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公开(公告)号：CN102117731B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910248082.0
申请日：2009-12-31
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/34491 , G05B2219/37224 , G05B2219/37522 , G05B2219/37533 , H01L22/20 , Y02P90/22
摘要： 本发明实施例提供一种半导体工艺生产过程中测量数据的监测方法和装置，该方法包括：从实时系统中定期更新晶圆性能参数测量数据至分析数据库中；根据预先设定的待分析性能参数信息和选用的分析规则信息，依照选用的分析规则对测量数据覆盖的时间范围的需求，从分析数据库中取出满足分析规则需求的时间范围内的待分析性能参数的测量数据；判断从分析数据库中取出的性能参数的测量数据是否违反了所述选用的分析规则的控制范围，如果违反，则针对该违反选用分析规则的控制范围的性能参数发送告警信息。通过本发明实施例提供的方法和装置能够对晶圆的性能参数的测量数据进行自动监控，并且能够自动发现发生异常的性能参数。
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公开(公告)号：CN105574039B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201410549126.4
申请日：2014-10-16
IPC分类号： G06F16/25
摘要： 本发明公开了一种晶圆测试数据的处理方法，包括：提供待测晶圆，对待测晶圆进行晶圆测试，获取该待测晶圆的第一测试数据组；于第一测试数据组中提取并整理部分数据，以形成第二测试数据组；对第二测试数据组进行运算操作，得到监控测试数据；对第二测试数据组和监控测试数据进行格式标准化转换操作后，生成一标准数据集合，对该标准数据集合进行压缩操作，并将压缩后的标准数据集合存储至一数据库中。本发明还公开了一种晶圆测试数据的处理系统，为工厂产品部门的产品质量监控和分析提供数据支持，在保证数据数量和质量的前提下，既能兼顾数据存储的效率，又能提高存储资源的利用率。
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公开(公告)号：CN105574039A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410549126.4
申请日：2014-10-16
IPC分类号： G06F17/30
摘要： 本发明公开了一种晶圆测试数据的处理方法，包括：提供待测晶圆，对待测晶圆进行晶圆测试，获取该待测晶圆的第一测试数据组；于第一测试数据组中提取并整理部分数据，以形成第二测试数据组；对第二测试数据组进行运算操作，得到监控测试数据；对第二测试数据组和监控测试数据进行格式标准化转换操作后，生成一标准数据集合，对该标准数据集合进行压缩操作，并将压缩后的标准数据集合存储至一数据库中。本发明还公开了一种晶圆测试数据的处理系统，为工厂产品部门的产品质量监控和分析提供数据支持，在保证数据数量和质量的前提下，既能兼顾数据存储的效率，又能提高存储资源的利用率。
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公开(公告)号：CN102376599B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201010253589.8
申请日：2010-08-10
摘要： 本发明提供了一种合格晶粒分布图的生成方法，包括如下步骤：获取针对同一片晶圆的探针测试结果和缺陷检测结果；设置第三坐标系，在所述第三坐标系中定义晶粒的探针测试结果分布区域，将缺陷检测结果转换到所述第三坐标系中；对于表示在所述第三坐标系中每一个晶粒所在的坐标位置，将探针测试的指示值与缺陷检测的指示值进行逻辑运算，得到该坐标位置最终的指示值；根据晶圆上的每一个晶粒的最终指示值确定该晶粒的显示方式并生成合格晶粒分布图。本发明还提供了一种合格晶粒分布图的生成装置。本发明方案可以很大程度上减少了人工操作，大大提高了晶圆测试和出货的效率和精确性。
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公开(公告)号：CN102117730B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200910248081.6
申请日：2009-12-31
