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公开(公告)号：CN117678081A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280050232.0
申请日：2022-07-15
申请人： 京瓷株式会社
摘要： 具备：半导体基板，具备主基板、位于比主基板更上方且包含掩模部以及开口部的掩模、和位于比掩模更上方的基底半导体部；和化合物半导体部，位于比半导体基板更上方，具有第1发光部，半导体基板包含：第1孔洞，在厚度方向上贯通主基板，在第1发光部的下方与第1发光部重叠。
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公开(公告)号：CN118648205A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380020305.6
申请日：2023-02-09
申请人： 京瓷株式会社
IPC分类号： H01S5/0237 , H01L33/62
摘要： 发光器件的制造方法包含如下工序：准备具备多个发光体的第1基板；准备第2基板，该第2基板具有导电性的第1接合部、与第1接合部电连接的第1焊盘部、和位于第1接合部以及第1焊盘部之间的第1焊料约束部，在第1接合部上形成有焊料；通过焊料来将从多个发光体选择的第1对象体和第2基板接合；和使第1以及第2基板隔离地将第1对象体转印到第2基板。
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公开(公告)号：CN114600248A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074286.1
申请日：2020-10-29
申请人： 京瓷株式会社
发明人： 村川贤太郎
IPC分类号： H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L21/683 , H01L21/28
摘要： 一种具有氮化镓的半导体元件，具备具有第1面的半导体层，所述第1面包括第1区域和作为由所述第1区域突出的带状的凸部或由所述第1区域凹陷的带状的凹部的第2区域，所述第1面之中，所述第1区域或所述第2区域的表面的至少一方，具有包含着与(000－1)晶面取向和(1－100)晶面取向不同的晶面取向的晶面。
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公开(公告)号：CN116918199A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280016720.X
申请日：2022-02-21
申请人： 京瓷株式会社
IPC分类号： H01S5/028
摘要： 本公开的半导体器件的制造方法具备：准备具有多个半导体层(11、12、13)的层叠体(10)和具有凹部(21)的第一支承体(20)的工序，其中，所述凹部(21)包括上表面(20a)、侧面(20b)、和与上表面(20a)及侧面(20b)相邻的开口；将层叠体(10)接合于第一支承体(20的上表面(20a)并进行配置的工序；在层叠体(10)上形成第一端面(10a)的工序；和在第一端面(10a)形成第一电介质层(17)的工序。
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公开(公告)号：CN113490995A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080016757.3
申请日：2020-02-28
申请人： 京瓷株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205
摘要： 本公开的半导体元件的制造方法包含：元件形成工序(S1)，在基底基板(11)上形成半导体元件(15)，所述半导体元件(15)经由连接部(13b)而与基底基板(11)连接，并且具有相对于基底基板(11)的生长面倾斜的上表面(15a)；准备工序(S2)，准备具有与基底基板(11)对置的对置面(16c)的支承基板(16)；接合工序(S3)，将半导体元件(15)的上表面(15a)向支承基板(16)的对置面(16c)按压以及进行加热，将半导体元件(15)的上表面(15a)和支承基板(16)接合；以及剥离工序(S4)，将半导体元件(15)从基底基板(11)剥离。
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