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公开(公告)号：CN111321469A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010262959.8
申请日：2020-04-07
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘及粘接方法，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，所述石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，然后使用粘接剂将籽晶粘接在改造后的粘接盘上，本发明所涉及的籽晶粘接盘结构减小了籽晶粘接应力，使得PVT方法生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低，晶体更容易与粘接盘分离。所需结构无须过高成本，却改善了晶体材料的质量，而且可以减少企业的生产成本，使得碳化硅材料在半导体领域的应用中发挥更好更高效的作用。
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公开(公告)号：CN212103066U
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202020485292.3
申请日：2020-04-07
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本实用新型涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，本实用新型所涉及的籽晶粘接盘结构减小了籽晶粘接应力，使得PVT方法生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低，晶体更容易与粘接盘分离。所需结构无须过高成本，却改善了晶体材料的质量，而且可以减少企业的生产成本，使得碳化硅材料在半导体领域的应用中发挥更好更高效的作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212103061U
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202020485258.6
申请日：2020-04-07
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本专利涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，所述单晶炉包括用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的石墨盘，和在所述晶体生长室外围的保温层，所述测温结构包括所述石墨盘中心设置通孔，通孔上镶嵌盖片形成的测温窗，以及设置于石墨盘上方保温层内和所述测温窗垂直贯穿的测温孔，使得测量温度的红外线能够穿过保温层和石墨盘，直接测量SiC晶体生长室内的温度，从而减小了生长温度的测量误差，使得PVT方法生长SiC单晶时的温度控制更精确，生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低。
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公开(公告)号：CN103061767B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310016762.6
申请日：2013-01-17
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种采矿方法，该采矿法的回采顺序为从上向下翻层，每个回采层为2－2.2m，回采层底部用物料进行充填，回采过程中随采随充填，该充填层作为下一个回采层的顶板，工作面推进方向由顶板向底板推进；生产过程中回采工作面保持最大控顶距离3.2米，最小控顶距2.2米，在每个回采层设置一至两层钢筋混凝土隔水层，隔水层向一侧倾斜，在下一个分层将水排到水仓，经矿井排水系统排出井外。该方法改变了传统的采矿工艺，采用下向分层的充填采矿法，回采效率提高，做到随采随充填，使采矿及冶炼过程中产生的废物得到充分利用，减少了排放污染物对环境造成的污染，减少了占用土地资源，基本杜绝了冒顶事故发生。
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公开(公告)号：CN104805316A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510226973.1
申请日：2015-05-07
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
IPC分类号： C22B41/00
摘要： 锗矿热还原挥发提取锗的方法，本发明属于有色金属冶金技术领域中的锗提取方法，尤其是一种采用次亚磷酸钠为还原剂从锗矿热还原挥发富集提取锗的工艺方法。本发明的方法是在锗矿中加入次亚磷酸钠，隔绝空气，升温进行焙烧挥发富集从而得到锗精矿的，加入2.5%的次亚磷酸钠在1000℃下焙烧挥发富集时锗的回收率超过了96%。本发明主要解决现有锗矿火法富集提取锗工艺生产中回收率难突破75%，而提锗炉渣的二次火法回收处理生产成本投入高、回收率低、因锗精矿品位低湿法处理成本高、等问题。
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公开(公告)号：CN104805315A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510226950.0
