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公开(公告)号:CN101690401B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN200880022763.9
申请日:2008-06-20
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: K·B·卡亨
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H05B33/145
Abstract: 一种用于制造无机发光层的方法,包括:将用于半导体纳米颗粒生长的溶剂、核/壳量子点的溶液、以及(一个或多个)半导体纳米颗粒前体组合;生长半导体纳米颗粒以形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的粗溶液;形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的单胶态分散体;沉积所述胶态分散体以形成膜;以及对膜进行退火以形成所述无机发光层。
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公开(公告)号:CN1823457A
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN200480020526.0
申请日:2004-07-02
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: K·B·卡亨
CPC classification number: H01S5/423 , H01S5/041 , H01S5/18369 , H01S5/36
Abstract: 一种用于产生多模激光输出的垂直腔激光器阵列装置(100),包括:衬底(110);在预定波长范围反射光的、设置在所述衬底上的底部介质叠层(120);以及用于产生激光的激活区(130)。顶部介质叠层(140)与所述底部介质叠层(120)分隔,在预定波长范围反射光。所述激活区(130)包含一个或多个周期增益区和配置在周期增益区两侧的隔层(170)。所述周期增益区(160)与所述装置的驻波电磁场的波腹对准。所述装置包含彼此间隔的激光器像素的阵列,所述像素具有高于像素间区域的反射率。所述彼此间隔的激光器像素具有不同的尺寸,且像素之间的间隔具有相同或不同的长度,以使所述垂直腔激光器阵列装置产生多模激光输出(190)。
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公开(公告)号:CN101611480A
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:CN200780051563.1
申请日:2007-12-10
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: K·B·卡亨
IPC: H01L21/368 , H01L21/208
CPC classification number: H01L21/02628 , H01L21/02521 , H01L21/02601 , Y10S977/892
Abstract: 制造用于电子设备中的现场外掺杂半导体传输层的方法包括:在胶体溶液中生长第一组的具有表面有机配体的半导体纳米颗粒;在胶体溶液中生长第二组的具有表面有机配体的掺杂材料纳米颗粒;将第一组的半导体纳米颗粒和第二组的掺杂材料纳米颗粒的混合物沉积在表面上,其中有比掺杂材料纳米颗粒更多的半导体纳米颗粒;进行纳米颗粒的沉积混合物的第一次退火,这样有机配体从第一组和第二组的纳米颗粒的表面上煮掉;进行沉积混合物的第二次退火,这样半导体纳米颗粒熔结形成连续的半导体层和掺杂材料原子从掺杂材料纳米颗粒中扩散出去并进入到连续半导体层中。
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公开(公告)号:CN100365890C
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200410061743.6
申请日:2004-06-30
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: K·B·卡亨
CPC classification number: H01S5/183 , H01S5/0201 , H01S5/36 , H01S5/423
Abstract: 制造有机垂直腔激光阵列装置的方法,该方法包括提供基质和底部电介质叠层的第一部分,该底部电介质叠层反射跨越预定波长范围的光,并且被布置于基质上;为限定一系列被间隔的激光象元阵列,其比象元间区域具有更高反射比以便阵列发射激光,在底部电介质叠层的第一部分的上表面形成蚀刻区域;在被蚀刻的第一部分上形成底部电介质叠层的第二部分。该方法也包括为产生激光在底部电介质叠层的第二部分上形成活性区,并且在活性区上形成顶部电介质叠层,其被从底部电介质叠层隔开且反射预定波长范围的光。
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公开(公告)号:CN1853322A
公开(公告)日:2006-10-25
申请号:CN200480022402.6
申请日:2004-07-19
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01S5/42
CPC classification number: H01S5/041 , H01S5/18383 , H01S5/36 , H01S5/423
