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公开(公告)号：CN114388538A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011142827.8
申请日：2020-10-22
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01T1/24
摘要： 本发明提供了一种探测基板及其制作方法、平板探测器，涉及光电检测技术领域，能避免金属氧化物薄膜晶体管被还原，提高金属氧化物薄膜晶体管的稳定性。探测基板包括阵列排布的多个探测像素单元；探测像素单元包括：设置在衬底之上的薄膜晶体管、牺牲层和光电转换部；牺牲层位于薄膜晶体管和光电转换部之间；其中，薄膜晶体管包括有源层、第一电极和第二电极；有源层在衬底上的至少部分正投影位于牺牲层在衬底上的正投影以内；光电转换部分别与牺牲层、第一电极电连接；探测基板中，各探测像素单元的牺牲层相互独立。本发明适用于探测基板的制作。
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公开(公告)号：CN113728435A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202080000105.0
申请日：2020-02-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种探测基板、其制作方法及平板探测器，包括：衬底基板(101)；驱动电路(102)，位于衬底基板(101)之上；光电转换器件(103)，位于衬底基板(101)之上，光电转换器件(103)的底电极(1031)与驱动电路(102)电连接；偏压线(104)，位于光电转换器件(103)背离衬底基板(101)的一侧，在垂直于衬底基板(101)的方向上，偏压线(104)与光电转换器件(103)互不重叠；透明搭接部(105)，位于光电转换器件(103)背离衬底基板(101)的一侧，光电转换器件(103)的顶电极(1032)通过透明搭接部(105)与偏压线(104)电连接。
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公开(公告)号：CN116075942A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180002345.9
申请日：2021-08-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 本公开提供了一种探测基板，其中，包括：衬底基板、位于衬底基板上呈阵列排布的多个探测像素单元，探测像素单元包括：薄膜晶体管和位于薄膜晶体管远离衬底基板一侧的光电转换部，光电转换部远离衬底基板的一侧设置有偏置电压线；薄膜晶体管包括：有源层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均与有源层电连接，有源层包括沟道区；光电转换部靠近衬底基板的一端与第二电极电连接，光电转换部远离衬底基板的一端与对应的偏置电压线电连接；光电转换部与偏置电压线之间设置有至少一层介质层，介质层上形成有第一过孔，沟道区在衬底基板上的至少部分正投影位于第一过孔在衬底基板上的正投影以内。本公开还提供了一种平板探测器。
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公开(公告)号：CN114613790A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011449056.7
申请日：2020-12-09
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01T1/202
摘要： 本申请提供了一种闪烁体膜层及其制备方法、平板探测器和探测装置，该闪烁体膜层包括：具有相对布置的第一表面和第二表面的隔离模板层；隔离模板层内沿垂直于第一表面的方向设有多个直径为微米级的注入孔；注入孔靠近所述第一表面的一端为第一端，注入孔靠近第二表面的一端为第二端，第二端在第二表面所在平面内的投影面积小于对应子像素单元的面积；注入孔内填充有用于将射线光转换为可见光的闪烁体晶柱。通过在隔离模板层内布置闪烁体晶柱，利用闪烁体晶柱将射线转换为可见光，同时利用闪烁体晶柱之间的隔离模板层限制可见光的横向串扰，使闪烁体晶柱转换得到的可见光尽可能的只到达对应像素上，提升探测器的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN118712177A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310312024.X
申请日：2023-03-27
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开一种静电释放电路单元、半导体器件面板及电子设备，涉及半导体技术领域，能够有效引入大伏值静电，并进行静电释放，静电释放效率较高，可提高静电防护效果。静电释放电路单元，包括：静电释放阵列，包括多个相互电连接的静电释放结构，所述静电释放结构包括第一结构部和第二结构部，所述第一结构部与所述第二结构部分别属于不同的导电层，所述第一结构部与所述第二结构部通过绝缘层过孔电连接，所述第二结构部具有至少一个尖端；开关器件，一端用于电连接静电主引线，另一端与任意所述静电释放结构电连接。
