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公开(公告)号：CN118450718A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410538423.2
申请日：2024-04-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板，其中一实施例的制作方法包括：在衬底上形成遮光层；在遮光层上形成平坦化层；在平坦化层上分别形成源漏层和像素电极层，源漏层包括源极和漏极，像素电极层包括多个像素电极；在源漏层上层叠形成有机半导体层、栅绝缘层和栅极；形成覆盖栅极的绝缘层；在绝缘层上形成公共电极层，公共电极层包括多个条形电极；制作方法还包括：在衬底上形成栅极信号线，并且栅极信号线的形成工艺不影响源极和漏极的完整性。本发明提供的实施例通过调整阵列基板的制作过程能够提高有机薄膜晶体管的生产良率，避免相关技术中因制作栅极信号线腐蚀源极和漏极的问题，具有实际应用价值。
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公开(公告)号：CN118613077A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410692227.0
申请日：2024-05-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
摘要： 本发明提供一种光电探测器及其制备方法和工作方法，光电探测器包括：光电二极管，所述光电二极管包括有源层和位于所述有源层一侧的第一电极层；驱动晶体管，所述驱动晶体管包括相对设置的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极与所述第一电极层连接。所述光电探测器通过第一栅极和第二栅极共同调制驱动晶体管中的沟道电流，提升光电探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN117858518A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410007096.8
申请日：2024-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H10K19/10 , H10K10/46 , H10K10/84 , H10K71/00 , G02F1/1368 , G02F1/1362
摘要： 本申请提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板，其中的阵列基板包括依次设置的遮光层、平坦层、第一电极层、第二电极层、绝缘层和条形电极；所述第一电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间具有沟道，所述第一电极层的材料中包含铜；所述第二电极层依次包括搭载在源极和漏极上方的有机半导体层、栅极绝缘层和栅极。本申请的阵列基板具有稳定性高和成本低的优点。
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公开(公告)号：CN117181569A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311248164.1
申请日：2023-09-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： B06B1/02
摘要： 本发明公开了一种超声换能器及其制作方法、显示面板，超声换能器包括：驱动背板、第一导电层、第一无机层和第二导电层。其中，第一导电层位于驱动背板之上，第一导电层包括第一电极，第一电极与驱动背板电连接。第一无机层位于第一导电层背离驱动背板的一侧，第一无机层与第一导电层之间具有振腔，一个振腔的四周环绕设置有多个微结构。第二导电层位于第一无机层背离驱动背板的一侧，第二导电层包括第二电极。有利于提高产品良率。
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公开(公告)号：CN118658891A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410772647.X
申请日：2024-06-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/34 , H01L21/44
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管及制备方法、驱动基板、显示面板和显示装置。薄膜晶体管包括：衬底层；位于衬底层一侧的源漏极；栅极层，位于源漏极背离衬底层的一侧；第一导电引出层，位于部分源漏极背离衬底层的一侧且与部分源漏极连接；其中，栅极层和第一导电引出层在衬底层表面的正投影完全覆盖源漏极在衬底层表面的正投影。本发明提供的薄膜晶体管能够降低源漏极的表面发生氧化的程度，提高薄膜晶体管的可靠性。
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公开(公告)号：CN117769260A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311799716.8
申请日：2023-12-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H10K10/46 , H10K59/125
摘要： 本公开实施例提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置。该薄膜晶体管，包括：衬底以及设置在所述衬底一侧的有源层、栅绝缘层和栅电极；其中，所述薄膜晶体管还包括：位于所述栅绝缘层和所述栅电极之间的抑制层，所述抑制层在所述衬底上的正投影包含所述栅电极在所述衬底上的正投影，所述抑制层设置为抑制载流子从所述栅绝缘层向所述栅电极方向迁移。
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公开(公告)号：CN116583117A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310544801.3
申请日：2023-05-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H10K19/10 , H10K10/46 , H10K10/84 , H10K71/00 , G02F1/1362
摘要： 本申请公开了一种阵列基板、显示面板及其制备方法，其中，阵列基板，包括顺次层叠设置的衬底、栅极层、栅绝缘层、有机有源层、空穴注入层以及源漏电极层。上述方案，通过在有机有源层与源漏电极层之间设置空穴注入层，降低了机有源层与源漏电极层之间的接触电阻，增强了空穴注入能力，提高了伏安(IV)特性，因此，提高了阵列基板内设置的薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN118778321A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410866625.X
申请日：2024-06-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： G02F1/1677 , G02F1/167 , G02F1/16753 , G02F1/1679
摘要： 本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括：驱动基底；挡墙结构设于驱动基底上，挡墙结构包括阵列设置的多个挡墙，相邻两个挡墙之间均设有一子像素；遮光层设于挡墙结构背离驱动基底的一侧，遮光层包括阵列设置的多个遮光子层，所述遮光子层与多个挡墙一一对应，每一遮光子层在驱动基底上的正投影完全覆盖对应的挡墙在驱动基底上的正投影。遮光层的设置可以确保每个挡墙的厚度均一，避免墨水材料在不同像素区发生串扰。每个遮光子层可以作为对应的挡墙的硬掩膜，如此可以通过刻蚀工艺来制作挡墙，既可以精确定义挡墙的尺寸和形貌，确保开口率，又可以避免出现挡墙扭曲以及显影液残留，确保显示效果。
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公开(公告)号：CN118748197A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410848687.8
申请日：2019-07-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种显示基板及其制备方法。所述显示基板包括：基板；位于所述基板上的第一电极；以及位于所述第一电极上的导电凸起。所述导电凸起在平行于所述基板的平面上的截面的大小与所述截面到所述第一电极的表面的距离负相关。
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公开(公告)号：CN118287358A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310004572.6
申请日：2023-01-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： B06B1/02
摘要： 本发明提供了电容式超声换能器及其制备方法，所述电容式超声换能器包括第一基底、多个间隔设置的第一电极、支撑层、多个振膜、多个第二电极、第二基底，第一电极位于第一基底的一侧；支撑层至少覆盖相邻的第一电极之间的区域，支撑层与多个第一电极构成多个凹陷结构；振膜位于支撑层远离第一电极的一侧，振膜覆盖凹陷结构；第二电极位于振膜远离支撑层的一侧；第二基底位于第二电极远离振膜的一侧；其中，每个凹陷结构对应一个第一电极、一个振膜与一个第二电极；凹陷结构是通过纳米压印方式形成的。由此，本发明的凹陷结构可以作为电容式超声换能器的空腔，本发明形成空腔的生产效率高，改善了相关技术中形成空腔的生产效率低的缺陷。
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