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公开(公告)号：CN104020621B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410224631.1
申请日：2014-05-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136222 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L27/124 , H01L27/127
摘要： 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够防止铜等金属在对透明导电薄膜进行构图工艺的过程中发生氧化，保证源极和漏极的导电能力。该种阵列基板，包括多个阵列排布的像素单元区域，所述像素单元区域包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的有源层和所述像素电极之间形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层形成有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔分别对应所述有源层的两端，所述薄膜晶体管的源极通过所述第一过孔连接所述有源层，所述薄膜晶体管的漏极搭接在所述像素电极之上并通过所述第二过孔连接所述有源层。
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公开(公告)号：CN103839888B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410069523.1
申请日：2014-02-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以解决数据线发生断路后数据信号无法导通的问题，提高了阵列基板的良品率。该制备方法包括：在衬底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修复导线；在形成有修复导线的基板上形成包括多个过孔的隔离层；过孔与修复导线垂直对应，且沿第一方向，在任意两个相邻的源极之间的区域，至少形成有一个过孔；在形成有隔离层的基板上形成包括源极、漏极、以及与源极电连接的数据线的源漏金属层；数据线沿第一方向平行排布；任一根修复导线与一根数据线垂直对应，且数据线通过隔离层上的过孔与修复导线接触。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制造。
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公开(公告)号：CN104020621A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410224631.1
申请日：2014-05-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136222 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L27/124 , H01L27/127
摘要： 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够防止铜等金属在对透明导电薄膜进行构图工艺的过程中发生氧化，保证源极和漏极的导电能力。该种阵列基板，包括多个阵列排布的像素单元区域，所述像素单元区域包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的有源层和所述像素电极之间形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层形成有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔分别对应所述有源层的两端，所述薄膜晶体管的源极通过所述第一过孔连接所述有源层，所述薄膜晶体管的漏极搭接在所述像素电极之上并通过所述第二过孔连接所述有源层。
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公开(公告)号：CN103839888A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410069523.1
申请日：2014-02-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L27/1244 , H01L27/1259
摘要： 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以解决数据线发生断路后数据信号无法导通的问题，提高了阵列基板的良品率。该制备方法包括：在衬底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修复导线；在形成有修复导线的基板上形成包括多个过孔的隔离层；过孔与修复导线垂直对应，且沿第一方向，在任意两个相邻的源极之间的区域，至少形成有一个过孔；在形成有隔离层的基板上形成包括源极、漏极、以及与源极电连接的数据线的源漏金属层；数据线沿第一方向平行排布；任一根修复导线与一根数据线垂直对应，且数据线通过隔离层上的过孔与修复导线接触。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制造。
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