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公开(公告)号：CN113728435B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202080000105.0
申请日：2020-02-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种探测基板、其制作方法及平板探测器，包括：衬底基板(101)；驱动电路(102)，位于衬底基板(101)之上；光电转换器件(103)，位于衬底基板(101)之上，光电转换器件(103)的底电极(1031)与驱动电路(102)电连接；偏压线(104)，位于光电转换器件(103)背离衬底基板(101)的一侧，在垂直于衬底基板(101)的方向上，偏压线(104)与光电转换器件(103)互不重叠；透明搭接部(105)，位于光电转换器件(103)背离衬底基板(101)的一侧，光电转换器件(103)的顶电极(1032)通过透明搭接部(105)与偏压线(104)电连接。
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公开(公告)号：CN113330567A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980001960.0
申请日：2019-10-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种探测基板、其制作方法及平板探测器，通过设置第一电极(104)在衬底基板(100)上的正投影与薄膜晶体管(103)的有源层在衬底基板(100)上的正投影至少部分重叠，并且第一电极(104)在靠近数据线(101)的一侧具有第一突出部，第一突出部在衬底基板(100)上的正投影位于有源层在衬底基板(100)上的正投影和数据线(101)在衬底基板(100)上的正投影之间，阻挡了后续制作光电转换结构(105)的过程中氢元素向有源层扩散，有效改善了薄膜晶体管(103)的稳定性，提高了平板探测器的性能。
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公开(公告)号：CN114566510B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202011363879.8
申请日：2020-11-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开提供了一种探测面板，包括：衬底基板，衬底基板上设置有多条栅线、多条信号探测线和多个像素单元，像素单元内设置有薄膜晶体管和光学传感器，薄膜晶体管的栅极与对应的栅线电连接，薄膜晶体管的第一电极与对应的信号探测线电连接，薄膜晶体管的第二电极与位于同一像素单元内光学传感器的第三电极电连接；多个像素单元包括至少一个探测用像素单元和至少一个标记用像素单元，光学传感器背向衬底基板的一侧设置有第一偏置电压线和第二偏置电压线，第一偏置电压线与第二偏置电压线相交设置且彼此绝缘，探测用像素单元内光学传感器的第四电极与对应的第一偏置电压线电连接，标记用像素单元内薄膜晶体管的第二电极与对应的第二偏置电压线电连接。
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公开(公告)号：CN113330567B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201980001960.0
申请日：2019-10-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种探测基板、其制作方法及平板探测器，通过设置第一电极(104)在衬底基板(100)上的正投影与薄膜晶体管(103)的有源层在衬底基板(104)在靠近数据线(101)的一侧具有第一突出部，第一突出部在衬底基板(100)上的正投影位于有源层在衬底基板(100)上的正投影和数据线(101)在衬底基板(100)上的正投影之间，阻挡了后续制作光电转换结构(105)的过程中氢元素向有源层扩散，有效改善了薄膜晶体管(103)的稳定性，提高了平板探测器的性能。(100)上的正投影至少部分重叠，并且第一电极
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公开(公告)号：CN114566510A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011363879.8
申请日：2020-11-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开提供了一种探测面板，包括：衬底基板，衬底基板上设置有多条栅线、多条信号探测线和多个像素单元，像素单元内设置有薄膜晶体管和光学传感器，薄膜晶体管的栅极与对应的栅线电连接，薄膜晶体管的第一电极与对应的信号探测线电连接，薄膜晶体管的第二电极与位于同一像素单元内光学传感器的第三电极电连接；多个像素单元包括至少一个探测用像素单元和至少一个标记用像素单元，光学传感器背向衬底基板的一侧设置有第一偏置电压线和第二偏置电压线，第一偏置电压线与第二偏置电压线相交设置且彼此绝缘，探测用像素单元内光学传感器的第四电极与对应的第一偏置电压线电连接，标记用像素单元内薄膜晶体管的第二电极与对应的第二偏置电压线电连接。
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