申请日：2015-05-07
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
摘要： 热还原挥发富集低品位锗精矿中锗的方法，属于冶金技术领域中的锗提取方法，尤其是一种从低品位锗精矿中还原挥发富集回收锗的方法。热还原挥发富集低品位锗精矿中锗的方法，该方法采用次亚磷酸钠为还原剂，将低品位的锗精矿和次亚磷酸钠混匀，放入还原挥发炉内，隔绝空气后，采用微波加热的方式，在900-1100℃的条件下，进行还原挥发，低品位锗精矿中的锗以一氧化锗的形式挥发进入收尘布袋中，从而使锗与其它大量的不挥发杂质成分分离，收集挥发份后，得到高含锗的锗精矿，将高含量采用在盐酸溶液中用二氧化锰氧化，盐酸加热浸出，然后蒸馏分离来提取锗。本方法具有较高的锗回收率，较低的生产成本，较小的设备投入，避免了大量的废水废气废渣的排放及处理，可彻底解决湿法处理带来的废酸废水废渣难处理的问题，能大幅降低提锗过程对环境造成的污染。
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公开(公告)号：CN104480328A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410711141.4
申请日：2014-12-01
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
摘要： 真空二次富集低品位褐煤锗精矿的方法，属于冶金技术领域中的锗提取方法，尤其是一种从低品位褐煤锗精矿真空富集回收锗的方法。本发明真空二次富集低品位褐煤锗精矿的方法，该方法采用将低品位的褐煤锗精矿以惰性气体为载体经真空挥发富集处理后，再进行二氧化锰、盐酸加热浸出，然后蒸馏分离来提取锗。本发明解决了现有火法提锗工艺处理得到的锗精矿品位下降，造成后工序氯化提锗生产成本大幅上升，所产生的三废（残酸、残渣、废气）的无害化处理压力大的问题。
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公开(公告)号：CN101186973A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610048817.1
申请日：2006-11-15
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 湿法从铬－锗合金废料中回收锗。本发明针对铬－锗合金中含有多种金属杂质，和铬－锗相互包裹及切割过程中，由于使用了有机溶剂而掺有大量的有机物质的废锗粉料，提供了一种回收锗的方法，用NaOH－H2O2溶解体系来破坏废料中的有机物，使其在NaOH中皂化，利用H2O2来氧化物料中裸露的锗金属使其变成离子进入溶液，然后利用盐酸中和过量的碱并蒸馏出溶出的锗，再用盐酸－MnO2体系中的盐酸与铬及部分金属杂质反应进入溶液，另一部分不与盐酸反应的金属杂质则被MnO2与盐酸反应生成的氯气氧化进入溶液，被这些杂质包裹的锗被释放出来与氯气反应，形成Ge4+离子，经二次蒸馏，Ge4+离子与氯离子结合形成四氯化锗逸出，从而与其他杂质分离。用本方法回收锗，回收率可达99％以上。
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公开(公告)号：CN101871047B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010191424.2
申请日：2010-06-04
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
CPC分类号： Y02P10/234
摘要： 本发明是一种有机锗废液中锗的回收方法。在有机锗废液中按质量比加入MgCl2和CaO，MgCl2∶Ge＝20～40∶1，CaO∶Ge＝30～50∶1，用NaOH溶液调整pH值＝11～12，进行锗的沉淀，沉淀锗经600～700℃灼烧获得含质量百分比Ge 3.0～4.5％的锗精矿，锗精矿经氯化蒸馏回收锗。本发明的有机锗废液中锗的回收方法，即采用氯化镁-氧化钙沉淀回收锗，减少了氯化镁的用量，降低了回收锗的生产成本，锗的回收率＞90％，有效的回收了锗。此方法每年可处理有机锗废液100m3，回收锗金属1吨余，创利税150万。取得了较好的经济效益；为从有机锗废液中回收锗建立了有效的工艺流程。
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公开(公告)号：CN101186974A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610048818.6
申请日：2006-11-15
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
CPC分类号： Y02P10/234
摘要： 湿法从锗废料中回收锗。本发明针对锗单晶或红外光学镜片在加工过程中，由于使用了清洁剂、抛光剂、润滑剂、冷却剂等物质，因而掺有大量的有机物质的废锗粉料，提供了一种回收锗的方法，包括先用氢氧化钠皂化有机物，在碱性条件下再用过氧化氢氧化从有机物包裹中裸露出来的锗，使其变成锗酸根离子进入溶液，蒸发浓缩掉溶液中多余的水分后，然后再用盐酸中和过量的氢氧化钠，使锗变成Ge4+，再用盐酸蒸馏溶液中的Ge4+，使锗以GeCl4的形式逸出，经冷凝接收后，按常规的工艺对GeCl4进行精馏水解而得到高纯二氧化锗，再经氢气还原和区域熔炼，制得高纯金属锗。用本方法回收锗，直收率能稳定在95％－98.5％，最高可达99％以上，回收率可达99.5％以上。
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