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种半导体制造过程中机台参数数据的处理方法和装置，该方法包括：定期将实时系统中的从上次更新后产生的机台参数数据更新到离线数据库中；测试系统获取各批晶圆的性能参数的测试数据；接收相关性分析的任务请求；根据所述相关性分析的任务请求，从离线数据库中取出需要进行相关性分析的机台参数数据，并依据晶圆批次，将需要进行相关性分析的同一晶圆批次的机台参数数据和所述测试系统中的性能参数测试数据组合在一起；依据所述相关性分析的任务请求，对所述组合在一起的机台参数数据和性能参数测试数据进行相关性分析，得到晶圆性能参数与机台参数之间的相关性系数，找出相关性系数大于第一阈值的机台参数。
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公开(公告)号：CN102376599A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010253589.8
申请日：2010-08-10
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种合格晶粒分布图的生成方法，包括如下步骤：获取针对同一片晶圆的探针测试结果和缺陷检测结果；设置第三坐标系，在所述第三坐标系中定义晶粒的探针测试结果分布区域，将缺陷检测结果转换到所述第三坐标系中；对于表示在所述第三坐标系中每一个晶粒所在的坐标位置，将探针测试的指示值与缺陷检测的指示值进行逻辑运算，得到该坐标位置最终的指示值；根据晶圆上的每一个晶粒的最终指示值确定该晶粒的显示方式并生成合格晶粒分布图。本发明还提供了一种合格晶粒分布图的生成装置。本发明方案可以很大程度上减少了人工操作，大大提高了晶圆测试和出货的效率和精确性。
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公开(公告)号：CN102121907A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010022611.8
申请日：2010-01-08
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G01N21/88
摘要： 本发明公开了一种自动检测晶圆缺陷的方法和系统，该方法包括以下步骤：将晶圆载入检测机台；获取晶圆的产品信息，产品信息可以包括晶圆的尺寸以及晶圆上管芯的的数量、大小和位置的信息；利用检测机台检测晶圆上的管芯，检测包括检测管芯是否具有缺陷以及当检测出缺陷管芯时检测缺陷管芯的坐标，检测进一步包括检测缺陷管芯的缺陷类型；将检测结果自动生成为结果文件。本发明还公开了用于实施上述方法的系统。通过本发明的这种自动检测晶圆缺陷的方法和系统，解决了现有技术中人工输入有缺陷管芯容易出错的问题，并且大大提供了检测效率。
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公开(公告)号：CN102117731A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910248082.0
申请日：2009-12-31
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/34491 , G05B2219/37224 , G05B2219/37522 , G05B2219/37533 , H01L22/20 , Y02P90/22
摘要： 本发明实施例提供一种半导体工艺生产过程中测量数据的监测方法和装置，该方法包括：从实时系统中定期更新晶圆性能参数测量数据至分析数据库中；根据预先设定的待分析性能参数信息和选用的分析规则信息，依照选用的分析规则对测量数据覆盖的时间范围的需求，从分析数据库中取出满足分析规则需求的时间范围内的待分析性能参数的测量数据；判断从分析数据库中取出的性能参数的测量数据是否违反了所述选用的分析规则的控制范围，如果违反，则针对该违反选用分析规则的控制范围的性能参数发送告警信息。通过本发明实施例提供的方法和装置能够对晶圆的性能参数的测量数据进行自动监控，并且能够自动发现发生异常的性能参数。
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公开(公告)号：CN102117730A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910248081.6
申请日：2009-12-31
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种半导体制造过程中机台参数数据的处理方法和装置，该方法包括：定期将实时系统中的从上次更新后产生的机台参数数据更新到离线数据库中；测试系统获取各批晶圆的性能参数的测试数据；接收相关性分析的任务请求；根据所述相关性分析的任务请求，从离线数据库中取出需要进行相关性分析的机台参数数据，并依据晶圆批次，将需要进行相关性分析的同一晶圆批次的机台参数数据和所述测试系统中的性能参数测试数据组合在一起；依据所述相关性分析的任务请求，对所述组合在一起的机台参数数据和性能参数测试数据进行相关性分析，得到晶圆性能参数与机台参数之间的相关性系数，找出相关性系数大于第一阈值的机台参数。
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