公开(公告)号：CN114846589A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080086808.X

申请日：2020-12-11

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 东克典 ,  平山知央

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体元件的制造方法包含：形成覆盖基体基板(11)的表面且一部分开口的掩模(21)的工序；和从自开口(22)露出的基体基板(11)的表面，使其沿着掩模(21)外延生长，来形成包含给定的半导体材料的半导体层(31)的工序。掩模(21)中的靠近半导体层(31)一侧的表面(21a)包含非晶质的第一材料，所述非晶质的第一材料不含成为给定的半导体材料中的施体或受体的元素。

公开(公告)号：CN114402422A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080059243.6

申请日：2020-09-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 东克典 ,  小松直佳 ,  泽田达郎 ,  中里佑介 ,  平山知央

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/033 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体元件的制造方法：在基板(11)的表面上设置具有开口(12a)并对该开口的周围上表面区域实施了设置给定的构造的加工的掩模(12)，使半导体从自开口露出的基板的表面外延生长到周围上表面区域上为止，制作具有转印了所述给定的构造的半导体层(13)的半导体元件。一个给定的构造为基于具有台阶的形状的构造。另一个给定的构造为基于选择性地配置的元素的构造，被转印的元素向半导体层移动。

公开(公告)号：CN116569338A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082891.8

申请日：2021-12-06

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 东克典 ,  正木克明 ,  藤田高吉 ,  林雄一郎 ,  平山知央 ,  泽田达郎 ,  葛西骏

IPC: H01L29/06

Abstract: 半导体元件的制造方法包含：第1工序，在基板(11)的表面(11a)上形成具有开口(22)的掩模(21)；第2工序，从由开口(22)露出的表面(11a)起，使半导体沿着掩模(21)外延生长，生长作为第1半导体层的GaN层(32)；和第3工序，生长作为第2半导体层的GaN层(33)。在位于层叠方向上与基板11相反的一侧且设置肖特基电极(41)的表面(33a)，从表面(33a)的端部到肖特基电极(41)的宽度(w2)比掩模(21)的宽度(w1)小。

公开(公告)号：CN115443544A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180029879.0

申请日：2021-03-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 东克典 ,  泽田达郎

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体元件的制造方法包含如下工序：在基板(11)的表面(11a)上具有开口(22)，在开口(22)的周围上表面区域留下高低差(23)地设置掩模(21)；使半导体从自开口(22)露出的表面(11a)外延生长到周围上表面区域上，制作具有半导体层(31)的半导体元件，该半导体层(31)具有转印有高低差(23)的第一面；和对与掩模(21)相接的半导体层(31)的第一面进行干式蚀刻，来转印高低差(23)。掩模(21)包含成为半导体层(31)中的供体或受体的元素。