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发明公开
一种用于N型锗衬底的碱性抛光方法审中-实审

公开(公告)号：CN116544107A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310428695.2

申请日：2023-04-20

申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

发明人： 赵磊 , 魏海龙 , 杨春柳 , 阮开科 , 何孝刚 , 曹小贵 , 朱正根 , 周永健

IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种用于N型锗衬底的碱性抛光方法，包括以下步骤：S1，在相对恒定的环境下对晶片背面进行贴膜；S2，用碱性粗抛液对晶片进行粗抛处理；S3，用硫酸和去离子水清洗晶片、并甩干；S4，用碱性精抛液对晶片进行精抛处理；S5，用去离子水冲洗晶片；S6，将精抛后的晶片甩干。该方法能降低化学品的消耗量，且针对性地对锗N型半导体衬底提高抛光、清洗结果的合格率以及晶片表面的均匀性。