本发明的电感结构抑制了电感层与基底之间交互噪音的产生，并增加了单位面积内的金属层的密度，满足设计的标准和工艺的要求。
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公开(公告)号：CN104241242A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310232109.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/19042 , H01L2924/19051 , H01L2924/19104 , H01L2924/00
Abstract: 一种接地屏蔽结构及半导体器件，其中接地屏蔽结构包括：衬底；位于所述衬底上的介质层；位于所述衬底或介质层中的多环导电环，每个导电环具有多个开口，所述开口数大于等于3，每个导电环的多个开口将导电环隔开为多个间隔排列的子导电环；接地环，与所有所述子导电环电连接。使用本发明的接地屏蔽结构，减小了接地屏蔽结构的寄生电容和寄生电阻，降低了位于接地屏蔽结构上的电感在接地屏蔽结构中的能量损耗，提高了电感的品质因数Q值。而且，还减少了多环导电环的材料损耗，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN100576217C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710042134.X
申请日：2007-06-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种变容器电容-电压模型及其形成装置和方法、使用方法，根据方程y＝(A1-A2)/(1+e(x-x0)/dx)+A2，A1为自变量x取最小值时的因变量y值；A2为自变量x取最大值时的因变量y值；所述x值为变容器的电压；所述y值为变容器的电容值。本发明通过根据变容器的栅极条的长度L及宽度W，确定中的参数A1和A2的值，降低了电容-电压实验数据与电容-电压模型曲线之间的误差；降低了变容器的实验数据的S参数与根据模型曲线计算获得的S参数之间的误差；降低了变容器的品质因子Q的实验数据与模型曲线之间的误差。
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公开(公告)号：CN101105518A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200610028787.8
申请日：2006-07-10
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种半导体器件漏电流检测方法，包括：获得漏极电流与栅极电压关系曲线；将所述漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第一峰值和第二峰值的跨导与栅极电压关系曲线；计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
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公开(公告)号：CN108022913B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610942121.7
申请日：2016-11-01
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种变压器，包括：衬底；第一线圈结构，包括：第一单层线圈以及第一叠层线圈；第二线圈结构，包括：第二单层线圈以及第二叠层线圈。本发明技术方案可以通过垂直所述衬底表面方向上，所述第一单层线圈和所述第二单层线圈之间实现。所以本发明技术方案能够有效的增加所述第一线圈结构和所述第二线圈结构之间电磁耦合的面积，从而提供电磁耦合效率。在相同的耦合要求情况下，本发明技术方案可以减少所述第一叠层线圈和所述第二叠层线圈的数量，从而能够有效的减小所述第一线圈结构和所述第二线圈结构的面积，减小所述变压器面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106856142B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510907939.0
申请日：2015-12-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种电感结构及其制作方法，电感结构，包括：底部环状金属层，包括相连接的第一接口、第一金属体层和第二接口；位于底部环状金属层层上方的中间金属层，包括相连接的第三接口、第二金属体层和第四接口，所述第二金属体层从第三接口呈螺旋环状延伸至第三接口，其中所述第三接口位于螺旋环内，第三接口与第二接口电连接，第四接口作为电感结构的输出端；位于中间金属层层上方的顶部环状金属层，包括相连接的第五接口、第三金属体层和第六接口，所述第六接口与中间金属层的第三接口电连接，所述第五接口与底部环状金属层的第一接口电连接一起作为电感结构的输入端。本发明的电感结构在保证品质因子，减小占据的面积，并保证电感电性的对称性能。
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公开(公告)号：CN104952853B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410116374.X
申请日：2014-03-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种图案化接地屏蔽(PGS)结构，该PGS结构包括内部金属堆叠结构，并且该金属堆叠结构位于电感线圈的底部。根据本发明提出的PGS结构能够在较高频率范围内提高Q值大小，内部金属层的金属密度由0％增加到6.3％，提高了后端制程工艺的均匀性。
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公开(公告)号：CN103474415B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210184958.1
申请日：2012-06-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/10 , H01L21/76897 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电感及其形成方法，其中，电感包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方重叠设置的第一平面螺旋线圈、第二平面螺旋线圈和第三平面螺旋线圈，包括最外圈金属线、以及与最外圈金属线连接的内圈金属线，其中，内圈金属线包括至少2根相互隔离的子金属线，子金属线的一端分别与最外圈金属线连接，最外圈金属线的另一端与第一接触层连接；第一导电栓塞两端分别连接第一平面螺旋线圈和第二平面螺旋线圈内圈的子金属线的一端连接；第二导电栓塞两端分别连接第二平面螺旋线圈和第三平面螺旋线圈内圈的子金属线的一端连接；第一导电栓塞与第二导电栓塞连接；第一平面螺旋线圈和和第三平面螺旋线圈的最外圈金属线的一端连接。所述电感的品质因数Q提高。
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公开(公告)号：CN102222702B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201010154752.5
申请日：2010-04-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种电容器及其形成方法，所述电容器包括：多个伪电极，形成于半导体基底上且呈阵列排布；介质层，形成于所述伪电极和半导体基底表面上；第一电极和第二电极，形成于所述介质层上，所述第一电极和第二电极间填充有绝缘物。本发明改善了电容器的失配问题。
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公开(公告)号：CN102487056A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010568256.4
申请日：2010-12-01
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 程仁豪
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种集成电路中的虚拟金属，应用在各层集成电路板中，其形状尺寸为加工工艺最小尺度，所述虚拟金属为“十”字形。一种含有所述的虚拟金属的集成电路板的制造方法，包括以下步骤：在一层集成电路板中成型所述虚拟金属；在接下来一层集成电路板中，在与前一层所述虚拟金属垂直于集成电路板方向上的投影相互错开的位置，成型所述虚拟金属。本发明的集成电路中的虚拟金属可以减小涡流的产生，可和减少Q值降低幅度，即可以使由设有本发明的虚拟金属加工得到的集成电路例如射频集成电路、压控振荡器以及低噪音放大器等电感器件的Q值减小幅度有所降低，减少磁损。
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