公开(公告)号：CN102194655B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201010131837.1

申请日：2010-03-15

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 王邕保 ,  郭玉洁

IPC分类号： H01L21/00

摘要： 本发明公开了一种半导体工艺机台参数优化调整的方法，包括以下步骤：根据半导体工艺环境中的各机台的参数的统计数据确定半导体工艺环境中的参数最优机台，令半导体工艺环境中的机台的参数与参数最优机台的参数匹配。根据本发明的方法可以有效解决现有技术无法有效且可靠地查找和判定生产环境中参数最优机台的问题，通过有效且可靠地查找和判定生产环境中参数最优机台，并将生产环境中的其余机台的参数按照参数最优机台及匹配判定标准进行调整，可以极大地提高所生产的产品的质量和生产效率，同时还可以极大地节约生产成本。

公开(公告)号：CN106972010A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610020760.8

申请日：2016-01-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 郭玉洁 ,  张伟

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/75

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供基底，在所述基底上依次形成底部电极层、绝缘层和顶部电极层；在所述顶部电极层上沉积形成缓冲层，其中，所述缓冲层具有与所述顶部电极层相接近的热膨胀系数；在所述缓冲层上形成阻挡层。根据本发明的制造方法，在顶部电极层与阻挡层TiN之间增加一层Ti，由于Ti与金属AlCu的热膨胀系数接近，因此可以使得Al和Ti能更好的粘合在一起，而不会在之后的工艺中将上层的TiN阻挡层挤裂，而使光阻流入下层的顶部电极层并与顶部电极层中的金属反应，进而避免了MIM局部刻蚀残留物缺陷的产生，提高了器件的良率和性能。

公开(公告)号：CN206697478U

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201720384979.6

申请日：2017-04-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 郭玉洁 ,  吕杨

IPC分类号： H01L23/544

摘要： 一种晶圆测试结构，包括：衬底，掺杂有第一类型的离子；第一栅极，掺杂有第一类型的离子；离子注入层，掺杂有第二类型的离子，第二类型的离子与第一类型的离子掺杂类型相反，离子注入层位于衬底和第一栅极之间；源极、漏极，位于离子注入层中，衬底、源极和第一栅极连接低电平，漏极连接高电平。

公开(公告)号：CN102194655A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010131837.1

申请日：2010-03-15

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 王邕保 ,  郭玉洁

IPC分类号： H01L21/00

摘要： 本发明公开了一种半导体工艺机台参数优化调整的方法，包括以下步骤：根据半导体工艺环境中的各机台的参数的统计数据确定半导体工艺环境中的参数最优机台，令半导体工艺环境中的机台的参数与参数最优机台的参数匹配。根据本发明的方法可以有效解决现有技术无法有效且可靠地查找和判定生产环境中参数最优机台的问题，通过有效且可靠地查找和判定生产环境中参数最优机台，并将生产环境中的其余机台的参数按照参数最优机台及匹配判定标准进行调整，可以极大地提高所生产的产品的质量和生产效率，同时还可以极大地节约生产成本。