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公开(公告)号：CN105133019A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510659806.6
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞 , 祝永成
摘要： 一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN105951170A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610495202.7
申请日：2016-06-30
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/006 , C30B29/08
摘要： 本发明涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法，该装置垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。
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公开(公告)号：CN113638048B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110802948.9
申请日：2021-07-15
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350℃后排空炉内气压，待炉内温度降至约150℃后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。
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公开(公告)号：CN113638048A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110802948.9
申请日：2021-07-15
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350°后排空炉内气压，待炉内温度降至约150°后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。
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公开(公告)号：CN205688056U
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201620518771.4
申请日：2016-06-01
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： VGF锗单晶生长炉支撑底座，涉及一种底座，尤其是一种VGF锗单晶生长炉支撑底座。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于该装置由横杆、底板、活动块、散热孔和细圆棒构成；底板通过内六角螺栓固定在两根横杆之间，活动块拼接在底板侧面，底板与活动块相对的一侧都具有一个半圆孔，两者通过外六角螺栓连接构成一个圆孔，底板中间设置散热孔，两根细圆棒通过U型卡槽固定在散热孔的两侧。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，在保证能平稳、牢固地支撑炉芯、石英管及炉套的情况下，也能固定好石英棒与测温热电偶，且安装方便，使用简单，稳固性好，散热性好，实用性高，适合用在不同尺寸的VGF炉中。
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公开(公告)号：CN215328462U
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202121613081.4
申请日：2021-07-15
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本实用新型公开一种用于VGF磷化铟单晶生长炉内的炉芯，所述炉芯从内到外依次包括炉芯杆、高铝水泥层和湿毡层，所述炉芯杆包括圆柱形主杆和两条半圆形侧管，侧管对称设置于主杆两侧，并和主杆一体成型，炉芯杆为石英材质，所述侧管内置测温热电偶，且测温热电偶与炉芯杆活动连接，本实用新型的VGF法磷化铟单晶生长炉芯，设计科学，结构简单，使用方便，炉芯内测温热电偶位置可精确调整，使不同炉芯的测温点固定一致，增加了炉芯内测温的真实准确性，特别地，在测温热电偶失效后，可以自由拆卸测温热电偶进行维修或更换，提高了炉芯使用寿命，节约生产成本。
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公开(公告)号：CN205915428U
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201620584184.5
申请日：2016-06-16
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 圆形石英棉切割工具，涉及一种切割工具，尤其是一种圆形石英棉切割工具。圆形石英棉切割工具，其特征在于该装置由手柄、管体、固定环和刀口构成，管体为中空圆柱形管材，手柄对称固定在管体的管壁之上，管体底端设置固定环，刀口通过固定螺丝安装在固定环底部。本实用新型的圆形石英棉切割工具，设计科学，结构简单，使用方便，简化了保温棉的制作过程，保温棉外形尺寸制作准确，提高了保温棉的制作效率。
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公开(公告)号：CN205774917U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620667264.7
申请日：2016-06-30
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉，垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。
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公开(公告)号：CN205917343U
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201620584182.6
申请日：2016-06-16
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 可拆分VGF单晶生长坩埚中环，涉及一种装料装置部件，尤其是一种可拆分VGF单晶生长坩埚中环。可拆分VGF单晶生长坩埚中环，该中环放置于上层坩埚与下层坩埚中间，上层坩埚与下层坩埚放置在石英管内，其特征在于该中环由石英外环、石英斜面和石英横杆组成，石英斜面放置于石英外环内，石英斜面上设置石英横杆,石英横杆抵在石英管管壁上，起固定作用。可拆分VGF单晶生长坩埚中环，设计科学，使用方便，有效降低成本，并且由于石英斜面和石英横杆可以重复利用，大幅提高了单位时间内的加工效率，对企业提高效率、降低成本有重要作用。
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