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发明公开
半导体器件的制造方法以及制造装置审中-实审

公开(公告)号：CN117859210A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280057881.3

申请日：2022-08-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 , 谷口祐基 , 林雄一郎 , 三岛孝介

IPC: H01L33/32 , C23C16/04 , C30B25/04 , H01L21/205 , H01L21/301 , H01S5/343

Abstract: 进行如下工序：准备在主基板的上方形成有第1半导体部(S1)的半导体基板(11)；通过在第1半导体部(S1)形成多个沟槽(TR)，来将第1半导体部(S1)分割成多个基底半导体部(8)；和在多个基底半导体部(8)的至少1个的上方形成化合物半导体部(9)。

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