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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1497812A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310102778.5
申请日：2003-10-10
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01S5/18383 , H01S5/041 , H01S5/36
Abstract: 一种有机垂直空腔激光发射器，其包括：一个反射超过预定波长范围的光的底部电介质堆；一个产生激光的有机激活区，以及具有包括发射材料的有机激活区；一个与底部电介质堆分隔开并能够反射超过预定波长范围的光的顶部电介质堆。泵浦光束至少通过一个电介质堆传导、引入有机激活区。有机激活区包括一个或多个周期性增益区和置于周期性增益区任一侧的有机分隔层，其排列使得周期性增益区对准装置的电磁场驻波的波腹，并且其中所述有机分隔层对激光基本上是透明的。
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公开(公告)号：CN100338834C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200310102778.5
申请日：2003-10-10
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01S5/18383 , H01S5/041 , H01S5/36
Abstract: 一种有机垂直空腔激光发射器，其包括：一个反射超过预定波长范围的光的底部电介质堆；一个产生激光的有机激活区，以及具有包括发射材料的有机激活区；一个与底部电介质堆分隔开并能够反射超过预定波长范围的光的顶部电介质堆。泵浦光束至少通过一个电介质堆传导、引入有机激活区。有机激活区包括一个或多个周期性增益区和置于周期性增益区任一侧的有机分隔层，其排列使得周期性增益区对准装置的电磁场驻波的波腹，并且其中所述有机分隔层对激光基本上是透明的。
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公开(公告)号：CN1532959A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410028793.4
申请日：2004-03-18
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01L51/0058 , H01L51/0051 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0069 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/5052 , H01L51/5278 , Y10S428/917
Abstract: 一种用于电子器件的p－型混合物，其包含包括二氢吩嗪化合物的主体和在该主体中提供的掺杂剂。
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公开(公告)号：CN100483773C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410028793.4
申请日：2004-03-18
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01L51/0058 , H01L51/0051 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0069 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/5052 , H01L51/5278 , Y10S428/917
Abstract: 一种用于电子器件的p-型混合物，其包含包括二氢吩嗪化合物的主体和在该主体中提供的掺杂剂。
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公开(公告)号：CN1914294A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003290.4
申请日：2005-01-18
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01L51/0079 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/5012 , Y10S428/917
Abstract: 本发明公开了一种电致发光器件、采用该器件的方法或器件，所述器件包括发光层，所述发光层包括硼络合物，其中所述硼和6元杂芳环基团的氮原子以及5元杂芳环基团的氮原子键合，前提是所述5元和6元环基团进一步通过亚胺基团连接，并且所述5元杂芳环基团含有至少一个另外的二价或三价杂原子。
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