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发明公开
银和锗双金属共掺的铜锌锡硫薄膜、制备方法及太阳电池审中-实审

公开(公告)号：CN118448487A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410609717.X

申请日：2024-05-16

申请人： 云南师范大学

发明人： 王书荣 , 陈玉飞 , 苏旭 , 胡兴欢 , 张莹 , 吴浪

IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/042 , H01L21/02

摘要： 本发明属于薄膜太阳能电池材料技术领域，具体涉及银和锗双金属共掺的铜锌锡硫薄膜、制备方法及太阳电池。本发明通过同时掺入不同含量的银(Ag/(Ag+Cu)和锗(Ge/(Ge+Sn)获得前驱体溶液，之后通过旋转涂布法制备前驱体薄膜，再经高温退火得到吸收层薄膜，采用化学水浴法沉积硫化镉缓冲层，磁控溅射法制备窗口层，热蒸发法制备顶电极，该方法制备的铜锌锡硫薄膜结晶性良好，无二次相，不仅有高的开路电压，短路电流密度也有明显提升，最终基于银和锗双金属共掺制备出的铜锌锡硫薄膜太阳电池的光电转换效率达8.30％。