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公开(公告)号:CN115513226A
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202211167770.6
申请日:2022-09-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 绵阳京东方光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种显示基板及显示装置,该显示基板包括:衬底基板,在衬底基板非显示区设置有环绕显示区的隔断区;多条连接线,连接线在衬底基板上的正投影与隔断区相交叠;绝缘层,位于连接线远离衬底基板的一侧;多条信号线,位于绝缘层远离衬底基板的一侧且与连接线一一对应连接,每条信号线包括位于隔断区靠近显示区一侧的第一部分和位于隔断区远离显示区一侧的第二部分,第一部分和第二部分通过对应的连接线连接;平坦层,位于多条信号线远离衬底基板的一侧,平坦层具有位于隔断区内、且围绕显示区设置的沟槽,平坦层在衬底基板上的正投影覆盖多条信号线在衬底基板上的正投影。该显示基板能提高良率和信赖性且能不增加成本。
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公开(公告)号:CN108447874B
公开(公告)日:2019-10-29
申请号:CN201810240944.4
申请日:2018-03-22
Applicant: 绵阳京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
Inventor: 金永珉
Abstract: 一种阵列基板及其制造方法、显示面板、电子装置,该阵列基板包括衬底基板、第一电极、第二电极。第一电极设置在衬底基板上,第二电极设置在第一电极上且在垂直于衬底基板的方向上与第一电极至少部分相对;第一电极与第二电极电绝缘,且第一电极和/或第二电极在相对的区域内包括形成第一凹槽的至少部分。
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公开(公告)号:CN108447874A
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201810240944.4
申请日:2018-03-22
Applicant: 绵阳京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
Inventor: 金永珉
Abstract: 一种阵列基板及其制造方法、显示面板、电子装置,该阵列基板包括衬底基板、第一电极、第二电极。第一电极设置在衬底基板上,第二电极设置在第一电极上且在垂直于衬底基板的方向上与第一电极至少部分相对;第一电极与第二电极电绝缘,且第一电极和/或第二电极在相对的区域内包括形成第一凹槽的至少部分。
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公开(公告)号:CN102629589B
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201110445065.3
申请日:2011-12-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L29/786
Abstract: 本发明实施例涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置,包括:在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上,依次制作公共电极层、第二绝缘层和像素电极层;在形成有所述公共电极层和像素电极层的基板上,依次制作有源层、源/漏电极层和钝化层。使用本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示装置,可以确保阵列基板上薄膜晶体管的阈值电压的均一性。
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公开(公告)号:CN102156368A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN201110020242.3
申请日:2011-01-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1259 , G02F1/134363 , G02F1/136209 , G02F2201/121 , G02F2202/16 , H01L27/124
Abstract: 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法,阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线和数据线,所述像素区域内形成有像素电极、薄膜晶体管和公共电极,还包括由导电薄膜材料制备的黑矩阵,所述黑矩阵与所述公共电极连接。制造方法包括:形成包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管的图形;形成包括公共电极和黑矩阵的图形,所述黑矩阵由导电薄膜材料制备,并与所述公共电极连接。本发明通过将黑矩阵图形设置在阵列基板上,且黑矩阵与公共电极连接,使黑矩阵不仅可以有效遮挡漏光区域,而且可以作为公共电极的连接总线,有效解决了现有结构生产成本高和公共电极延迟的技术缺陷。
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公开(公告)号:CN102629589A
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN201110445065.3
申请日:2011-12-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L29/786
Abstract: 本发明实施例涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置,包括:在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上,依次制作公共电极层、第二绝缘层和像素电极层;在形成有所述公共电极层和像素电极层的基板上,依次制作有源层、源/漏电极层和钝化层。使用本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示装置,可以确保阵列基板上薄膜晶体管的阈值电压的均一性。
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公开(公告)号:CN102012590B
公开(公告)日:2012-02-29
申请号:CN200910091999.4
申请日:2009-09-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , H01L21/82 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法,阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线和数据线,所述像素区域内形成有像素电极、薄膜晶体管和与所述像素电极形成边缘电场的公共电极,还包括由金属薄膜材料制备的黑矩阵,所述黑矩阵与所述公共电极连接。制造方法包括:形成包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管的图形;形成包括公共电极和黑矩阵的图形,所述黑矩阵由金属薄膜材料制备,并与所述公共电极连接。本发明通过将黑矩阵图形设置在阵列基板上,且黑矩阵与公共电极连接,使黑矩阵不仅可以有效遮挡漏光区域,而且可以作为公共电极的连接总线,有效解决了现有结构生产成本高和公共电极延迟的技术缺陷。
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公开(公告)号:CN102012590A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200910091999.4
申请日:2009-09-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , H01L21/82 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法,阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线和数据线,所述像素区域内形成有像素电极、薄膜晶体管和与所述像素电极形成边缘电场的公共电极,还包括由金属薄膜材料制备的黑矩阵,所述黑矩阵与所述公共电极连接。制造方法包括:形成包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管的图形;形成包括公共电极和黑矩阵的图形,所述黑矩阵由金属薄膜材料制备,并与所述公共电极连接。本发明通过将黑矩阵图形设置在阵列基板上,且黑矩阵与公共电极连接,使黑矩阵不仅可以有效遮挡漏光区域,而且可以作为公共电极的连接总线,有效解决了现有结构生产成本高和公共电极延迟的技术缺陷。
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公开(公告)号:CN202072763U
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201120161978.8
申请日:2011-05-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: C23C16/458
Abstract: 本实用新型公开一种自动限位装置,为解决现有装置稳定性差的问题而设计。本实用新型自动限位装置包括限位块,限位块设有承重部、竖面、缓冲部、校正部和固定部。还包括端头设有凸出滚珠的支柱。本实用新型自动限位装置的限位块利用校正部的推力和缓冲部的过渡作用可以将放置位置有偏差的被限位物体调整至正确位置。支柱的使用有利于被限位物体的稳定放置。在被限位物体的边缘设置多个限位块且在被限位物体的下方对称设置支柱可以令本实用新型自动限位装置的限位作用更好。本实用新型自动限位装置结构合理,使用方便,限位效果好,可长期稳定使用。
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