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公开(公告)号:CN116555597A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310434404.0
申请日:2023-04-21
申请人: 云南驰宏国际锗业有限公司 , 昆明理工大学
摘要: 本发明公开了一种四氯化锗短流程制备高纯锗及尾气循环处理方法,本发明四氯化锗氢还原短流程制备高纯锗装置,包括储气罐,高纯四氯化锗氢气还原炉,反应尾气精馏系统以及二氯化锗氯化系统。本发明的方法是利用高纯氢气将高纯四氯化锗携带进入还原炉中,进行反应在锗棒上沉积锗金属,后根据纯度需要在进行区熔提纯;未完全反应的气体经过后续的精馏以及氯化系统,再次得到高纯氢气以及四氯化锗,实现尾气循环处理。
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公开(公告)号:CN118006936A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202410075130.5
申请日:2024-01-18
申请人: 昆明理工大学 , 云南驰宏国际锗业有限公司
摘要: 本发明涉及锗材料制备技术领域,公开了一种基于旋转CVD反应器还原生产高纯锗的方法,包含下列步骤:将四氯化锗蒸汽与氢气从旋转CVD反应器的进气口通入到容器内部反应,吸附、分解和团聚的作用在容器底部的基体锗上沉积锗。本发明通过旋转的基体锗,加强了界面扰动,增加了化学反应速率和传质系数,使得单炉锗的产量增加,提高了经济效益;降低了高纯四氯化锗与高纯氢气的进气比例,减小尾气分离难度,节约成本。同时通过调节旋转的转速,增强基体表面的界面更新速率,提高反应的选择性,并减少杂质颗粒的生成。
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