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公开(公告)号：CN114188490B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202111506283.3
申请日：2021-12-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种量子点‑半导体复合膜层及其制备方法、量子点发光器件，属于量子点技术领域。该量子点‑半导体复合膜层包括多个量子点、以及由半导体阳离子和半导体阴离子形成的半导体填充材料；所述半导体阳离子或所述半导体阴离子与所述量子点的表面的阴离子或阳离子形成离子键，形成的所述半导体填充材料填充于相邻所述量子点之间的间隙内。本公开有助于提高量子点‑半导体复合膜层的致密性，改善膜层表面的不平整性，进而提升该膜层与下层功能层之间的界面接触质量，提升载流子的传输能力。
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公开(公告)号：CN117356182A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280001091.3
申请日：2022-04-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/115 , H10K59/12 , H10K59/35 , H10K59/38 , H10K71/00
摘要： 一种发光基板，发光基板包括衬底和第一发光器件。第一发光器件第一发光器件包括：沿远离衬底的方向依次设置的第一电极、第一功能层、第一发光图案和第二电极，第一功能层与第一发光图案接触。其中，第一发光图案包括第一发光材料，第一发光材料包括第一发光粒子以及与第一发光粒子结合的第一配体。第一功能层包括第一功能材料，第一功能材料包括第一功能粒子以及与第一功能粒子结合的第二配体；第一配体和第二配体的显影特性相同。在显影时，发光基板在第一光器件以外的区域，残留少量的第一功能粒子。当其他发光器件时设置残留少量的第一功能粒子上，故而不会出现混色的问题，发光基板不容易出现第一发光材料残留的问题。
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公开(公告)号：CN116426269A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111662786.X
申请日：2021-12-31
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种量子点混合配体、量子点‑配体体系及量子点‑配体材料，属于显示技术领域。该量子点混合配体包括第一配体，包括第一配位基团、第一连接基团和酸性基团，所述第一连接基团连接于所述第一配位基团和所述酸性基团之间；第二配体，第二配位基团、第二连接基团和光敏基团，所述第二连接基团连接于所述第二配位基团和所述光敏基团之间；其中，所述第一配位基团和所述第二配位基团用于与量子点本体形成配位键；所述酸性基团能够与碱性溶液发生酸碱反应，并使第一配体离子化；所述光敏基团选自包含碳碳双键，或含O或S的饱和3‑5元杂环基团的结构，该量子点混合配体为量子点膜层能采用光刻工艺形成提供的基础。
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公开(公告)号：CN108382092B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201810116439.9
申请日：2018-02-06
申请人： 北京京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 张迪
摘要： 本发明提供了一种导流板、喷墨打印方法、设备、显示基板及其制造方法、装置，所述导流板包括板状本体，所述板状本体包括相背的第一面和第二面，在所述板状本体上设有多个贯通槽，每一所述贯通槽贯通所述第一面与所述第二面，且每一所述贯通槽包括形成于所述第一面上的第一开口及形成于所述第二面上的第二开口，所述第一开口的开口面积大于所述第二开口的开口面积。本发明所提供的导流板能够确保喷墨打印精度，提高印刷良率。
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公开(公告)号：CN110088886A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201980000342.4
申请日：2019-03-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
发明人： 张迪
摘要： 提供了一种微发光二极管转移设备。微发光二极管转移设备包括：转移阵列，其包括多个转移头的阵列；以及，阵列掩膜，其具有多个对准孔的阵列。多个对准孔中的对应一个具有允许多个转移头中的对应一个和附接至多个转移头中的对应一个的微发光二极管通过的尺寸。
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公开(公告)号：CN107329338A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710687887.X
申请日：2017-08-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/12 , H01L21/77
摘要： 本发明公开一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置,涉及显示技术领域，以降低外部静电对四边无边框显示面板的影响。所述阵列基板包括衬底基板，衬底基板包括边框形成区；衬底基板的表面设有第一导电层，第一导电层的表面形成有第一绝缘层，第一绝缘层对应边框形成区的表面形成有与地线引线电连接的第二导电层，第一导电层与所述第二导电层通过第三导电层电连接。所述阵列基板的制作方法用于制作上述技术方案所提的阵列基板。本发明提供的显示面板用于显示装置中。
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公开(公告)号：CN118076125A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211414389.5
申请日：2022-11-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/115 , H10K50/13 , H10K71/00 , B82Y30/00
摘要： 本公开的实施例提供了一种发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，用于提高发光器件的性能。所述发光器件包括：第一电极和第二电极，以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层。所述发光层的材料包括异质结材料，所述异质结材料包括：发光材料和间隔材料，所述间隔材料的带隙宽度大于所述发光材料的带隙宽度。其中，所述发光材料包括多个量子点纳米颗粒，所述间隔材料包括多个间隔纳米颗粒，每相邻两个所述量子点纳米颗粒被至少一个所述间隔纳米颗粒隔离开。上述发光器件用于显示图像。
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公开(公告)号：CN110088886B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201980000342.4
申请日：2019-03-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
发明人： 张迪
摘要： 提供了一种微发光二极管转移设备。微发光二极管转移设备包括：转移阵列，其包括多个转移头的阵列；以及，阵列掩膜，其具有多个对准孔的阵列。多个对准孔中的对应一个具有允许多个转移头中的对应一个和附接至多个转移头中的对应一个的微发光二极管通过的尺寸。
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公开(公告)号：CN110010695A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201810011442.4
申请日：2018-01-05
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
发明人： 张迪
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、源极和漏极，所述半导体层包括有源层和超疏水层，所述有源层包括源极接触部、漏极接触部和沟道部，所述源极与所述源极接触部相对应，所述漏极与所述漏极接触部相对应，所述超疏水层设置在所述有源层朝向所述源极和漏极的表面上，所述超疏水层包括多个从所述有源层表面凸出的多级微纳结构，所述超疏水层至少覆盖所述有源层的沟道部。本发明还提供一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和显示面板。所述薄膜晶体管利用超疏水层作为刻蚀阻挡层，可以避免湿刻时对有源层造成损坏。
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公开(公告)号：CN114361354B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210005542.2
申请日：2022-01-04
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/115 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K50/17 , H10K71/00
摘要： 本申请的实施例提供了一种发光器件及其制备方法和显示装置，所述发光器件包括衬底；位于所述衬底一侧，依次设置的第一电极、量子点层和第二电极；所述量子点层包括量子点发光层和量子点附加结构，所述量子点附加结构分散在所述量子点发光层中，所述量子点附加结构的发光效率低于所述量子点发光层的发光效率。本申请的发光器件通过形成分散在量子点发光层中的量子点附加结构使得在图案化形成量子点层的过程中残留的异色量子点不发光或减少发光，从而避免不同颜色之间出现串色或混色。
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