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公开(公告)号：CN111048317A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911383573.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低压软态腐蚀铝箔的方法，所述方法包括如下步骤：S1.准备铝箔，并进行前处理；S2.电化学腐蚀：将铝箔在酸中进行加电腐蚀，腐蚀完成后进行水洗；S3.中处理：将铝箔作为阳极在己二酸铵溶液中加电处理；S4.水洗：将中处理后的铝箔用水清洗；S5.重复步骤S2～S4，至达到需要的铝箔腐蚀量；S6.经化学清洗后，进行水洗，再进行安定处理、高温烧片，得到腐蚀箔。步骤S1.中铝箔为待腐蚀的铝箔，也称为光箔。本发明的方法的中处理为利用己二酸铵进行加电处理，替代现有工艺中的纯化学法中处理，中处理原料能够长时间使用，避免使用氨或磷化合物，减少氮磷排放，成本较低，有利于环保，而且能够提升腐蚀箔的比容，相对于纯化学法中处理，能以相同厚度的铝箔得到更高的比容。
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公开(公告)号：CN107254708A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710486686.3
申请日：2017-06-23
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种低压阳极铝箔二段布孔的方法。本发明所述的递延阳极铝箔二段布孔的方法，包括以下步骤：S1：将铝箔置于盐酸和硫酸混合溶液A中，施加交流电进行表面布孔，得到一段布孔铝箔；S2：将S1中得到的一段布孔铝箔置于盐酸和硫酸混合溶液B中，施加交流电进行补充布孔；其中，步骤S1中交流电的频率低于步骤S2中交流电的频率。相对于现有技术，本发明提供的低压阳极铝箔二段布孔的方法，避免一次布孔过度，通过二段布孔，提高布孔的均匀性，保证后续的腐蚀深入表面状态一致，有效提高指定电压段阳极铝箔的比容。
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公开(公告)号：CN117790190A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311819895.7
申请日：2023-12-26
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低压电极箔及其制备方法和应用，属于铝箔技术领域。低压电极箔的制备方法，包括如下步骤：前处理：电化学腐蚀；后处理；烧片处理；其中，电化学腐蚀药液温度为6～45℃，电化学腐蚀次数N≥10次；交流电的波形包括第一波形和第二波形；第一波形的正半周为正弦波，第一波形的负半周为三角波；第二波形为方波和梯形波，方波的施加时间为第二波形总施加时间的1/8～1/3。本发明的低压电极箔，具有较高的比容，最佳适用区间为35WV工作电压以下的产品。
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公开(公告)号：CN105957717A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610364213.1
申请日：2016-05-26
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种中高压阳极箔的多段多次发孔方法，依次包括以下步骤：先对铝箔进行前处理；然后1)将铝箔置于含硫酸和氯离子的电解腐蚀液中，对铝箔施加直流电以进行一次电解腐蚀发孔；2)将经过电解腐蚀发孔的铝箔置于含硫酸和氯离子的化学腐蚀液中，使铝箔进行一次化学腐蚀；3)依次循环步骤1)和2)至少一次。相对于现有技术一次发孔的方法，本发明通过多次对铝箔施加直流电进行电解腐蚀发孔，并在每次电解腐蚀发孔后，都进行一次化学腐蚀，能使铝箔达到均匀并适合密度的发孔状态。本发明的方法易于实现和控制。
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公开(公告)号：CN119121365A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411159984.8
申请日：2024-08-22
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于低压腐蚀箔技术领域，具体涉及一种低压腐蚀箔的后处理方法。所述后处理方法包括对经腐蚀、酸洗、第一次水洗处理后的铝箔，进行如下操作：S1.去除堵塞腐蚀孔洞的氢氧化铝层处理；S2.在pH为5～6.5的酸和水的混合溶液中浸泡2～4min，第二次水洗，再进行烧片处理。本发明所述后处理方法至少可连续处理80天不会造成反应槽设备的堵塞，且制备获得的低压腐蚀箔具有较高的比容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116952974A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310915496.4
