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公开(公告)号：CN101088157B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200580044175.1
申请日：2005-11-01
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： A·博伊尔 , D·吉伦 , K·邓恩 , E·费尔南德斯戈麦斯 , R·托夫尼斯
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/78
Abstract: 将具有有源层的半导体晶圆11在有源层远离载体13的状态下固定到载体上，并从半导体晶圆的主表面开始，在载体上至少部分地分割该半导体晶圆。用自发性反应蚀刻剂140从该主表面开始在载体上蚀刻至少部分地被分割的半导体晶圆，以从由至少部分地被分割的半导体晶圆生成的晶片上去除足够的半导体材料，通过消除至少一些由于分割而造成的缺陷来改善晶片的抗挠抗弯强度。
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