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    柔性温度传感器及其制作方法和柔性设备
    2.
    发明授权
    柔性温度传感器及其制作方法和柔性设备 有权

    公开(公告)号：CN109764971B

    公开(公告)日：2021-09-17

    申请号：CN201910032972.1

    申请日：2019-01-14

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

    发明人： 白金超 ,  王勋 ,  吴祖谋 ,  李小龙 ,  左天宇 ,  丁向前

    IPC分类号： G01K7/00 ,  H01B1/22 ,  H01B1/24

    摘要： 本发明公开了一种柔性温度传感器及其制作方法和柔性设备，所述柔性温度传感器包括：柔性基板，柔性基板上设有电极；混合液体，混合液体设于柔性基板上并与电极接触，混合液体包括离子液体和多孔导电黑色颗粒材料；保护板，保护板设在柔性基板的设有混合液体的一侧，以保护混合液体。根据本发明的柔性温度传感器，通过在柔性基板上设有离子液体和多孔导电黑色颗粒材料的混合液体，便于柔性温度传感器的制作，有利于实现精确的温度检测，混合液体作为一种流体，其流动性保障了一定区域内的连续性，不会出现拉伸弯折时断裂的情况，因此可以用于柔性设备的设计。

    一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
    3.
    发明授权
    一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 有权

    公开(公告)号：CN106298957B

    公开(公告)日：2020-06-30

    申请号：CN201610862940.0

    申请日：2016-09-28

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

    发明人： 白金超 ,  刘建涛 ,  郭会斌

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

    摘要： 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够有效保证在提高开态电流的同时降低漏电流。该薄膜晶体管，包括设置于衬底基板上的栅极、由源极和漏极组成的源漏图案以及有源层，有源层包括层叠设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层的电子迁移率大于第二半导体层的电子迁移率，第一半导体层相较于第二半导体层靠近所述栅极；有源层中远离源漏图案一侧的半导体层相较于靠近源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；源极和/或漏极与有源层中靠近源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至延伸部且与对应的延伸部接触。

    阵列基板母板及其制作方法、显示装置
    4.
    发明授权
    阵列基板母板及其制作方法、显示装置 有权

    公开(公告)号：CN105957867B

    公开(公告)日：2018-12-18

    申请号：CN201610274032.X

    申请日：2016-04-28

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

    发明人： 王静 ,  郭会斌 ,  丁向前 ,  白金超 ,  刘耀

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

    摘要： 本发明提供了一种阵列基板母板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，阵列基板母板的制作方法，至少包括在衬底基板的第一区域形成第一显示产品的膜层图形和在衬底基板的第二区域形成第二显示产品的膜层图形，所述第一显示产品的深孔密度大于所述第二显示产品的深孔密度，深孔为贯穿至少两层绝缘层的过孔，所述制作方法包括：在绝缘层上形成第二导电图形之前，减小第一区域所述绝缘层的厚度，所述第二导电图形通过贯穿所述绝缘层的过孔结构与位于所述绝缘层下的第一导电图形连接。通过本发明的技术方案，在阵列基板上形成不同显示产品的膜层图形时，能够避免出现Mura不良。

    阵列基板及其制作方法、显示装置
    7.
    发明授权
    阵列基板及其制作方法、显示装置 失效

    公开(公告)号：CN104617112B

    公开(公告)日：2017-10-17

    申请号：CN201510067734.6

    申请日：2015-02-09

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

    发明人： 刘耀 ,  白金超 ,  刘晓伟 ,  丁向前 ,  郭总杰

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

    摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，所述制作方法包括以下步骤：形成有源层；在所述有源层上待形成沟道的区域的周边形成保护图形；形成包括源漏极的图形；对所述待形成沟道的区域进行刻蚀，形成薄膜晶体管的沟道，并且，所述保护图形的靠近所述沟道的边缘超出所述源漏极靠近所述沟道的边缘。本发明在有源层上设置了保护图形，有效防止了干法刻蚀对沟道的侧蚀，减小了沟道的尺寸，提高了产品的开口率，有利于实现产品的窄边框设计。当沟道的长度减小时，能够提高薄膜晶体管的开态电流，并且，在保证开态电流满足设计需求的前提下，还可以进一步减小沟道宽度或者减小驱动电压，降低功耗，提高产品的竞争优势。

    一种成膜设备
    10.
    发明公开
    一种成膜设备 失效

    公开(公告)号：CN104711529A

    公开(公告)日：2015-06-17

    申请号：CN201510152708.3

    申请日：2015-04-01

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

    发明人： 刘晓伟 ,  刘耀 ,  付艳强 ,  丁向前 ,  白金超 ,  郭总杰 ,  张继坡

    IPC分类号： C23C14/35

    摘要： 本发明涉及到显示装置的技术领域，公开了一种成膜设备。该成膜设备包括：平行于基板的靶材，在所述靶材背离所述基板的一侧设置有磁场生成装置，其中，所述磁场生成装置形成一个运动的磁场，形成的运动磁场内的任意两个位置的磁场强度的差值小于设定值，且所述运动的磁场扫过所述整个靶材。在上述技术方案中，通过采用磁场生成装置改善形成的磁场，从而能够使靶材的材料能够充分被利用以电离形成的等离子体，并且使得电离形成的等离子体能够更加均匀的在基板上成膜，从而提高了靶材的利用率，以及提高了成膜的均一性。