申请日：2023-07-24
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，属于电容器用电极箔制造技术领域。检测低压电极箔腐蚀层缺陷的方法，包括如下步骤：S1.一级化成；S2.反向加电：将经过一级化成的箔片己二酸铵溶液中，箔片接电源负极，极板接电源正极，施加直流电处理；S3.二级化成；S4.热处理；S5.三级化成；S6.烘干；S7.切割箔片，观察箔片被切割处，有脱层现象，即判定低压电极箔腐蚀层有缺陷。本发明的腐蚀箔生产出来后对其进行化成，在化成过程中使用反向加电，对腐蚀层进行破坏，在腐蚀箔生产出来后可以尽快检测出腐蚀层是否会有缺陷。
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公开(公告)号：CN115725915A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211531272.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光箔晶粒控制方法及电解电容器用阳极箔的制备方法，涉及电解电容器技术领域。本发明的光箔晶粒控制方法，包括如下步骤：S1.将光箔样品至于退火炉中，退火炉抽真空至真空度为50～100Pa，快速升温至250℃，抽高真空至≤2Pa，保温2h，S2.保持真空度，快速升温到420℃，保持真空度向炉内持续充入惰性气体，流量为3～10L/min，保温2‑4h；S3.缓慢降温至250℃，充入空气保持正常大气压，然后快速降温到50～120℃出炉。本发明光箔晶粒控制方法通过退火过程真空度和升温速率的控制实现了晶粒大小及均匀度的控制，进而兼顾提升了腐蚀箔的比容和强度。
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公开(公告)号：CN113611539A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110791080.7
申请日：2021-07-13
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低压软态腐蚀阳极铝箔及其制备方法和应用。低压软态腐蚀阳极铝箔的制备方法包括如下步骤：S1电化学腐蚀：在酸中进行加电腐蚀，腐蚀完成后进行水洗；S2烧片处理：使铝箔的表面形成氧化膜；S3中处理：将铝箔在钝化液中钝化处理；S4水洗：将中处理后的铝箔用水清洗；S5重复步骤S1～S4，重复10～12次；S6经化学清洗后，进行水洗，再进行安定处理、烘干处理，得到低压软态腐蚀阳极铝箔，步骤S2中烧片温度为200～400℃，烧片的时间为0.3～1分钟。本发明低压软态腐蚀阳极铝箔在70V和140V下化成比容为18.3～19.97μf/cm2以及5.23～5.51μf/cm2。
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公开(公告)号：CN113470976A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110496501.3
申请日：2021-05-07
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
IPC: H01G9/055
Abstract: 本发明公开了一种改善低压阳极箔脆性的方法及制得的低压阳极箔。本发明方法包括在化成处理之前，对铝箔进行应力处理，经过应力处理后的铝箔表面具有宽度为0.5～5μm、深度为10～65μm的裂纹，相邻裂纹间的最小间距为50～150μm。本发明提供了一种改善低压阳极箔脆性的方法，通过在常规的低压阳极箔制造工序中，在铝箔化成处理前增加应力处理的工序，使得箔片表面出现密集细小的裂纹，从而低压阳极箔在弯折工序时，受到的挤压力可以通过缩小裂纹之间的空隙来进行分散，在维持铝箔原有厚度的前提下，大幅改善了低压阳极箔的脆性。
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公开(公告)号：CN106098380B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201610364885.2
申请日：2016-05-26
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高压阳极箔二级扩孔的孔形控制方法，包括以下步骤：将经过一级发孔腐蚀的铝箔置于含盐酸的A液中，施加电流进行扩孔腐蚀，处理时间为t1；再将处理后的铝箔置于含硝酸和磷酸的B液中，施加电流进行扩孔腐蚀，处理时间为t2；通过调整t1与t2之比控制铝箔的孔形。相对于现有技术，本发明提供的高压阳极箔二级扩孔的孔形控制方法能有效控制铝箔的孔形，得到扩孔后具备特定形状的隧道孔的铝箔，进而得到具有特定结构的高压阳极箔，使铝电解电容器达到不同的产品特性，满足铝电解电容器多元化的生产要求。而且，本发明提供高压阳极箔二级扩孔的孔形控制方法易于操作和实现。
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