公开(公告)号：CN113638048B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202110802948.9

申请日：2021-07-15

申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司

发明人： 包文瑧 ,  柳廷龙 ,  赵兴凯 ,  普世坤 ,  何永彬 ,  叶晓达 ,  祝永成 ,  权忠朝

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B11/00

摘要： 本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350℃后排空炉内气压，待炉内温度降至约150℃后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。

公开(公告)号：CN113638048A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110802948.9

申请日：2021-07-15

申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司

发明人： 包文瑧 ,  柳廷龙 ,  赵兴凯 ,  普世坤 ,  何永彬 ,  叶晓达 ,  祝永成 ,  权忠朝

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B11/00

摘要： 本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350°后排空炉内气压，待炉内温度降至约150°后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。

公开(公告)号：CN109943889A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811357738.8

申请日：2018-11-15

申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 ,  昆明云锗高新技术有限公司 ,  云南鑫耀半导体材料有限公司

发明人： 李学洋 ,  柳廷龙 ,  米家蓉 ,  包文瑧 ,  普世坤 ,  张朋 ,  滕文

IPC分类号： C30B29/08 ,  C30B28/08

摘要： 超高纯度锗多晶的制备方法，提供一种通过多次区熔，有效提高锗多晶纯度的锗多晶超高纯度的制备方法。本发明的制备方法应用于锗多晶制备装置，该制备装置包括石英舟、石英管、区熔线圈、支架、进气管、排气管以及区熔小车，石英舟放置在石英管内，区熔线圈设置在支架上，石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间，进气管与排气管分别设置在石英管两端，区熔小车设置在石英管下方，石英舟内表面上涂有硅烟涂层，区熔线圈采用直径为12mm的紫铜管绕制成内三圈、外两圈的线圈，区熔线圈宽度为3cm。本发明通过新型的锗多晶制备装置进行区熔提纯，经过反复区熔提纯后，得到的高纯锗多晶纯度比较稳定，有效提高了锗多晶纯度。

公开(公告)号：CN109321976A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811357744.3

申请日：2018-11-15

申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 ,  昆明云锗高新技术有限公司 ,  云南鑫耀半导体材料有限公司

发明人： 普世坤 ,  李学洋 ,  董汝昆 ,  惠峰 ,  柳廷龙 ,  张朋 ,  钟文 ,  赵燕 ,  包文瑧 ,  滕文

IPC分类号： C30B29/08 ,  C30B13/00

摘要： 一种制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，涉及高纯半导体材料制备技术领域，尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。本发明的制备13N超高纯锗单晶的设备，其特征在于该设备包括石英舟、石英管、区熔线圈和区熔小车，石英舟放置在石英管内，区熔线圈设至在支架上，石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间，进气管与排气管分别设置在石英管两端，区熔小车设置在石英管下方。本发明的制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，结构简单，设计科学，使用方便，制备出的锗锭，纯度高，能够得到13N纯度的锗单晶，满足高精探测器使用。

公开(公告)号：CN215328462U

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202121613081.4

申请日：2021-07-15

申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司

发明人： 赵兴凯 ,  韦华 ,  叶晓达 ,  包文瑧 ,  韩家贤 ,  王顺金 ,  陈娅君 ,  祝永成 ,  柳廷龙 ,  黄平 ,  刘汉保

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B11/00

摘要： 本实用新型公开一种用于VGF磷化铟单晶生长炉内的炉芯，所述炉芯从内到外依次包括炉芯杆、高铝水泥层和湿毡层，所述炉芯杆包括圆柱形主杆和两条半圆形侧管，侧管对称设置于主杆两侧，并和主杆一体成型，炉芯杆为石英材质，所述侧管内置测温热电偶，且测温热电偶与炉芯杆活动连接，本实用新型的VGF法磷化铟单晶生长炉芯，设计科学，结构简单，使用方便，炉芯内测温热电偶位置可精确调整，使不同炉芯的测温点固定一致，增加了炉芯内测温的真实准确性，特别地，在测温热电偶失效后，可以自由拆卸测温热电偶进行维修或更换，提高了炉芯使用寿命，节约生产成本。

公开(公告)号：CN210012922U

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201920444888.6

申请日：2019-04-03

申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 ,  云南鑫耀半导体材料有限公司

发明人： 黄平 ,  刘汉保 ,  柳廷龙 ,  张朋 ,  张俊岭 ,  包文瑧 ,  高磊 ,  囤国超

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/40

摘要： 单晶料管装料及提取装置，涉及一种单晶料管生长技术领域,尤其涉及一种用于磷化铟单晶生长中使用的装料及提取装置。该装置包括手柄、螺母、加固杆、套筒固定杆、套筒、固定圆盘、垫圈、螺杆；其中，螺杆中间套入套筒，套筒向上依次套入套筒固定杆、加固杆以及螺母；套筒向下依次套入固定圆盘和垫圈，以及螺母。该装置构造简单，加工制造方便，材料要求低，制造成本低廉。