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公开(公告)号：CN118064959A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410004430.4
申请日：2024-01-03
申请人： 乾晶半导体(衢州)有限公司
摘要： 本发明提供了一种改善晶体生长质量的方法，本发明在整个生长过程中，在碳化硅原料中按一定比例掺入硼(B)，并控制生长气氛中氮(N)的浓度呈梯度变化，从而实现氮和硼元素的共掺，如此可以形成最底层形核区的高掺杂浓度区到扩径区再过渡到快速生长部分，而快速生长部分的混合元素浓度满足导电型碳化硅衬底所需要的性能要求。
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公开(公告)号：CN117867638A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410004428.7
申请日：2024-01-03
申请人： 乾晶半导体(衢州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种借助铝热反应提升Si基溶液温度制备SiC的方法，将高纯Si料和铝热剂混合均匀后放置在石墨坩埚中，控制热场加热使溶液上部温度低于下部温度；待热场稳定后籽晶缓慢降至与Si基溶液体系接触，开启旋转提拉系统开始晶体生长，得到SiC单晶。本发明利用铝热反应产生的热量来升温粉料，并利用反应生成的Ti、Cr或者Fe元素作为助溶剂溶解C元素，通过调控A1元素比例，使其在完全反应后仍有Al结余来制备P型SiC晶体。反应生成的Al2O3在Si基溶液中以固相存在，不会对SiC晶体生长造成影响，减少了升温所需时间，解决了SiC晶体生长过程能耗消耗过高的问题，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN117535788B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410036950.3
申请日：2024-01-10
申请人： 乾晶半导体(衢州)有限公司
摘要： 本申请公开了一种单晶生长方法，包括：提供包括至少三个沿轴线依次堆叠设置装料层的单晶生长装置；向各装料层内装入单晶生长用的碳化硅原料，其中在顶部装料层内混合第一粉料，在底部装料层内混合含硅粉的第二粉料；控制加热源的加热区，使混合有第一粉料的碳化硅原料先升华；使升华高温区下移至中间装料层，让中间装料层的碳化硅原料升华；使升华高温区下移至底部装料层，使混合有第二粉料的碳化硅原料后升华。在第一粉料的掺杂作用下，使晶圆上形成压应力层，有效抑制位错的形成与发展。当单晶生长至后期时，当已生长的粉料中有部分碳源存在时，底部装料层的硅粉可以与中间装料层、顶部装料层原料升华后的碳源充分反应，防止形成碳包裹缺陷。
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公开(公告)号：CN117535788A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410036950.3
申请日：2024-01-10
申请人： 乾晶半导体(衢州)有限公司
摘要： 本申请公开了一种单晶生长方法，包括：提供包括至少三个沿轴线依次堆叠设置装料层的单晶生长装置；向各装料层内装入单晶生长用的碳化硅原料，其中在顶部装料层内混合第一粉料，在底部装料层内混合含硅粉的第二粉料；控制加热源的加热区，使混合有第一粉料的碳化硅原料先升华；使升华高温区下移至中间装料层，让中间装料层的碳化硅原料升华；使升华高温区下移至底部装料层，使混合有第二粉料的碳化硅原料后升华。在第一粉料的掺杂作用下，使晶圆上形成压应力层，有效抑制位错的形成与发展。当单晶生长至后期时，当已生长的粉料中有部分碳源存在时，底部装料层的硅粉可以与中间装料层、顶部装料层原料升华后的碳源充分反应，防止形成碳包裹缺陷。
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公开(公告)号：CN221522857U
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202420062140.0
申请日：2024-01-10
申请人： 乾晶半导体(衢州)有限公司
摘要： 本申请公开了一种装料层、储料组件及单晶生长装置，装料层具有储料槽及第一通孔，第一通孔沿装料层的轴线设置，储料槽的侧壁上具有若干与第一通孔连通的第一气孔。储料组件包括多个装料层；多个第一通孔堆叠形成气流通道；当原料升华时，第一气孔用于供升华气氛流入气流通道。单晶生长装置包括坩埚、设置在坩埚内部的储料组件、设置在坩埚顶部的籽晶以及设置在坩埚外周的加热源。本申请通过设置多层装料层，使原料受热和升华都更充分，提升了原料的利用率。升华气氛主要从中间的气流通道内流出，使得实际运用时，以及升华气氛先在气流通道上方形成晶圆，从而使生长的单晶质量的到提升，且更便于制备出优质的微凸形晶圆。
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公开(公告)号：CN221320157U
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202322552249.0
申请日：2023-09-20
申请人： 乾晶半导体(衢州)有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种PVT法生长碳化硅单晶的生长装置，包括生长坩埚，籽晶，生长坩埚盖与加热装置，所述生长坩埚盖的上部固定设置有第一升降装置，所述生长坩埚的下部固定设置有第二升降装置，所述生长坩埚与所述生长坩埚盖之间具有重叠的相对移动部分。本实用新型将传统结构的单一生长坩埚的的升降旋转的热场调节方式改由生长坩埚盖与生长坩埚埚体双重升降旋转结合的热场调节方式，通过这样的改变，使得生长过程中的热场的变化变得可控，料面距可控的灵活性大大提高，可以更精细的控制热场的轴径向温度梯度。使得晶体生长形核初期均匀形核，减少缺陷，提高晶体生长质量，同时另一方面能够大幅度的提高碳化硅粉料的利用率。
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