Abstract: 一种垂直空腔激光阵列器件(100),包括基片(10)、顶(140)和底(120)介电叠层、和用以生成激光的活性区(130)。活性区(130)包括一个或多个周期性增益区(160)和间隔层(170),间隔层置于周期性增益层(160)的每一侧并且其排布使周期性增益区与器件的驻波电磁场波腹相匹配。提供一种手段用于调整间隔区域(150)周期性增益区的特性以提供间隔的激光象素(200)的阵列,所述间隔的激光象素具有比象素间区域(210)高的净增益;以及间隔的激光象素(200)具有相同或不同尺寸,并且象素间间距具有相同或不同的长度,以使该垂直空腔激光阵列器件的输出产生单一模式或多模式激光输出。
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公开(公告)号:CN1610198A
公开(公告)日:2005-04-27
申请号:CN200410061743.6
申请日:2004-06-30
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: K·B·卡亨
CPC classification number: H01S5/183 , H01S5/0201 , H01S5/36 , H01S5/423
Abstract: 制造有机垂直腔激光阵列装置的方法,该方法包括提供基质和底部电介质叠层的第一部分,该底部电介质叠层反射跨越预定波长范围的光,并且被布置于基质上;为限定一系列被间隔的激光象元阵列,其比象元间区域具有更高反射比以便阵列发射激光,在底部电介质叠层的第一部分的上表面形成蚀刻区域;在被蚀刻的第一部分上形成底部电介质叠层的第二部分。该方法也包括为产生激光在底部电介质叠层的第二部分上形成活性区,并且在活性区上形成顶部电介质叠层,其被从底部电介质叠层隔开且反射预定波长范围的光。
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公开(公告)号:CN1497812A
公开(公告)日:2004-05-19
申请号:CN200310102778.5
申请日:2003-10-10
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01S5/18383 , H01S5/041 , H01S5/36
Abstract: 一种有机垂直空腔激光发射器,其包括:一个反射超过预定波长范围的光的底部电介质堆;一个产生激光的有机激活区,以及具有包括发射材料的有机激活区;一个与底部电介质堆分隔开并能够反射超过预定波长范围的光的顶部电介质堆。泵浦光束至少通过一个电介质堆传导、引入有机激活区。有机激活区包括一个或多个周期性增益区和置于周期性增益区任一侧的有机分隔层,其排列使得周期性增益区对准装置的电磁场驻波的波腹,并且其中所述有机分隔层对激光基本上是透明的。
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公开(公告)号:CN101690401A
公开(公告)日:2010-03-31
申请号:CN200880022763.9
申请日:2008-06-20
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: K·B·卡亨
IPC: H05B33/14
CPC classification number: H05B33/145
Abstract: 一种用于制造无机发光层的方法,包括:将用于半导体纳米颗粒生长的溶剂、核/壳量子点的溶液、以及(一个或多个)半导体纳米颗粒前体组合;生长半导体纳米颗粒以形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的粗溶液;形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的单胶态分散体;沉积所述胶态分散体以形成膜;以及对膜进行退火以形成所述无机发光层。
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公开(公告)号:CN100405680C
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN200310101391.8
申请日:2003-10-16
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: J·P·斯普恩霍维 , J·A·阿戈斯蒂内利 , B·E·克鲁施维茨 , K·B·卡亨 , J·A·莱本斯
CPC classification number: H01S5/18366 , G02B26/001 , H01S3/0933 , H01S3/168 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/18383 , H01S5/36
Abstract: 机械调谐从有机激光共振腔器件发射出来的光学波长的系统,它包括:多层膜结构,其中该多层膜结构是由非相干光子源抽运的;以及紧邻多层膜结构的微机电反射镜组件,其中该微机电反射镜组件可改变有机激光共振腔器件的共振腔长度。
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公开(公告)号:CN1882851A
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN200480034253.5
申请日:2004-10-20
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: D·P·特劳埃尔尼希特 , K·B·卡亨
IPC: G01T1/29
CPC classification number: G01T1/2014
Abstract: 一种成像系统,包括:透镜;设置在透镜前面的二向色滤光器;和设置在透镜和二向色滤光器之间的高通滤波器。适当的设计调整这种成像系统的各部件,以减少与发荧光物质的宽角度成像相关的成像假象。
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