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公开(公告)号：CN115880993A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110943641.0
申请日：2021-08-17
申请人： 北京京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板，用于优化显示装置的封装效果，延长使用寿命。其中，阵列基板包括衬底；设置于衬底上且位于周边区的栅极驱动电路和多条控制信号线，多条控制信号线与栅极驱动电路电连接；至少一条控制信号线中的每条设有至少一个断口；至少一个连接图案，每个连接图案对应一个断口，并与设有断口的控制信号线在断口处的两端电连接；连接图案在衬底上的正投影与对应的断口在衬底上的正投影相互错开设置。上述阵列基板增大多条控制信号线所在区域中可供UV光透过的面积，从而增强与多条控制信号线位置对应的封框胶的固化程度，从而优化显示装置的封装效果。
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公开(公告)号：CN107170752B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201710326074.8
申请日：2017-05-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示装置。包括：在基板上图案化形成薄膜晶体管源极、漏极和存储电容的第一极板；形成薄膜晶体管的有源层；形成第一绝缘层，第一绝缘层覆盖有源层、源极、漏极及第一极板；在第一绝缘层上图案化形成薄膜晶体管的栅极及存储电容的第二极板；形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖栅极及第二极板；形成分别暴露薄膜晶体管电极和第一极板的两个过孔；形成像素电极层，像素电极层通过过孔分别与薄膜晶体管电极及第一极板电连接。本发明形成两个存储电容，在不减少开口率的基础上增大了电容存储量；并且有源层的表面不被刻蚀，避免有源层在刻蚀中产生缺陷，提高了阵列基板中薄膜晶体管特性的均一性。
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公开(公告)号：CN105810170B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610371835.7
申请日：2016-05-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
摘要： 公开了一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅线驱动电路，以及阵列基板，其中该移位寄存器单元包括：充电子电路(110)，在输入信号端(INPUT)输入的信号的控制下，为上拉节点(PU)充电；输出子电路(120)，在上拉节点(PU)的电平的控制下，通过输出端输出第一时钟信号端提供的时钟信号作为驱动信号；第一下拉子电路(130)，在第一下拉节点(PD1)的电平控制下，对上拉节点(PU)和输出端(OUT)进行下拉；以及复位子电路(140)，在复位信号端输入的复位信号的控制下，对上拉节点(PU)和输出端(OUT)进行复位。由此，可以在移位寄存器单元驱动过程中的低电平维持阶段，利用第一下拉子电路对上拉节点PU和输出端OUT进行下拉，消除由于耦合电容引起的噪声。
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公开(公告)号：CN104655019B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510128142.0
申请日：2015-03-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G01B11/00
摘要： 本发明提供了一种关键尺寸测量方法和系统，其中的关键尺寸测量系统包括第一设备和第二设备，所述第一设备用于依次对每一块待测基板进行拍摄，并将包括拍摄结果与基板标识的数据包发送至所述第二设备；所述第二设备用于接收并存储来自所述第一设备的数据包，并根据数据包中的拍摄结果进行与数据包中的基板标识对应的待测基板的关键尺寸的测量。基于上述方案，本发明可以解决现有技术中不能正常匹配特征图片时设备暂停运行会导致设备稼动率严重下降的问题。与不能正常匹配特征图片时设备暂停运行的现有技术相比，本发明可以提高关键尺寸测量的设备运行效率，提升设备稼动率。
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公开(公告)号：CN104820304B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510278609.X
申请日：2015-05-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/13
摘要： 本发明的实施例提供一种液晶特性测试装置和测试方法以及显示面板及其制造方法，属于显示器技术领域，用于使液晶显示设备内的液晶特性测试更加准确，该液晶特性测试装置包括：测试电极、引线和测试元件组，测试电极设置于显示面板的封框胶外侧，测试元件组设置于显示面板的布线区域，引线穿过封框胶电连接测试电极和测试元件组，测试电极包括：第一电极和第二电极，引线包括：第一引线和第二引线；测试元件组包括：第一透明电极图案、第二透明电极图案以及绝缘结构第一电极通过第一引线电连接第一透明电极图案，第二电极通过第二引线电连接第二透明电极图案。本发明的实施例用于显示器的制造。
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公开(公告)号：CN106098701A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610509726.7
申请日：2016-06-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该阵列基板的制备方法包括：在衬底基板上形成开关管和第一电极，采用化学机械研磨的方法同时形成开关管的源极和漏极以及第一电极。该制备方法通过采用化学机械研磨的方法同时形成开关管的源极和漏极以及第一电极，能够减少阵列基板制备工艺中的源极和漏极构图工艺以及第一电极的构图工艺，从而使阵列基板的制备工艺大大简化，进而提高了阵列基板的制备效率。
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公开(公告)号：CN105954983A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610566567.4
申请日：2016-07-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 本发明公开了一种显影系统及方法，属于显示技术领域，该方法可以应用于显影系统中，该显影系统包括：喷淋组件和浓度调节组件，该方法包括：通过该喷淋组件向待显影基板上的各个显影区域喷淋相同浓度的显影液；通过该浓度调节组件向该待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体，使得在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同。本发明可以通过该浓度调节组件对待显影基板上各个显影区域内的显影液浓度进行调节，以保证在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同，解决了相关技术中显影均匀性较差的问题，提高了显影系统对基板进行显影时的显影均匀性。本发明用于显影。
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公开(公告)号：CN105826249A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610221405.7
申请日：2016-04-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1362
摘要： 一种金属层的制作方法，功能基板及其制作方法、以及显示装置。该金属层的制作方法包括：在衬底基板上形成绝缘层；在绝缘层上形成刻蚀缓冲层；图案化刻蚀缓冲层和绝缘层以在绝缘层中形成多个凹入的微结构；剥离刻蚀缓冲层；以及在绝缘层上形成金属层，金属层临近绝缘层的表面上形成有填充到多个凹入的微结构的凸起部分。该金属层的制作方法可形成具有防反光效果的金属层。
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公开(公告)号：CN105489614A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610019081.9
申请日：2016-01-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
CPC分类号： H01L27/1214 , H01L21/77 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L2021/775
摘要： 本发明实施例公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法。该阵列基板包括：衬底基板；位于衬底基板上相互绝缘的栅极和像素电极；覆盖栅极和像素电极的栅绝缘层；位于栅绝缘层上的有源层；位于有源层上的源极和漏极；覆盖源极、漏极、有源层和栅绝缘层的钝化层；在栅绝缘层中设置有位于像素电极上方的像素过孔，漏极与像素电极通过该像素过孔连接。不仅减少了阵列基板上像素过孔的数量，而且减少了像素过孔所经过的膜层，使得阵列基板上过孔的深度减小，从而大大减少了阵列基板上PI液的扩散不均的问题，提高了产品品质。
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公开(公告)号：CN105185740A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510369478.6
申请日：2015-06-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
CPC分类号： H01L29/41733 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/124 , H01L29/78606 , H01L29/78696 , H01L27/1259 , H01L27/1214
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，所述制备方法包括：在衬底基板上形成第一导电图形、第二导电图形和金属连接线，所述金属连接线连接所述第一导电图形和所述第二导电图形；对所述金属连接线进行刻蚀，以使所述第一导电图形和所述第二导电图形相互绝缘。本发明提供的金属连接线连接第一导电图形和第二导电图形，以平衡工艺过程中第一导电图形和第二导电图形之间的电势差，从而降低工艺过程中静电释放现象的发生概率，提高产品良率。
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