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公开(公告)号：CN111584364B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202010095523.4
申请日：2020-02-17
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
IPC: H10D30/01 , H01L21/768 , H10D30/47 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及半导体装置。该半导体装置的制造方法包括如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上形成源极电极及漏极电极；在氮化物半导体层上的源极电极与漏极电极之间形成具有包括Ni层及Ni层上的Au层的层叠构造的栅极电极，在与源极电极隔开间隔而相邻的区域形成具有与栅极电极相同的层叠构造的第一金属膜；形成与源极电极和第一金属膜接触的第二金属膜；形成从SiC基板的背面到达第一金属膜的孔；及在孔内形成从背面到达第一金属膜的金属通孔。
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公开(公告)号：CN112864028B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202110239519.5
申请日：2019-02-15
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件，该半导体器件包括具有主表面和与主表面相反的次表面的衬底。该主表面设有半导体有源器件。该半导体器件包括沉积在次表面上和衬底通孔内的基底金属层、以及基底金属层上的附加金属层，其中在衬底通孔中形成有空位，附加金属层具有与基底金属层相比不同的对焊料的润湿性，由此焊料与基底金属层可接触并被附加金属层排斥。通过在衬底的次表面和组装衬底之间插入焊料，从而使半导体器件贴片在组装衬底上。通过部分地去除附加金属层，使得除了衬底通孔和衬底通孔的周边之外的部分中的基底金属层与焊料接触。
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公开(公告)号：CN112864028A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110239519.5
申请日：2019-02-15
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件，该半导体器件包括具有主表面和与主表面相反的次表面的衬底。该主表面设有半导体有源器件。该半导体器件包括沉积在次表面上和衬底通孔内的基底金属层、以及基底金属层上的附加金属层，其中在衬底通孔中形成有空位，附加金属层具有与基底金属层相比不同的对焊料的润湿性，由此焊料与基底金属层可接触并被附加金属层排斥。通过在衬底的次表面和组装衬底之间插入焊料，从而使半导体器件贴片在组装衬底上。通过部分地去除附加金属层，使得除了衬底通孔和衬底通孔的周边之外的部分中的基底金属层与焊料接触。
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公开(公告)号：CN111584364A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010095523.4
申请日：2020-02-17
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
IPC: H01L21/335 , H01L21/768 , H01L29/778 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及半导体装置。该半导体装置的制造方法包括如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上形成源极电极及漏极电极；在氮化物半导体层上的源极电极与漏极电极之间形成具有包括Ni层及Ni层上的Au层的层叠构造的栅极电极，在与源极电极隔开间隔而相邻的区域形成具有与栅极电极相同的层叠构造的第一金属膜；形成与源极电极和第一金属膜接触的第二金属膜；形成从SiC基板的背面到达第一金属膜的孔；及在孔内形成从背面到达第一金属膜的金属通孔。
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公开(公告)号：CN110164816A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910117136.3
申请日：2019-02-15
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的方法，其中该半导体器件设有衬底。该方法包括以下步骤：(a)在衬底的次表面和衬底中设置的衬底通孔内沉积含有镍(Ni)的第一金属层；(b)通过电镀在第一金属层上沉积第二金属层；(c)在第二金属层上沉积第三金属层，其中第三金属层包含Ni和钛(Ti)中的至少一者；(d)通过部分地去除第三金属层，从而暴露除了衬底通孔和衬底通孔的周边之外的部分中的第二金属层；和(e)通过在衬底的次表面和组装衬底之间插入焊料，从而将半导体器件贴片在组装衬底上。
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