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公开(公告)号：CN119318082A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044981.7
申请日：2023-06-09
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01S5/02 , H01S5/02315 , H01S5/02345 , H01S5/0234 , H01S5/22
Abstract: 包含如下工序：准备具备第1基板和在第1基板上结晶生长的条带状的多个半导体部的半导体基板；在第1基板上，将分别包含多个半导体部的多个构造体分割成在各构造体出现与短边方向平行的端面，从而得到个体群；将个体群中所含的多个个体转印到第2基板；和将第2基板分断来得到分别包含1个以上的个体的多个元件基板。
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