公开(公告)号：CN108962758B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201810826079.1

申请日：2018-07-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

发明人： 喻春霖 ,  胡岩 ,  袁洪光 ,  袁志龙 ,  杨晓东 ,  周成 ,  张春鹏 ,  张党龙 ,  蔡少波 ,  陈振东

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L21/265

摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，在形成多晶硅薄膜之后，确定多晶硅薄膜的晶界比率；然后确定晶界比率是否在预先获得的标准范围内；如果晶界比率在标准范围内，则根据预设的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入；如果晶界比率不在标准范围内，则对预设的离子注入量进行调整，根据调整后的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入。通过对晶界比率进行监控，从而达到监控LTPS特性的目的，而对于拦截到的特性异常的情况，通过调整离子注入浓度，可在前端修复特性不良，降低特性不良损失，提升良率。

公开(公告)号：CN108962758A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810826079.1

申请日：2018-07-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

发明人： 喻春霖 ,  胡岩 ,  袁洪光 ,  袁志龙 ,  杨晓东 ,  周成 ,  张春鹏 ,  张党龙 ,  蔡少波 ,  陈振东

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/6675 ,  H01L21/26506 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，在形成多晶硅薄膜之后，确定多晶硅薄膜的晶界比率；然后确定晶界比率是否在预先获得的标准范围内；如果晶界比率在标准范围内，则根据预设的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入；如果晶界比率不在标准范围内，则对预设的离子注入量进行调整，根据调整后的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入。通过对晶界比率进行监控，从而达到监控LTPS特性的目的，而对于拦截到的特性异常的情况，通过调整离子注入浓度，可在前端修复特性不良，降低特性不良损失，提升良率。