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公开(公告)号：CN102156369A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110020246.1
申请日：2011-01-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC分类号： G02F1/134363 , G02F2001/134372 , G02F2201/40 , H01L27/124
摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法。阵列基板包括限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有薄膜晶体管以及公共电极和电极条结构的像素电极，所述公共电极形成在覆盖所述数据线的第二绝缘层上，所述像素电极形成在覆盖所述公共电极的第三绝缘层上。本发明通过在覆盖数据线的第二绝缘层上形成公共电极，在覆盖公共电极的第三绝缘层上形成电极条结构的像素电极，使像素电极边缘与数据线边缘之间区域的液晶全部有规律的电场驱动，提高了驱动液晶的效率，使这一区域变成显示区域，最大限度地增加了显示区域的面积，有效提高了开口率。
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公开(公告)号：CN102156368A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110020242.3
申请日：2011-01-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC分类号： H01L27/1259 , G02F1/134363 , G02F1/136209 , G02F2201/121 , G02F2202/16 , H01L27/124
摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有像素电极、薄膜晶体管和公共电极，还包括由导电薄膜材料制备的黑矩阵，所述黑矩阵与所述公共电极连接。制造方法包括：形成包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管的图形；形成包括公共电极和黑矩阵的图形，所述黑矩阵由导电薄膜材料制备，并与所述公共电极连接。本发明通过将黑矩阵图形设置在阵列基板上，且黑矩阵与公共电极连接，使黑矩阵不仅可以有效遮挡漏光区域，而且可以作为公共电极的连接总线，有效解决了现有结构生产成本高和公共电极延迟的技术缺陷。
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公开(公告)号：CN102012590B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910091999.4
申请日：2009-09-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , H01L21/82 , G03F7/00
摘要： 本发明涉及一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有像素电极、薄膜晶体管和与所述像素电极形成边缘电场的公共电极，还包括由金属薄膜材料制备的黑矩阵，所述黑矩阵与所述公共电极连接。制造方法包括：形成包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管的图形；形成包括公共电极和黑矩阵的图形，所述黑矩阵由金属薄膜材料制备，并与所述公共电极连接。本发明通过将黑矩阵图形设置在阵列基板上，且黑矩阵与公共电极连接，使黑矩阵不仅可以有效遮挡漏光区域，而且可以作为公共电极的连接总线，有效解决了现有结构生产成本高和公共电极延迟的技术缺陷。
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公开(公告)号：CN102254797A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010180971.0
申请日：2010-05-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/786 , H01L27/02
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02488 , H01L21/02672 , H01L27/1277
摘要： 本发明提供一种低温多晶硅薄膜及其制造方法、晶体管和显示装置，其中，低温多晶硅薄膜的制造方法包括：提供一基板，并在所述基板上形成一缓冲层；在缓冲层之上沉积第一非晶硅薄膜；在第一非晶硅薄膜之上涂覆催化剂颗粒；沉积第二非晶硅薄膜，所述第二非晶硅薄膜覆盖所述第一非晶硅薄膜和催化剂颗粒；对所述第一非晶硅薄膜和第二非晶硅薄膜进行结晶化，使之结晶形成低温多晶硅薄膜。本发明解决了现有技术中存在的低温多晶硅薄膜制得的晶体管漏电的问题，有效抑制了关态电流的发生。
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公开(公告)号：CN102012590A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910091999.4
申请日：2009-09-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , H01L21/82 , G03F7/00
摘要： 本发明涉及一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有像素电极、薄膜晶体管和与所述像素电极形成边缘电场的公共电极，还包括由金属薄膜材料制备的黑矩阵，所述黑矩阵与所述公共电极连接。制造方法包括：形成包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管的图形；形成包括公共电极和黑矩阵的图形，所述黑矩阵由金属薄膜材料制备，并与所述公共电极连接。本发明通过将黑矩阵图形设置在阵列基板上，且黑矩阵与公共电极连接，使黑矩阵不仅可以有效遮挡漏光区域，而且可以作为公共电极的连接总线，有效解决了现有结构生产成本高和公共电极延迟的技术缺陷。
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公开(公告)号：CN102629668A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201110305187.2
申请日：2011-10-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种OLED器件封装方法、OLED器件和显示装置，涉及OLED制造领域，用以提高OLED封装的效率。该OLED封装方法包括：在OLED基板上通过喷涂的方式形成防潮层；在该防潮层的上层形成胶膜，或者在封装盖板上形成胶膜；将OLED基板与封装盖板对盒，完成封装。本发明实施例适用于制造OLED器件及显示装置。
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公开(公告)号：CN102156369B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110020246.1
申请日：2011-01-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC分类号： G02F1/134363 , G02F2001/134372 , G02F2201/40 , H01L27/124
摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法。阵列基板包括限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有薄膜晶体管以及公共电极和电极条结构的像素电极，所述公共电极形成在覆盖所述数据线的第二绝缘层上，所述像素电极形成在覆盖所述公共电极的第三绝缘层上。本发明通过在覆盖数据线的第二绝缘层上形成公共电极，在覆盖公共电极的第三绝缘层上形成电极条结构的像素电极，使像素电极边缘与数据线边缘之间区域的液晶全部有规律的电场驱动，提高了驱动液晶的效率，使这一区域变成显示区域，最大限度地增加了显示区域的面积，有效提高了开口率。
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公开(公告)号：CN102651403A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210112450.0
申请日：2012-04-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/1296 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/78621
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示面板。其中，阵列基板包括：衬底基板和位于所述衬底基板上方的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有像素电极、薄膜晶体管和与所述像素电极形成边缘电场的公共电极，所述薄膜晶体管包括：有源层图形、源极、漏极和栅极，所述源极与所述有源层图形连接，所述漏极分别与所述有源层图形和所述像素电极连接，所述源极、所述漏极分别与所述有源层图形相邻层设置，所述漏极与所述像素电极相邻层设置。本发明避免了在像素区域内开设过孔，从而提高了像素区域的开口率。
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公开(公告)号：CN102023430B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910093306.5
申请日：2009-09-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/02 , H01L21/82 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有薄膜晶体管以及形成边缘电场的公共电极和电极条结构的像素电极，所述公共电极形成在覆盖所述数据线的第二绝缘层上，所述像素电极形成在覆盖所述公共电极的第三绝缘层上。本发明通过在覆盖数据线的第二绝缘层上形成公共电极，在覆盖公共电极的第三绝缘层上形成电极条结构的像素电极，使像素电极边缘与数据线边缘之间区域的液晶全部由边缘场开关模式驱动，提高了驱动液晶的效率，使这一区域变成显示区域，最大限度地增加了显示区域的面积，有效提高了开口率。
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公开(公告)号：CN102023430A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910093306.5
申请日：2009-09-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/02 , H01L21/82 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有薄膜晶体管以及形成边缘电场的公共电极和电极条结构的像素电极，所述公共电极形成在覆盖所述数据线的第二绝缘层上，所述像素电极形成在覆盖所述公共电极的第三绝缘层上。本发明通过在覆盖数据线的第二绝缘层上形成公共电极，在覆盖公共电极的第三绝缘层上形成电极条结构的像素电极，使像素电极边缘与数据线边缘之间区域的液晶全部由边缘场开关模式驱动，提高了驱动液晶的效率，使这一区域变成显示区域，最大限度地增加了显示区域的面积，有效提高了开口率。
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