发光纳米复合颗粒
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101690401B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN200880022763.9

    申请日:2008-06-20

    Inventor: K·B·卡亨

    CPC classification number: H05B33/145

    Abstract: 一种用于制造无机发光层的方法,包括:将用于半导体纳米颗粒生长的溶剂、核/壳量子点的溶液、以及(一个或多个)半导体纳米颗粒前体组合;生长半导体纳米颗粒以形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的粗溶液;形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的单胶态分散体;沉积所述胶态分散体以形成膜;以及对膜进行退火以形成所述无机发光层。

    有机垂直腔激光器阵列装置

    公开(公告)号:CN1823457A

    公开(公告)日:2006-08-23

    申请号:CN200480020526.0

    申请日:2004-07-02

    Inventor: K·B·卡亨

    CPC classification number: H01S5/423 H01S5/041 H01S5/18369 H01S5/36

    Abstract: 一种用于产生多模激光输出的垂直腔激光器阵列装置(100),包括:衬底(110);在预定波长范围反射光的、设置在所述衬底上的底部介质叠层(120);以及用于产生激光的激活区(130)。顶部介质叠层(140)与所述底部介质叠层(120)分隔,在预定波长范围反射光。所述激活区(130)包含一个或多个周期增益区和配置在周期增益区两侧的隔层(170)。所述周期增益区(160)与所述装置的驻波电磁场的波腹对准。所述装置包含彼此间隔的激光器像素的阵列,所述像素具有高于像素间区域的反射率。所述彼此间隔的激光器像素具有不同的尺寸,且像素之间的间隔具有相同或不同的长度,以使所述垂直腔激光器阵列装置产生多模激光输出(190)。

    现场外掺杂半导体传输层

    公开(公告)号:CN101611480A

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200780051563.1

    申请日:2007-12-10

    Inventor: K·B·卡亨

    Abstract: 制造用于电子设备中的现场外掺杂半导体传输层的方法包括:在胶体溶液中生长第一组的具有表面有机配体的半导体纳米颗粒;在胶体溶液中生长第二组的具有表面有机配体的掺杂材料纳米颗粒;将第一组的半导体纳米颗粒和第二组的掺杂材料纳米颗粒的混合物沉积在表面上,其中有比掺杂材料纳米颗粒更多的半导体纳米颗粒;进行纳米颗粒的沉积混合物的第一次退火,这样有机配体从第一组和第二组的纳米颗粒的表面上煮掉;进行沉积混合物的第二次退火,这样半导体纳米颗粒熔结形成连续的半导体层和掺杂材料原子从掺杂材料纳米颗粒中扩散出去并进入到连续半导体层中。

    提供一种在电介质叠层具有蚀刻区域的有机垂直腔激光阵列装置

    公开(公告)号:CN100365890C

    公开(公告)日:2008-01-30

    申请号:CN200410061743.6

    申请日:2004-06-30

    Inventor: K·B·卡亨

    CPC classification number: H01S5/183 H01S5/0201 H01S5/36 H01S5/423

    Abstract: 制造有机垂直腔激光阵列装置的方法,该方法包括提供基质和底部电介质叠层的第一部分,该底部电介质叠层反射跨越预定波长范围的光,并且被布置于基质上;为限定一系列被间隔的激光象元阵列,其比象元间区域具有更高反射比以便阵列发射激光,在底部电介质叠层的第一部分的上表面形成蚀刻区域;在被蚀刻的第一部分上形成底部电介质叠层的第二部分。该方法也包括为产生激光在底部电介质叠层的第二部分上形成活性区,并且在活性区上形成顶部电介质叠层,其被从底部电介质叠层隔开且反射预定波长范围的光。

    有机VCSEL光泵激阵列
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1853322A

    公开(公告)日:2006-10-25

    申请号:CN200480022402.6

    申请日:2004-07-19

    CPC classification number: H01S5/041 H01S5/18383 H01S5/36 H01S5/423

    Abstract: 一种垂直空腔激光阵列器件(100),包括基片(10)、顶(140)和底(120)介电叠层、和用以生成激光的活性区(130)。活性区(130)包括一个或多个周期性增益区(160)和间隔层(170),间隔层置于周期性增益层(160)的每一侧并且其排布使周期性增益区与器件的驻波电磁场波腹相匹配。提供一种手段用于调整间隔区域(150)周期性增益区的特性以提供间隔的激光象素(200)的阵列,所述间隔的激光象素具有比象素间区域(210)高的净增益;以及间隔的激光象素(200)具有相同或不同尺寸,并且象素间间距具有相同或不同的长度,以使该垂直空腔激光阵列器件的输出产生单一模式或多模式激光输出。

    提供一种在电介质叠层具有蚀刻区域的有机垂直腔激光阵列装置

    公开(公告)号:CN1610198A

    公开(公告)日:2005-04-27

    申请号:CN200410061743.6

    申请日:2004-06-30

    Inventor: K·B·卡亨

    CPC classification number: H01S5/183 H01S5/0201 H01S5/36 H01S5/423

    Abstract: 制造有机垂直腔激光阵列装置的方法,该方法包括提供基质和底部电介质叠层的第一部分,该底部电介质叠层反射跨越预定波长范围的光,并且被布置于基质上;为限定一系列被间隔的激光象元阵列,其比象元间区域具有更高反射比以便阵列发射激光,在底部电介质叠层的第一部分的上表面形成蚀刻区域;在被蚀刻的第一部分上形成底部电介质叠层的第二部分。该方法也包括为产生激光在底部电介质叠层的第二部分上形成活性区,并且在活性区上形成顶部电介质叠层,其被从底部电介质叠层隔开且反射预定波长范围的光。

    发光纳米复合颗粒
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101690401A

    公开(公告)日:2010-03-31

    申请号:CN200880022763.9

    申请日:2008-06-20

    Inventor: K·B·卡亨

    CPC classification number: H05B33/145

    Abstract: 一种用于制造无机发光层的方法,包括:将用于半导体纳米颗粒生长的溶剂、核/壳量子点的溶液、以及(一个或多个)半导体纳米颗粒前体组合;生长半导体纳米颗粒以形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的粗溶液;形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的单胶态分散体;沉积所述胶态分散体以形成膜;以及对膜进行退火以形成所述无机发光层。

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