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公开(公告)号：CN116918199A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280016720.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01S5/028
Abstract: 本公开的半导体器件的制造方法具备：准备具有多个半导体层(11、12、13)的层叠体(10)和具有凹部(21)的第一支承体(20)的工序，其中，所述凹部(21)包括上表面(20a)、侧面(20b)、和与上表面(20a)及侧面(20b)相邻的开口；将层叠体(10)接合于第一支承体(20的上表面(20a)并进行配置的工序；在层叠体(10)上形成第一端面(10a)的工序；和在第一端面(10a)形成第一电介质层(17)的工序。
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公开(公告)号：CN119318082A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044981.7
申请日：2023-06-09
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01S5/02 , H01S5/02315 , H01S5/02345 , H01S5/0234 , H01S5/22
Abstract: 包含如下工序：准备具备第1基板和在第1基板上结晶生长的条带状的多个半导体部的半导体基板；在第1基板上，将分别包含多个半导体部的多个构造体分割成在各构造体出现与短边方向平行的端面，从而得到个体群；将个体群中所含的多个个体转印到第2基板；和将第2基板分断来得到分别包含1个以上的个体的多个元件基板。
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公开(公告)号：CN118648205A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380020305.6
申请日：2023-02-09
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01S5/0237 , H01L33/62
Abstract: 发光器件的制造方法包含如下工序：准备具备多个发光体的第1基板；准备第2基板，该第2基板具有导电性的第1接合部、与第1接合部电连接的第1焊盘部、和位于第1接合部以及第1焊盘部之间的第1焊料约束部，在第1接合部上形成有焊料；通过焊料来将从多个发光体选择的第1对象体和第2基板接合；和使第1以及第2基板隔离地将第1对象体转印到第2基板。
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公开(公告)号：CN116918032A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280016191.3
申请日：2022-02-22
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 神川刚
IPC: H01L21/205
Abstract: 模板基板(7)具备：具有边缘(E)、包括边缘的周缘部(1S)及位于比周缘部靠内侧的位置的非周缘部(1P)的主基板；以及位于比主基板靠上方的位置的掩模图案，掩模图案具有：掩模部(5)；多个第一开口部(KF)，将第一方向作为宽度方向，将第二方向作为长度方向，在俯视时与非周缘部(1P)重叠；以及一个以上的第二开口部(KB)，在俯视时被配置成沿着所述边缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120019476A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380071181.4
申请日：2023-10-19
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 具备：包含第1方向上并排的生长抑制区域以及第1籽晶区域的模板基板；和位于所述模板基板的上方且包含氮化物半导体的第1半导体部，所述第1半导体部具有：从所述第1籽晶区域来到比所述生长抑制区域更上侧的位置的第1隆起部；与所述第1隆起部相接的生长抑制膜；位于所述第1隆起部的上方的第1基部；和与所述第1基部相连、与所述生长抑制区域分离且位于空隙上的第1翼部。
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公开(公告)号：CN117678081A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280050232.0
申请日：2022-07-15
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 具备：半导体基板，具备主基板、位于比主基板更上方且包含掩模部以及开口部的掩模、和位于比掩模更上方的基底半导体部；和化合物半导体部，位于比半导体基板更上方，具有第1发光部，半导体基板包含：第1孔洞，在厚度方向上贯通主基板，在第1发光部的下方与第1发光部重叠。
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